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半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置以及程序制造方法及图纸
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文档序号:40376498
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本发明具有以下工序:(a)通过在第一温度下对在表面设有凹部且含氧膜露出的基板供给第一反应物,在所述基板的表面上形成非流动性膜;以及(b)通过在比所述第一温度低的第二温度下对所述基板供给第二反应物,在所述非流动性膜上形成流动性膜。...
该专利属于株式会社国际电气所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社国际电气授权不得商用。
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