鳍式双极结型晶体管及其制备方法、电子设备技术

本申请实施例提供一种鳍式双极结型晶体管及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于解决如何形成具有较强的驱动电流能力的FinBJT，且得到的FinBJT能够量产并应用于产品中的问题。鳍式双极结型晶体管FinBJT，包括：衬底和设置在衬底上的两个集电极、多个发射极以及至少一个基极。FinBJT中的每个集电极包括至少一个鳍，每个发射极包括至少一个鳍，每个基极包括至少一个鳍。例如，可以采用FinFET工艺形成集电极、发射极以及基极。其中，FinBJT中的多个发射极和至少一个基极均位于两个集电极之间；每个集电极与多个发射极中的一个发射极相邻，且相邻发射极之间设置有基极。通过调整发射极和基极的布局方式，来增加发射极的面积占比，以提高FinBJT的驱动电流能力。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

pct国内申请，权...

【专利技术属性】
技术研发人员：田梓良，万光星，邱城波，黄威森，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：