金属氧化物薄膜晶体管及显示面板制造技术

本公开的实施例提供一种金属氧化物薄膜晶体管，该金属氧化物薄膜晶体管包括：设置在衬底基板(101)上的金属氧化物半导体层(102)以及与所述金属氧化物半导体层(102)接触的源极(103)和漏极(104)；所述金属氧化物半导体层(102)为叠层结构，叠层结构至少包含第一半导体层(1021)和第二半导体层(1022)，所述第一半导体层(1021)的载流子迁移率高于所述第二半导体层(1022)的载流子迁移率；所述金属氧化物半导体层(102)包括下表面(102a)、上表面(102b)以及侧表面(102c)，所述源极(103)与所述侧表面(102c)和上表面(102b)接触；至少在所述侧表面(102c)与所述源极(103)或所述漏极(104)接触的区域包括位于所述第一半导体层(1021)的第一接触区域(105)和位于所述第二半导体层(1022)的第二接触区域(106)；其中，所述金属氧化物半导体层(102)中第一接触区域(105)和第二接触区域(106)具有如下形状：所述形状具有所述金属氧化物半导体层(102)的下表面(102a)与第一接触区域(105)的侧表面(102c)之间呈第一角度，以及所述金属氧化物半导体层(102)的下表面(102a)与第二接触区域(106)的侧表面(102c)之间呈第二角度；所述第一角度大于所述第二角度。第一角度大于所述第二角度，使得载流子迁移率较高的膜层的侧面面积尽可能小，侧面沟道区域缺陷尽可能小。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

pct国内申请，权...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛大鹏，王利忠，董水浪，胡合合，姚念琦，袁广才，宁策，李正亮，王东方，雷利平，许晨，黄杰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：