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本公开的实施例提供一种金属氧化物薄膜晶体管，该金属氧化物薄膜晶体管包括：设置在衬底基板(101)上的金属氧化物半导体层(102)以及与所述金属氧化物半导体层(102)接触的源极(103)和漏极(104)；所述金属氧化物半导体层(102)为叠...该专利属于京东方科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方科技集团股份有限公司授权不得商用。
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本公开的实施例提供一种金属氧化物薄膜晶体管，该金属氧化物薄膜晶体管包括：设置在衬底基板(101)上的金属氧化物半导体层(102)以及与所述金属氧化物半导体层(102)接触的源极(103)和漏极(104)；所述金属氧化物半导体层(102)为叠...