【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、化学机械抛光(cmp)通常用于半导体器件的制造中，以平坦化或抛光沉积在基板表面上的材料层。在典型的cmp工艺中，基板被固持在基板载体中，所述基板载体在存在抛光流体的情况下将基板的背面压向旋转的抛光垫。一般来说，抛光流体包括具有一种或多种化学成分的水溶液和悬浮在水溶液中的纳米级磨粒。通过由抛光流体以及基板和抛光垫的相对运动所提供的化学和机械活动的结合，来跨基板的与抛光垫接触的材料层表面去除材料。
2、抛光流体大体上从第一臂朝向抛光垫的中心分配到抛光垫上，使得抛光流体随着抛光垫的旋转而向抛光垫的外边缘迁移。抛光流体经常积聚在基板载体下方的基板边缘附近。抛光流体在基板边缘附近的积聚导致不均匀的基板材料去除轮廓，并导致边缘附近的去除速率增加或降低。典型的流体分配浆料管或浆料输送硬件在低流率下不能均匀地分配流体。作为结果，使用高流率的连续流体，这在操作期间浪费了流体。
3、因此，工业中需要用于均匀地分布抛光流体的系统和方法，所述系统和方法具有减少的流体消耗且对垫寿命的影响最小。
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【技术保护点】
1.一种抛光基板的方法，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，其中将所述流体分配到所述垫上的步骤包括以下步骤：从一个或多个喷嘴分配所述流体，其中每个喷嘴在沿所述垫的对应径向位置处分配所述流体。
3.如权利要求2所述的方法，进一步包括以下步骤：控制每个分配喷嘴以对应的可变流率进行分配，其中控制每个可变流率的步骤包括以下步骤：以对应的频率和占空比打开和关闭每个喷嘴。
4.如权利要求2所述的方法，其中所述流体被分配在所述垫上、靠近所述载体组件的平移路径的前缘。
5.如权利要求2所述的方法，其中分配所述流体的步骤进一步包括
<...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种抛光基板的方法，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，其中将所述流体分配到所述垫上的步骤包括以下步骤：从一个或多个喷嘴分配所述流体，其中每个喷嘴在沿所述垫的对应径向位置处分配所述流体。
3.如权利要求2所述的方法，进一步包括以下步骤：控制每个分配喷嘴以对应的可变流率进行分配，其中控制每个可变流率的步骤包括以下步骤：以对应的频率和占空比打开和关闭每个喷嘴。
4.如权利要求2所述的方法，其中所述流体被分配在所述垫上、靠近所述载体组件的平移路径的前缘。
5.如权利要求2所述的方法，其中分配所述流体的步骤进一步包括以下步骤：
6.如权利要求2所述的方法，其中分配所述流体的步骤进一步包括以下步骤：从单个流体供应容器分配所述流体，其中所述流体被分流到所述喷嘴中的每一者。
7.如权利要求2所述的方法，其中每个喷嘴在所述垫的对应区域处进行分配，其中通过调整跨所述喷嘴的流体流率比来控制分配在每个区域上的流体的喷涂轮廓，其中基于每个喷嘴相对于彼此的所述可变流率来确定所述流体流率比。
8.如权利要求2所述的方法，其中每个喷嘴的占空比为约25％至约80％。
9.如权利要求2所述的方法，其中分配所述流体的步骤包括以下步骤：从对应的扇形射流处的每个喷嘴分配流体，其中每个扇形射流包括边缘到边缘的角度，其中每个角度为约15度至约110度。
10.权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：卓志忠，A·N·耶尔，E·米克海利琴科，C·HG·李，E·鲁杜姆，T·YN·张，张寿松，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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