用于控制处理腔室中的等离子体的方法及设备利用提供RF接地路径的RF终端滤波器。在一些实施方式中，一种设备可包括：DC滤波器，被配置为电连接在DC电源与嵌入于静电卡盘中的电极之间，其中所述DC滤波器被配置为阻止来自DC电源的DC电流流经D...

示例性平版印刷掩模处理腔室可包括基板支撑件，所述基板支撑件包括多个升降杆，所述多个升降杆可相对于基板支撑件的顶表面垂直平移。平版印刷掩模处理腔室可包括定位在基板支撑件顶部的盖环。盖环可限定直线基板座。直线基板座的顶表面可升高至基板支撑件...

描述增强选择性沉积的数种方法。一些实施方式中，在沉积介电质之前，将阻挡层沉积于金属表面上。一些实施方式中，金属表面经过官能化而增强或降低其反应性。

本公开内容的实施方式总体提供用于真空腔室的气体扩散器组件的设备和方法，气体扩散器组件包括安装板，安装板包括中心部；复数个弯曲辐条，从中心部在径向方向中延伸；角板部，耦接于中心部与这些弯曲辐条的每个弯曲辐条之间，这些角板部的每个角板部具有...

本文描述了用于确定抛光垫厚度轮廓的方法和装置。利用包括臂位移传感器和一个或多个调节盘位移传感器的一组位移传感器来确定调节盘的取向和抛光垫的厚度。所述位移传感器是非接触式传感器，诸如激光传感器、电容传感器、或电感传感器。一旦确定抛光垫的厚...

一种用于沉积材料的等离子体气相沉积(PVD)腔室，包括用于在基板上沉积期间影响离子轨迹的装置。装置包括至少一个环形支撑组件和磁场产生器，环形支撑组件被配置为从外部附接到基板支撑基座并且定位在基板支撑基座下方，磁场产生器被固定到环形支撑组...

本文所述的实施方式涉及具有涂覆层的平面光学装置，所述涂覆层包括单层，所述单层选自由以下项组成的组：二硫化钼(MoS<subgt;2</subgt;)、二硫化钨(WS<subgt;2</subgt;)、二硒化钨(W...

描述了一种用于蒸镀材料分配器的喷嘴。所述喷嘴包括：喷嘴入口，所述喷嘴入口用于接收蒸镀材料；喷嘴出口；以及喷嘴通路，所述喷嘴通路在所述喷嘴入口与所述喷嘴出口之间延伸，所述喷嘴通路具有第一通路部分、第二通路部分和第三通路部分，所述第二通路部...

一种化学机械研磨系统，包括支撑件、承载头、原位监控系统、温度控制系统及控制器，所述支撑件固持研磨垫，所述承载头在研磨工艺期间将基板抵靠所述研磨垫固持，所述原位监控系统经配置产生表示所述基板上的材料量的信号，所述温度控制系统控制所述研磨工...

本公开内容的实施方式一般地涉及包含高介电常数电介质层的层堆叠，所述层堆叠形成于第一电介质层与金属电极上方。高介电常数电介质层具有20或更高的介电常数值且可形成为电子装置中的电容器、栅极绝缘层或任意合适的绝缘层的一部分，电子装置例如显示器...

本文提供了用于处理基板的方法和装置。例如，一种被配置为与用于处理基板的装置一起使用的磁体至靶间距系统包括：传感器，所述传感器被配置为在相对于靶旋转磁体的同时提供同磁体的正面与靶的背面之间的距离相对应的信号；以及磁体控制器，所述磁体控制器...

本文所公开的实施方式包括一种用于测量中性自由基浓度的处理工具。在一实施方式中，所述处理工具包括处理腔室和与所述处理腔室流体耦合的中性自由基质谱(NRMS)分析器。在一实施方式中，所述NRMS分析器包括第一腔室，所述第一腔室与处理腔室流体...

在高K金属栅极(HKMG)堆叠上形成牺牲密封层，以抑制氧化剂(例如氧气及水)影响金属栅极堆叠，从而保护器件EOT。该方法整合了包括以下步骤的处理：在基板上形成界面层；在界面层上形成高K金属氧化物层，该高K金属氧化物层包括与界面层相邻的偶...

本公开涉及用于形成薄形状因子的半导体器件封装的方法和装置。在某些实施例中，通过激光烧蚀对玻璃或硅基板进行图案化以形成用于随后形成贯穿其中的互连的结构。其后，将基板用作框架以用于形成半导体器件封装，所述半导体器件封装可在其中具有一个或多个...

在一个实施例中，提供一种抛光基板的方法。所述方法总体上包括：接收垫调节盘的多个停留时间，其中所述多个停留时间要用于对设置在平台上的垫执行的垫调节工艺中，并且每个停留时间对应于设置在平台上的垫的多个区中的区；确定将要用于垫调节工艺中的多个...

描述了新颖环状硅前驱物及氧化剂。描述了用于在基板上沉积含硅膜的方法。基板经暴露于硅前驱物及反应物以形成含硅膜(例如，元素硅、氧化硅、氮化硅)。这些暴露可为顺序的或同时的。

本公开内容的实施方式涉及测量系统和用于衍射光的方法。该测量系统包括台架、光学臂和一个或多个检测器臂。衍射光的方法包括提供一种衍射光的方法，该方法包括以固定的光束角θ<subgt;0</subgt;和最大定向角φ<sub...

本案提供处理基板的方法和设备。例如，一种与处理腔室的基板支撑件一起使用的冷却设备，包括：热交换器，歧管组件，歧管组件包含第一输入部、第二输入部、第一输出部及第二输出部，第一输入部被构造为连接该热交换器的输出部、第二输入部被构造为连接第一...

半导体处理的示例性方法可包括：将含硅前驱物和含碳前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。含碳前驱物可由碳‑碳双键或碳‑碳三键表征。可将基板设置在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可包括：将含硼前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。所述方...

本文提供的实施方式通常包括用于在处理腔室中产生用于基板的等离子体处理的波形的设备、等离子体处理系统及方法。一个实施方式包括一种波形产生器，该波形产生器具有选择性地耦接至输出节点的电压源，其中该输出节点经配置以耦接至设置在处理腔室内的电极...