【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的实施例大体涉及半导体器件封装及其形成方法。更具体而言，本文所述实施例涉及薄形状因子的半导体器件封装的结构及其形成方法。
技术介绍
1、半导体器件技术发展的持续趋势已导致半导体部件具有减小的大小和增大的电路密度。根据对于在提高性能能力的同时不断缩放半导体器件的需求，将这些部件和电路整合至复杂的3d半导体器件封装中，所述3d半导体器件封装促进器件占地面积的显著减小并实现部件之间更短且更快的连接。这些封装可整合(例如)半导体芯片和多个其他电子部件，用于安装至电子器件的电路板上。
2、常规地，由于易于在有机封装基板中形成特征和连接以及与有机复合物相关联的相对低的封装制造成本，已将半导体器件封装制造在有机封装基板上。然而，随着电路密度增大且半导体器件进一步小型化，由于材料结构分辨率受限制无法维持器件缩放和相关联性能的要求，因此利用有机封装基板变得不切实际。
3、最近，已利用被动硅中介层作为再分布层来制造2.5d和/或3d封装，以补偿与有机封装基板相关联的限制中的一些限制。硅中介层的利用是由高带宽密度、低功率芯片间通信和进阶封装应用中的异质整合要求所驱动的。但，在硅中介层中形成特征(诸如贯通硅通孔(tsv))仍较困难且成本高。特定而言，高成本是由高深宽比的硅通孔蚀刻、化学机械平坦化和半导体后道工序(beol)互连所施加的。
4、因此，本领域中需要用于进阶封装应用的改良的半导体器件封装结构及其形成方法。
技术实现思路
1、本公开的实施例涉及薄形状因子的
2、在某些实施例中，提供一种形成半导体器件封装的方法。所述方法包括：将一个或多个特征图案化至硅基板中，所述一个或多个特征包括第一通孔；将预先构造的绝缘膜放置在基板上方，所述预先构造的绝缘膜包括可流动、基于聚合物的介电材料，所述预先构造的绝缘膜进一步包括形成于其中的第二通孔，在放置所述预先构造的绝缘膜之后，所述第二通孔与所述第一通孔对准；将所述预先构造的绝缘膜层压至基板上；固化所述预先构造的绝缘膜；以及形成延伸穿过第一通孔和第二通孔的导电层。
3、在某些实施例中，提供一种形成半导体器件封装的方法。所述方法包括：将一个或多个特征图案化至硅基板中，所述一个或多个特征至少包括第一通孔；将所述基板放置至第一预先构造的绝缘膜上，所述第一预先构造的绝缘膜包括第二通孔，在放置所述基板之后，第二通孔与第一通孔对准；将第二预先构造的绝缘膜放置在所述基板上方，所述第二预先构造的绝缘膜包括第三通孔，在放置所述第二预先构造的绝缘膜之后，第三通孔与第一通孔对准；将所述第一预先构造的绝缘膜和所述第二预先构造的绝缘膜层压至所述基板上；使所述第一预先构造的绝缘膜和所述第二预先构造的绝缘膜固化；以及形成延伸穿过至少第一通孔、第二通孔和第三通孔的导电层。
4、在某些实施例中，提供一种形成半导体器件封装的方法。所述方法包括将一个或多个特征图案化至硅基板中，所述一个或多个特征至少包括第一通孔；将所述基板放置至第一预先构造的绝缘膜上，所述第一预先构造的绝缘膜包括第二通孔，在放置所述基板之后，第二通孔与第一通孔对准；将所述第一预先构造的绝缘膜和所述基板暴露于第一层压工艺；将第二预先构造的绝缘膜放置在所述基板上方，所述第二预先构造的绝缘膜包括第三通孔，在放置所述第二预先构造的绝缘膜之后，第三通孔与第一通孔对准；将所述第一预先构造的绝缘膜、所述基板和所述第二预先构造的绝缘膜暴露于第二层压工艺；使所述第一预先构造的绝缘膜和所述第二预先构造的绝缘膜固化；以及形成延伸穿过至少第一通孔、第二通孔和第三通孔的导电层。
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1.一种形成半导体器件封装的方法，包括：
2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：经由激光烧蚀工艺在所述经图案化基板中形成所述第一通孔。
3.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
4.如权利要求1所述的方法，其中所述预先构造的绝缘膜包括环氧树脂。
5.如权利要求4所述的方法，其中所述环氧树脂包括陶瓷颗粒。
6.如权利要求1所述的方法，其中已图案化至所述经图案化基板中的所述一个或多个特征进一步包括空腔，并且其中在将所述预先构造的绝缘膜放置在所述经图案化基板上方之前将半导体管芯放置在所述空腔内。
7.如权利要求1所述的方法，其中将所述预先构造的绝缘膜层压至所述经图案化基板上导致所述可流动、基于聚合物的介电材料填充所述半导体管芯的表面与所述空腔的表面之间的间隙。
8.一种形成半导体器件封装的方法，包括：
9.如权利要求8所述的方法，其中所述硅基板是经由激光烧蚀来图案化的。
10.如权利要求8所述的方法，进一步包括：
11.如权利要求8所述的方法，其中所述预先构造的绝缘
12.如权利要求11所述的方法，其中所述环氧树脂包括陶瓷颗粒。
13.如权利要求8所述的方法，其中已图案化至所述硅基板中的所述一个或多个特征进一步包括空腔，并且其中在将所述预先构造的绝缘膜放置在所述硅基板上方之前将半导体管芯放置在所述空腔内。
14.如权利要求8所述的方法，其中将所述预先构造的绝缘膜层压至所述硅基板上导致所述可流动、基于聚合物的介电材料填充所述半导体管芯的表面与所述空腔的表面之间的间隙。
15.一种形成半导体器件封装的方法，包括：
16.如权利要求15所述的方法，进一步包括：
17.如权利要求15所述的方法，其中所述预先构造的绝缘膜包括环氧树脂。
18.如权利要求17所述的方法，其中所述环氧树脂包括陶瓷颗粒。
19.如权利要求15所述的方法，其中已图案化至所述硅基板中的所述一个或多个特征进一步包括空腔，并且其中在将所述预先构造的绝缘膜放置在所述硅基板上方之前将半导体管芯放置在所述空腔内。
20.如权利要求15所述的方法，其中将所述预先构造的绝缘膜层压至所述基板上导致所述可流动、基于聚合物的介电材料填充所述半导体管芯的表面与所述空腔的表面之间的间隙。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种形成半导体器件封装的方法，包括：
2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：经由激光烧蚀工艺在所述经图案化基板中形成所述第一通孔。
3.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
4.如权利要求1所述的方法，其中所述预先构造的绝缘膜包括环氧树脂。
5.如权利要求4所述的方法，其中所述环氧树脂包括陶瓷颗粒。
6.如权利要求1所述的方法，其中已图案化至所述经图案化基板中的所述一个或多个特征进一步包括空腔，并且其中在将所述预先构造的绝缘膜放置在所述经图案化基板上方之前将半导体管芯放置在所述空腔内。
7.如权利要求1所述的方法，其中将所述预先构造的绝缘膜层压至所述经图案化基板上导致所述可流动、基于聚合物的介电材料填充所述半导体管芯的表面与所述空腔的表面之间的间隙。
8.一种形成半导体器件封装的方法，包括：
9.如权利要求8所述的方法，其中所述硅基板是经由激光烧蚀来图案化的。
10.如权利要求8所述的方法，进一步包括：
11.如权利要求8所述的方法，其中所述预先构造的绝缘膜包括环氧树脂。
12.如权利要求11所述的...
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