【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开内容的实施方式大体涉及抑制氧化剂(例如，氧原子)影响金属栅极堆叠。在特定实施方式中，牺牲密封层形成在高k金属栅极(high-k metal gate；hkmg)堆叠上，该高k金属栅极堆叠包括含有偶极区域的高k金属氧化物层。
技术介绍
1、集成电路已进化成为复杂器件，其可在单个晶片上包括数百万个晶体管、电容器及电阻器。在集成电路发展的过程中，功能密度(即，每个晶片面积上的互连器件的数量)普遍增大，而几何尺寸(即，可使用制造处理产生的最小部件(或线路))减小。
2、随着器件尺寸的缩小，器件的几何形状及材料难以在不发生故障的情况下保持开关速度。一些新技术的出现使得晶片设计者可继续缩小器件尺寸。对器件结构尺寸的控制是当前及未来数代技术的关键挑战。
3、微电子器件作为集成电路制造在半导体基板上，其中各种导电层彼此相互连接，以允许电子信号在器件内传播。此种器件的一个示例是互补金属氧化物半导体(cmos)场效应晶体管(fet)或mosfet。栅电极是集成电路的一部分。例如，mosfet包括设置在形成于半导体基板中的源极区...
【技术保护点】
1.一种形成金属栅极堆叠的方法，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲密封层包括非晶硅(a-Si)。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲密封层的厚度在5埃至50埃的范围内。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述偶极膜包括偶极金属的氮化物、碳化物、氧化物、碳氮化物或其组合。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述偶极金属包括锌(Zn)、钒(V)、钨(W)、钼(Mo)、钌(Ru)、钛(Ti)、钽(Ta)、锆(Zr)、铝(al)、铌(Nb)或上述的混合物。
6.根据权利要求1所...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种形成金属栅极堆叠的方法，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲密封层包括非晶硅(a-si)。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲密封层的厚度在5埃至50埃的范围内。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述偶极膜包括偶极金属的氮化物、碳化物、氧化物、碳氮化物或其组合。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述偶极金属包括锌(zn)、钒(v)、钨(w)、钼(mo)、钌(ru)、钛(ti)、钽(ta)、锆(zr)、铝(al)、铌(nb)或上述的混合物。
6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：移除所述偶极膜的任何剩余部分及所述第一封盖层。
7.根据权利要求6所述的方法，进一步包括以下步骤：在所述基板上沉积第二封盖层。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一封盖层包括氮化钛(tin)或氮化钛硅(tisin)。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述高k金属氧化物层包括氧化铪(hfo2)、氮氧化铪(hfon)、氧化锆铪(hfzro)、氮氧化锆铪(hfzron)、氧化硅铪(hfsio)及氮氧化硅铪(hfsion)中的一者或多者。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述界...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨勇，杰奎琳·S·阮奇，杨逸雄，郭剑秋，赛沙德利·甘古利，史蒂文·CH·洪，斯里尼瓦·甘迪科塔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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