【技术实现步骤摘要】
本公开内容的实施方式一般地涉及一种用于显示器装置的包含电介质层的层堆叠，所述电介质层具有高介电常数(dielectric constant，k)值。尤其是，本公开内容的实施方式涉及沉积于具有金属材料与电介质材料的表面上方的包含电介质层的层堆叠，电介质层具有高介电常数(dielectric constant，k)值。
技术介绍
1、显示器装置已被广泛使用于各种电子应用，诸如电视、屏幕、手机、mp3播放器、电子书阅读器、个人数字助理(pdas)和类似应用。电容器，例如金属-绝缘体-金属(mim)电容器，于一些装置中，常使用并形成电容器以在操作显示器装置时电容器储存电荷。电容器储存电荷以维持驱动薄膜晶体管(tft)的栅极电压，以定义出每帧中每像素的亮度。tft电路中的储存电容器通常为mim结构，mim结构包含设置于二金属电极之间的电介质层。需要所形成的电容器具有适于显示器装置的高电容。电容可能通过改变电介质材料和/或电介质层的尺寸来调整。例如，当电介质层以具有高介电常数值的材料加以取代，电容同样将会增加。二氧化锆(zirconium diox...
【技术保护点】
1.一种结构，包含：
2.根据权利要求1所述的结构，其中所述高介电常数电介质层包含二氧化锆。
3.根据权利要求1所述的结构，其中所述高介电常数电介质层具有立方或正方晶相晶体结构。
4.根据权利要求1所述的结构，其中所述第二电介质层包含二氧化硅、氧化铝、二氧化钛或氧化钇。
5.根据权利要求1所述的结构，其中所述第二电介质层具有约2埃至约100埃的厚度。
6.根据权利要求1所述的结构，其中所述第一电介质层包含与所述第二电介质层相同的材料。
7.根据权利要求1所述的结构，其中所述第一电介质层包含氮化硅或
<...【技术特征摘要】
1.一种结构，包含：
2.根据权利要求1所述的结构，其中所述高介电常数电介质层包含二氧化锆。
3.根据权利要求1所述的结构，其中所述高介电常数电介质层具有立方或正方晶相晶体结构。
4.根据权利要求1所述的结构，其中所述第二电介质层包含二氧化硅、氧化铝、二氧化钛或氧化钇。
5.根据权利要求1所述的结构，其中所述第二电介质层具有约2埃至约100埃的厚度。
6.根据权利要求1所述的结构，其中所述第一电介质层包含与所述第二电介质层相同的材料。
7.根据权利要求1所述的结构，其中所述第一电介质层包含氮化硅或二氧化硅。
8.根据权利要求1所述的结构，其中所述第一金属电极包含铝层或钼层。
9.根据权利要求1所述的结构，其中所述第一金属电极包含设置于二个钛层之间的铝层。
10.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：芮祥新，崔寿永，栗田真一，翟羽佳，赵来，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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