【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及用于半导体处理的方法和部件。更具体而言，本技术涉及用于产生用于半导体结构的含碳膜的系统和方法。
技术介绍
1、通过在基板表面上产生复杂图案化的材料层的工艺，使得集成电路成为可能。在基板上产生经图案化材料需要用于形成和移除材料的受控方法。随着器件大小持续减小，特征间的临界尺寸可能减小，且由于材料粗糙度和其他特性，在处理操作期间维持这些结构的尺寸可能受到挑战。开发可具有足够的跨特征的共形性和应力特性的材料可能成为挑战。此外，随着处理期间的待图案化材料层的数量不断扩增，产生相对于其他暴露的材料可具有改良的移除选择性的材料，连同维持材料性质，正成为更大的挑战。
2、因此，需要可用于产生高质量器件和结构的改良的系统和方法。本技术可解决这些和其他需求。
技术实现思路
1、半导体处理的示例性方法可包括：将含硅前驱物和含碳前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。含碳前驱物可由碳-碳双键或碳-碳三键表征。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可包括：将含硼前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。所述方法可包括：在高于约250℃的温度下，使含硅前驱物、含碳前驱物和含硼前驱物进行热反应。所述方法可包括：在基板上形成含硅和碳层。
2、在一些实施例中，在基板上形成含硅和碳层的同时，可使半导体处理腔室的处理区域维持无等离子体。膜内的硼浓度可维持在小于或约20原子百分含量。基板可由一个或多个特征表征，并且其中含硅和碳层可以是以大于或约90百分含量的共形性围绕所述一个或多个
3、本技术的一些实施例可涵盖半导体处理方法。所述方法可包括：提供含硅前驱物和含碳前驱物至半导体处理腔室的处理区域。含碳前驱物可以是以与含硅前驱物的大于或约10:1的流动速率比率提供的。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可包括：将含硼前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。所述方法可包括：在大于或约400℃的温度下，使含硅前驱物、含碳前驱物和含硼前驱物进行热反应。所述方法可包括：在基板上形成含硅和碳层。
4、在一些实施例中，在半导体处理方法期间，半导体处理腔室的处理区域可维持无等离子体。在形成含硅和碳层的同时，半导体处理腔室内的压力可维持在大于或约12托耳。含硅和碳层可由小于或约0.5nm的平均粗糙度表征。含硅和碳层可由正应力(positivestress)表征。含硅和碳层可由大于或约50原子百分含量的碳浓度表征。含硅和碳层可由小于或约20原子百分含量的硅浓度表征。含硅和碳层可由小于或约10原子百分含量的硼浓度表征。所述方法可包括：停止含硅前驱物的输送。所述方法可包括：降低半导体处理腔室内的压力。所述方法可包括：在降低半导体处理腔室内的压力的同时，维持含碳前驱物的输送。
5、本技术的一些实施例可涵盖半导体处理方法。所述方法可包括：将含硅前驱物、第一含碳前驱物和第二含碳前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可包括：将催化前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。所述方法可包括：在大于或约300℃的温度下，使含硅前驱物、第一含碳前驱物、第二含碳前驱物和催化前驱物进行热反应。所述方法可包括：在基板上形成含硅和碳层。
6、在一些实施例中，在基板上形成含硅和碳层的同时，半导体处理腔室的处理区域可维持无等离子体。所述方法可包括：停止含硅前驱物的输送。所述方法可包括：降低半导体处理腔室内的压力。所述方法可包括：在降低半导体处理腔室内的压力的同时，维持含碳前驱物的输送。
7、这样的技术可相对于常规系统和技术提供许多益处。例如，本技术的实施例可产生由与常规技术相比增加的碳浓度表征的含碳材料。此外，本技术可产生具有可调谐的膜属性的含碳膜。结合以下描述和附图更详细地描述这些和其他实施例以及它们的诸多优点和特征。
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1.一种半导体处理方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中在所述基板上形成所述含硅和碳层的同时，使所述半导体处理腔室的所述处理区域维持无等离子体。
3.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述膜内的硼浓度维持在小于或约20原子百分含量。
4.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述基板由一个或多个特征表征，并且其中所述含硅和碳层是以大于或约90％的共形性围绕所述一个或多个特征形成的。
5.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中使所述含硅前驱物、所述含碳前驱物和所述含硼前驱物进行热反应是在大于或约400℃的温度下执行的。
6.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述含硅和碳层由大于或约30原子百分含量的碳浓度表征，并且其中所述含硅和碳层由小于或约50原子百分含量的硅浓度表征。
7.如权利要求6所述的半导体处理方法，其中碳掺入与硅掺入的比率维持在大于或约3:1。
8.如权利要求1所述的半导体处理方法，进一步包括：
9.如权利要求8所述的半导体处理方法，进一步包括：p>
10.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述含碳前驱物是以与所述含硅前驱物的大于或约10:1的流动速率比率提供的。
11.如权利要求1所述的半导体处理方法，进一步包括：
12.一种半导体处理方法，包括：
13.如权利要求12所述的半导体处理方法，其中在所述半导体处理方法期间，使所述半导体处理腔室的所述处理区域维持无等离子体。
14.如权利要求12所述的半导体处理方法，其中在形成所述含硅和碳层的同时将所述半导体处理腔室内的压力维持在大于或约12托耳。
15.如权利要求12所述的半导体处理方法，其中所述含硅和碳层由小于或约0.5nm的平均粗糙度表征，并且其中所述含硅和碳层由正应力表征。
16.如权利要求12所述的半导体处理方法，其中所述含硅和碳层由大于或约50原子百分含量的碳浓度表征，并且其中所述含硅和碳层由小于或约20原子百分含量的硅浓度表征，并且其中所述含硅和碳层由小于或约10原子百分含量的硼浓度表征。
17.如权利要求12所述的半导体处理方法，进一步包括：
18.一种半导体处理方法，包括：
19.如权利要求18所述的半导体处理方法，其中在所述基板上形成所述含硅和碳层的同时，使所述半导体处理腔室的所述处理区域维持无等离子体。
20.如权利要求18所述的半导体处理方法，进一步包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体处理方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中在所述基板上形成所述含硅和碳层的同时，使所述半导体处理腔室的所述处理区域维持无等离子体。
3.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述膜内的硼浓度维持在小于或约20原子百分含量。
4.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述基板由一个或多个特征表征，并且其中所述含硅和碳层是以大于或约90％的共形性围绕所述一个或多个特征形成的。
5.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中使所述含硅前驱物、所述含碳前驱物和所述含硼前驱物进行热反应是在大于或约400℃的温度下执行的。
6.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述含硅和碳层由大于或约30原子百分含量的碳浓度表征，并且其中所述含硅和碳层由小于或约50原子百分含量的硅浓度表征。
7.如权利要求6所述的半导体处理方法，其中碳掺入与硅掺入的比率维持在大于或约3:1。
8.如权利要求1所述的半导体处理方法，进一步包括：
9.如权利要求8所述的半导体处理方法，进一步包括：
10.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述含碳前驱物是以与所述含硅前驱物的大于或约10:1的流动速率比...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈泽清，戚波，A·B·玛里克，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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