【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施方式总体涉及用于小金属特征的原子层蚀刻的方法。
技术介绍
1、减小集成电路(integrated circuit；ic)的尺寸产生改良的性能，增加的容量，及/或降低的成本。每一尺寸减小都需要更复杂的技术来形成ic。例如，缩小晶体管尺寸允许在芯片上并入增加数目的存储器或逻辑装置，带来制造具有增加容量的产品。然而，对更大容量的驱动并非没有问题。优化每一装置的性能的需要变得日益复杂。在ic的制造中，随着装置尺寸持续缩小，多栅极晶体管已变得更加流行。用于蚀刻经缩小的金属互连的传统蚀刻方法具有侵蚀性且难以控制。
2、因此，需要在不蚀刻周围材料的情况下精确控制具有小尺寸金属特征的装置的蚀刻。
技术实现思路
1、本公开内容的实施方式总体涉及用于蚀刻材料的方法。在一或多个实施方式中，基板定位于工艺腔室的处理容积中，其中基板包括设置于基板上的金属钌层。金属钌层暴露于氧等离子体，以在金属钌层上产生固态氧化钌和在工艺容积内产生气态氧化钌。固态氧化钌暴露于二次等离子体以将固态氧化钌转换...
【技术保护点】
1.一种用于蚀刻材料的方法，包含以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：从所述工艺容积移除所述气态氧化钌。
3.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：从所述工艺容积移除所述氯氧化钌化合物。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述固态氧化钌包含二氧化钌且所述气态氧化钌包含四氧化钌。
5.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：顺序地重复将所述金属钌层暴露于所述氧等离子体和将所述固态氧化钌暴露于所述二次等离子体以减小所述金属钌层的厚度。
6.如权利要求5所述的方法，其中所述金属钌层的所...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于蚀刻材料的方法，包含以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：从所述工艺容积移除所述气态氧化钌。
3.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：从所述工艺容积移除所述氯氧化钌化合物。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述固态氧化钌包含二氧化钌且所述气态氧化钌包含四氧化钌。
5.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：顺序地重复将所述金属钌层暴露于所述氧等离子体和将所述固态氧化钌暴露于所述二次等离子体以减小所述金属钌层的厚度。
6.如权利要求5所述的方法，其中所述金属钌层的所述厚度在暴露于所述氧等离子体和所述二次等离子体的每个循环中减少约0.5nm至约2nm。
7.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：暴露于所述氧等离子体达约3秒至约5秒。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述二次等离子体包含还原剂，所述还原剂包含氢气(h2)。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述二次等离子体包含氧化剂或氯化剂。
10.如权利要求9所述的方法，其中所述二次等离子体包含氯气(cl2)。
11.如权利要求1所述的方法，其中所述第一工艺气体进一步包含氮气。
12.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：在将所述金属钌层暴露于氧等离子体和将所述固态氧化钌暴露于二次等...
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