【技术实现步骤摘要】
本公开内容的实施方式大体涉及用于半导体基板处理的设备和方法，更具体地，涉及用于半导体基板处理的热处理腔室。
技术介绍
1、处理半导体基板用于各种各样的应用，包括制成集成电路装置和诸如mems之类的微装置。在一种用于在基板上沉积材料层的已知处理设备中，在处理基板期间，将基板定位在处理腔室内的基座上。由支撑轴支撑基座，支撑轴可绕中心轴旋转，以使附接到其一个端部的基座旋转。对热源(诸如设置在基板下方和上方的多个加热灯)进行精确控制允许基板在其处理期间被加热到非常严格的公差范围内。基板的温度可影响沉积在基板上的材料的均匀性。
2、尽管对用于加热基板的热源进行精确控制，但是已经观察到的是，在基板上的某些位置处形成了谷(valley)(较低的沉积层厚度区域)。因此，需要一种用于能够改善对基板温度的均匀性进行控制的半导体处理的热处理腔室。
技术实现思路
1、本公开内容的实施方式大体涉及用于半导体基板处理的设备和方法，更具体地，涉及有助于半导体基板处理的热处理腔室。在一个实施方式中，处理腔室包...
【技术保护点】
1.一种处理腔室，包括：
2.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述多个点加热模块中的每个点加热模块包括激光源和多个准直器，其中每个准直器通过光纤光学耦合至相应的激光源。
3.如权利要求1所述的处理腔室，进一步包括反射器，所述反射器位于与所述安装支架相邻的位置。
4.如权利要求3所述的处理腔室，其中所述反射器包括形成在其中的多个开口，所述反射器的所述多个开口中的每个开口定位在所述基板支撑件与所述多个点加热模块中的相应点加热模块之间。
5.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述多个传感器中的相应传感器安装在所述安装支架的每个可
<...【技术特征摘要】
1.一种处理腔室，包括：
2.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述多个点加热模块中的每个点加热模块包括激光源和多个准直器，其中每个准直器通过光纤光学耦合至相应的激光源。
3.如权利要求1所述的处理腔室，进一步包括反射器，所述反射器位于与所述安装支架相邻的位置。
4.如权利要求3所述的处理腔室，其中所述反射器包括形成在其中的多个开口，所述反射器的所述多个开口中的每个开口定位在所述基板支撑件与所述多个点加热模块中的相应点加热模块之间。
5.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述多个传感器中的相应传感器安装在所述安装支架的每个可移动台上。
6.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述安装支架包括围绕中心开口的环形部分、和从所述环形部分延伸的一个或多个板。
7.如权利要求6所述的处理腔室，其中所述多个传感器中的每个传感器是高温计。
8.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述多个点加热模块中的每个点加热模块是激光源。
9.一种处理腔室，包括：
10.如权利要求9所述的处理腔室，其中所述安装支架包括形成在其中的多个开口，所述多个开口相对于所述安装支架的中心处于不同的角度位置，其中所述多个开口中的每个开口定位在所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘树坤，科吉·纳卡尼施，中川俊行，朱作明，叶祉渊，约瑟夫·M·拉内什，尼欧·谬，埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯，舒伯特·S·楚，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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