【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本原理的实施方式大体涉及半导体制造。
技术介绍
1、在半导体制造期间，不同材料的层被蚀刻或沉积在基板上以形成半导体结构。通常，高度期望以均等(even)或均匀的(uniform)方式沉积层以允许对半导体工艺进行精细控制。然而，专利技术人已经观察到，由于在沉积工艺期间基板的不良离子捕获，等离子体气相沉积(pvd)腔室中的材料沉积通常不是高度均匀的。
2、因此，专利技术人提供了一种设备，该设备有助于在pvd工艺期间在基板上捕获离子，从而产生优异的沉积性能。
技术实现思路
1、本案提供了一种用于在pvd工艺期间影响基板上的离子捕获的设备。
2、在一些实施方式中，一种用于影响至基板上的离子轨迹的设备可包括：环形组件，该环形组件被配置为在等离子体气相沉积(pvd)腔室中的处理期间完全(completely)围绕该基板的周边；及多个离散的(discrete)永磁体，该多个离散的永磁体嵌入在该环形组件中且围绕该环形组件对称地间隔开，该多个离散的永磁体被配置为在等离子体沉积期间影响...
【技术保护点】
1.一种用于影响至基板上的离子轨迹的设备，包括：
2.如权利要求1所述的设备，其中所述环形组件是灯反射器，所述灯反射器被配置为在所述PVD腔室中的处理期间反射热以回流沉积材料。
3.如权利要求1所述的设备，其中所述多个离散的永磁体中的一个或多个通过在所述多个离散的永磁体中的一个或多个下方插入的插塞而固持在所述环形组件中。
4.如权利要求3所述的设备，其中所述插塞包括排气孔。
5.如权利要求1所述的设备，其中所述多个离散的永磁体中的一个或多个通过系留固持设备固持在所述环形组件中，所述系留固持设备被配置为至少部分地阻塞所述多...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于影响至基板上的离子轨迹的设备，包括：
2.如权利要求1所述的设备，其中所述环形组件是灯反射器，所述灯反射器被配置为在所述pvd腔室中的处理期间反射热以回流沉积材料。
3.如权利要求1所述的设备，其中所述多个离散的永磁体中的一个或多个通过在所述多个离散的永磁体中的一个或多个下方插入的插塞而固持在所述环形组件中。
4.如权利要求3所述的设备，其中所述插塞包括排气孔。
5.如权利要求1所述的设备，其中所述多个离散的永磁体中的一个或多个通过系留固持设备固持在所述环形组件中，所述系留固持设备被配置为至少部分地阻塞所述多个离散的永磁体中的一个或多个下方的磁体插入孔。
6.如权利要求1所述的设备，进一步包括一个或多个排气孔，所述一个或多个排气孔在所述环形组件中，其中所述一个或多个排气孔被配置为在所述pvd腔室的抽吸期间允许气体从所述多个离散的永磁体周围通过。
7.如权利要求1所述的设备，其中所述多个离散的永磁体是插入到所述环形组件中的垂直孔中的圆柱形磁体。
8.如权利要求7所述的设备，其中所述多个离散的永磁体被定向为南极向上。
9.如权利要求7所述的设备，其中所述多个离散的永磁体具有约0.5英寸至约0.75英寸的直径和约2.0英寸至约3.0英寸的高度。
10.如权利要求1所述的设备，其中所述多个离散的永磁体具有至少45mgoe的最大能量积。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏哈斯·班加罗尔·乌梅什，马丁·李·瑞克，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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