【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开总体涉及膜的处理方法。具体而言，本公开涉及可流动化学气相沉积(fcvd)薄膜的处理方法。
技术介绍
1、在微电子器件制造中，可流动化学气相沉积(fcvd)用于为平坦表面和具有沟槽的表面两者提供光滑的基板表面。特别地，对于许多应用，需要填充具有大于10:1的深宽比(ar)且没有空洞的窄沟槽。一种应用是浅沟槽隔离(sti)。对于sti应用，膜需要在整个沟槽中具有高质量(例如，具有小于2的湿蚀刻率比)，以及非常低的泄漏。随着结构的尺寸减小与结构的深宽比增加，沉积态的(as deposited)fcvd膜的后固化方法变得困难，导致整个经填充沟槽具有不同组成的膜。
2、介电膜的传统等离子体增强化学气相沉积(pecvd)在窄沟槽顶部形成蘑菇状膜。这是由于等离子体无法渗透到深沟槽中。结果导致从顶部夹断(pinching-off)狭窄的沟槽，从而在沟槽底部形成空隙。
3、可流动化学气相沉积(fcvd)已广泛用于先进的几代半导体器件。随着特征尺寸的减小，与之前的节点相比，fcvd膜所需的间隙填充量可以很大程度地减少(例如，或)。沉积具有光滑和均匀表面以及高间隙填充性能的薄fcvd膜是具有挑战性。在fcvd膜的初始成核期间，在fcvd膜的成核层上会自行产生微小缺陷。在fcvd膜上退火衬垫的沉积后，这些可能在10nm量级的微小缺陷在尺寸上扩大了4-6倍。fcvd膜的不均匀初始成核导致表面粗糙。因此，需要减少fcvd膜中的微小缺陷的方法。
技术实现思路
1、本公开的一个或多个
2、本公开的另外的实施例涉及处理方法，所述方法包括以下步骤：通过将基板表面暴露于含硅前驱物和反应物来在基板表面上的间隙中形成成核层和可流动化学气相沉积(fcvd)膜；控制以下各项中的至少一项以最小化微小缺陷的形成：前驱物/反应物压力比、前驱物/反应物流量比、以及基板温度；以及固化fcvd膜。
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1.一种基板处理方法，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，其中所述FCVD膜包括氧化硅。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述含硅前驱物包括三硅烷胺(TSA)。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述反应物包括氨(NH3)。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述含硅前驱物/反应物压力比在从约0.35托至约0.8托的范围内。
6.如权利要求1所述的方法，进一步包括从所述基板下方将所述基板加热至从约20℃至约150℃的范围内的温度。
7.如权利要求6所述的方法，其中所述基板在加热期间位于底座上。
8.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：从所述基板上方将所述基板加热至从约20℃至约150℃的范围内的温度。
9.如权利要求8所述的方法，其中从所述基板上方加热所述基板包括加热基板处理腔室的上表面。
10.如权利要求1所述的方法，其中存在在从15/1至50/1的范围内的TSA/NH3的流量比。
11.如权利要求1所述的方法，其中将所述基板表面暴露于含硅前驱物和
12.如权利要求11所述的方法，其中流动氦(He)包括流动至少约2400sccm的氦(He)。
13.如权利要求11所述的方法，其中流动氧气(O2)包括流动至少约5sccm的氧气(O2)。
14.如权利要求9所述的方法，进一步包括以下步骤：保持所述上表面和所述基板表面之间的空间，包括保持在从约2.5英寸(6.35cm)到约4.5英寸(11.43cm)的范围内的空间。
15.如权利要求14所述的方法，进一步包括以下步骤：保持在从约3.10英寸(7.87cm)到约3.95英寸(10.03cm)的范围内的空间。
16.一种处理方法，包括以下步骤：
17.如权利要求16所述的方法，其中所述FCVD膜包括氧化硅。
18.如权利要求16所述的方法，其中所述含硅前驱物包括三硅烷胺(TSA)并且所述反应物包括氨(NH3)。
19.如权利要求16所述的方法，进一步包括以下步骤：保持上表面和所述基板表面之间的空间，包括保持在从约2.5英寸(6.35cm)到约4.5英寸(11.43cm)的范围内的空间。
20.如权利要求19所述的方法，进一步包括以下步骤：保持在从约3.10英寸(7.87cm)到约3.95英寸(10.03cm)的范围内的空间。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种基板处理方法，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，其中所述fcvd膜包括氧化硅。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述含硅前驱物包括三硅烷胺(tsa)。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述反应物包括氨(nh3)。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述含硅前驱物/反应物压力比在从约0.35托至约0.8托的范围内。
6.如权利要求1所述的方法，进一步包括从所述基板下方将所述基板加热至从约20℃至约150℃的范围内的温度。
7.如权利要求6所述的方法，其中所述基板在加热期间位于底座上。
8.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：从所述基板上方将所述基板加热至从约20℃至约150℃的范围内的温度。
9.如权利要求8所述的方法，其中从所述基板上方加热所述基板包括加热基板处理腔室的上表面。
10.如权利要求1所述的方法，其中存在在从15/1至50/1的范围内的tsa/nh3的流量比。
11.如权利要求1所述的方法，其中将所述基板表面暴露于含硅前驱物和反应物包括使选自由氩(ar)、氦(he)、氧气(o2)及其组合组成的群组的载气中的一种或多种载气流动。
12.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：李文慧，P·P·杰哈，M·B·潘迪特，MP·蔡，梁璟梅，M·W·蒋，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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