【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本说明书一般涉及提高电子装置制造系统中的基板(例如晶片)的品质，并且更具体地涉及最小化基板处理设备的环境中污染物的存在的方法。
技术介绍
1、现代材料的制造通常涉及各种蚀刻和沉积技术，包括等离子体蚀刻、化学和物理气相沉积(pvd)技术，在这些技术中，一种或多种所选择类型的原子被沉积在专门准备的基板上，所述基板被保持在由真空沉积腔室提供的低或高真空环境中。使用此技术制造的材料包括单晶体、半导体膜、精细涂层和在实际应用(诸如电子装置制造)中使用的许多其他物质。许多这些应用要求在沉积腔室中生长的材料具有某个纯度标准。由于需要维持腔室间环境的隔离，并且最小化腔室间环境暴露于周围大气和在周围大气中的污染物，因此产生了各种基板操纵和腔室控制的机器人技术。自动操作经常涉及机械手在所具有的环境非常不同的腔室之间传送基板。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种系统，包括：
2.如权利要求1所述的系统，其中所述多个RFR是鉴于初始压力、最终压力和所述LLC的所述环境从所述初始压力到所述最终压力的过渡的目标持续时间来确定的。
3.如权利要求1所述的系统，其中所述一种或多种污染物在所述LLC的所述环境从初始压力到最终压力的过渡期间出现在所述LLC的所述环境中。
4.如权利要求3所述的系统，进一步包括：
5.如权利要求1所述的系统，其中所述一个或多个阀被配置为连续调节所述气体流。
6.如权利要求1所述的系统，其中所述气体流被引导到所述LLC中，并且其中所述多个RF...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种系统，包括：
2.如权利要求1所述的系统，其中所述多个rfr是鉴于初始压力、最终压力和所述llc的所述环境从所述初始压力到所述最终压力的过渡的目标持续时间来确定的。
3.如权利要求1所述的系统，其中所述一种或多种污染物在所述llc的所述环境从初始压力到最终压力的过渡期间出现在所述llc的所述环境中。
4.如权利要求3所述的系统，进一步包括：
5.如权利要求1所述的系统，其中所述一个或多个阀被配置为连续调节所述气体流。
6.如权利要求1所述的系统，其中所述气体流被引导到所述llc中，并且其中所述多个rfr被选择为最小化颗粒物质在所述llc的所述环境内从所述llc的内表面再悬浮。
7.如权利要求1所述的系统，其中所述气体流从所述llc被引导出去，并且其中所述多个rfr被选择为防止在所述llc的所述环境内形成气溶胶。
8.一种系统，包括：
9.如权利要求8所述的系统，其中所述第一输入信号被配置为引起所述sps的所述第一腔室内部的压力遵循目标压力值的时间性序列。
10.如权利要求9所述的系统，其中所述目标压力值的所述时间性序列被确定为在所述第一时间段期间减小在所述sps的所述第一腔室中的颗粒再悬浮的程度。
11.如权利要求8所述的系统，其中所述控制器进一步用来引起所述第一阀接收第二输入信号，其中所述第二输入信号被配置为引起所述第一阀在第二时间段内连续调节流出所述sps的所述第一腔室的所述气体流。
12.如权利要求11所述的系统，其中所述第二输入信号被配置为引起所述sps的所述第一腔室内部的压力遵循目标压力值的时间性序列，
13.如权利要求8所述的系统，其中所述第一阀是比例阀。
14.如权利要求13所述的系统，其中所述第一阀包括线圈，并且其中所述第一输入信号被配置为引起所述线圈在所述第一时间段内产生连续变化的磁场。
15.如权利要求8所述的系统，进一步包括：第二阀，被配置为调节所述第一阀的孔口，其中所述控制器被进一步配置为引起所述第二阀接收第二输入信号，其中所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗伯特·A·梅杜尔，瑞秋·祝慧·谭，王长功，郭渊泓，赛·帕迪，阿什利·M·奥卡达，肯尼思·黎，阿蒂拉·基利卡斯兰，迪安·C·赫鲁泽克，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。