【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及半导体沉积工艺。更具体地，本技术涉及在基板上沉积材料的无氦方法。
技术介绍
1、通过在基板表面上产生复杂地图案化的材料层的工艺使得集成电路成为可能。在基板上产生图案化材料需要形成和去除暴露材料的受控方法。随着器件尺寸不断缩小，材料均匀性可能会影响后续操作。例如，所生产材料的表面粗糙度可能会影响后续的蚀刻均匀性。然而，传统的处理方法可能使用像氦之类的昂贵的气体，在半导体制造中使用这些气体变得过分昂贵。
2、因此，需要可用于生产高质量器件和结构的改进的系统和方法。这些和其他需求由本技术解决。
技术实现思路
1、示例性沉积方法可包括将含硅前驱物和惰性气体输送到半导体处理腔室的处理区域。方法可包括与含硅前驱物和惰性气体一起提供含氢前驱物。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成所有前驱物的等离子体。方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积含硅材料。在沉积方法期间可以保持处理区域没有氦输送。
2、在一些实施例中，含硅材料可以由小于或约1nm的沉积态(as-deposited)表面粗糙度表征。在半导体处理腔室的处理区域内形成所有前驱物的等离子体的同时，等离子体功率可保持在小于或约500w。在基板上沉积含硅材料期间，基板温度可保持在大于或约400℃。在基板上沉积含硅材料期间，压力可保持在低于或约10托。方法可包括在含硅材料之上形成氧化硅层。方法可包括，在沉积之后，对含硅材料执行热退火。含氢前驱物对含硅前驱物或惰性气体中的任一者的流率比可以是大于
3、本技术的一些实施例可涵盖沉积方法。方法可包括将含硅前驱物和惰性气体输送到半导体处理腔室的处理区域。方法可包括与含硅前驱物和惰性气体一起提供含氢前驱物。含氢前驱物对含硅前驱物或惰性气体中的任一者的流率比可以是大于或约1:1。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成含硅前驱物、惰性气体和含氢前驱物的等离子体。方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积含硅材料。
4、在一些实施例中，在沉积方法期间可保持处理区域没有氦输送。在半导体处理腔室的处理区域内形成含硅前驱物、惰性气体和含氢前驱物的等离子体的同时，等离子体功率可保持在小于或约500w。方法可包括，在沉积之后，热退火含硅材料。含硅材料可以由小于或约0.5nm的沉积态表面粗糙度表征。方法可包括，在沉积之后，形成覆盖在含硅材料上的氧化硅层。在半导体处理腔室的处理区域内形成含硅前驱物、惰性气体和含氢前驱物的等离子体时，等离子体功率可保持在大于或约200w。
5、本技术的一些实施例可涵盖沉积方法。方法可包括将含硅前驱物和惰性气体输送到半导体处理腔室的处理区域。方法可包括与含硅前驱物和惰性气体一起提供含氢前驱物。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成所有前驱物的等离子体。方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积含硅材料。在沉积方法期间可以保持处理区域没有氦输送。方法可包括提供含氧前驱物。方法可包括在基板上沉积含氧材料。
6、在一些实施例中，含氢前驱物对含硅前驱物或惰性气体中的任一者的流率比大于或约1:1。方法可包括，在提供含氧前驱物之前，停止含氢前驱物的流动。含硅材料可以由小于或约1nm的沉积态表面粗糙度表征。在半导体处理腔室的处理区域内形成所有前驱物的等离子体的同时，等离子体功率可保持在小于或约500w。
7、相对于常规的系统和技术，本技术可提供许多益处。例如，与常规技术相比，方法可产生由降低的表面粗糙度表征的膜。此外，本技术的实施例的操作可以在利用无氦工艺的同时产生改进的屏蔽材料。结合以下描述和附图更详细地描述了这些和其他实施例以及它们的优点和特征中的许多优点和特征。
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1.一种沉积方法，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的沉积方法，其中所述含硅材料由小于或约1nm的沉积态表面粗糙度表征。
3.如权利要求1所述的沉积方法，其中在所述半导体处理腔室的所述处理区域内形成所有前驱物的所述等离子体的同时，等离子体功率保持在小于或约500W。
4.如权利要求1所述的沉积方法，其中在所述基板上沉积所述含硅材料期间，基板温度保持在大于或约400℃。
5.如权利要求1所述的沉积方法，其中在所述基板上沉积所述含硅材料期间，压力保持在低于或约10托。
6.如权利要求1所述的沉积方法，进一步包括以下步骤：
7.如权利要求1所述的沉积方法，进一步包括以下步骤：
8.如权利要求1所述的沉积方法，其中所述含氢前驱物对所述含硅前驱物或所述惰性气体中的任一者的流率比为大于或约1:1。
9.一种沉积方法，包括以下步骤：
10.如权利要求9所述的沉积方法，其中在所述沉积方法期间，保持所述处理区域没有氦输送。
11.如权利要求9所述的沉积方法，其中在半导体处理腔室
12.如权利要求9所述的沉积方法，进一步包括以下步骤：
13.如权利要求9所述的沉积方法，所述含硅材料由小于或约0.5nm的沉积态表面粗糙度表征。
14.如权利要求9所述的沉积方法，进一步包括以下步骤：
15.如权利要求9所述的沉积方法，其中在所述半导体处理腔室的所述处理区域内形成所述含硅前驱物、所述惰性气体和所述含氢前驱物的所述等离子体的同时，等离子体功率保持在大于或约200W。
16.一种沉积方法，包括以下步骤：
17.如权利要求16所述的沉积方法，其中所述含氢前驱物对所述含硅前驱物或所述惰性气体中的任一者的流率比为大于或约1:1。
18.如权利要求16所述的沉积方法，进一步包括以下步骤：
19.如权利要求16所述的沉积方法，其中所述含硅材料由小于或约1nm的沉积态表面粗糙度表征。
20.如权利要求16所述的沉积方法，其中当在所述半导体处理腔室的所述处理区域内形成所有前驱物的所述等离子体的同时，等离子体功率保持在小于或约500W。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种沉积方法，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的沉积方法，其中所述含硅材料由小于或约1nm的沉积态表面粗糙度表征。
3.如权利要求1所述的沉积方法，其中在所述半导体处理腔室的所述处理区域内形成所有前驱物的所述等离子体的同时，等离子体功率保持在小于或约500w。
4.如权利要求1所述的沉积方法，其中在所述基板上沉积所述含硅材料期间，基板温度保持在大于或约400℃。
5.如权利要求1所述的沉积方法，其中在所述基板上沉积所述含硅材料期间，压力保持在低于或约10托。
6.如权利要求1所述的沉积方法，进一步包括以下步骤：
7.如权利要求1所述的沉积方法，进一步包括以下步骤：
8.如权利要求1所述的沉积方法，其中所述含氢前驱物对所述含硅前驱物或所述惰性气体中的任一者的流率比为大于或约1:1。
9.一种沉积方法，包括以下步骤：
10.如权利要求9所述的沉积方法，其中在所述沉积方法期间，保持所述处理区域没有氦输送。
11.如权利要求9所述的沉积方法，其中在半导体处理腔室的所述处理区域内形成所述含硅前驱物、所述惰...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵泽琼，A·邱，SJ·金，A·辛格豪尔，蒋志钧，D·帕德希，G·巴拉苏布拉马尼恩，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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