应用材料公司专利

应用材料公司专利技术

应用材料公司共有6594项专利

具有气体分布及单独泵送的批量固化腔室制造技术

本公开的实施例总体上涉及适于在一个时间同时固化多个基板的批量处理腔室

最后更新日期：2023-12-17 23:52 访问量：27
用于远程等离子体氧化腔室的狗骨式入口锥形轮廓制造技术

本公开内容的实施方式总体涉及用于高深宽比结构的保形氧化的处理腔室

最后更新日期：2023-12-17 23:52 访问量：41
具有挡板的气体注射器制造技术

本文中提供了用于提供均匀流体流的气体注射器

最后更新日期：2023-12-17 23:49 访问量：20
减少子像素干扰的微型制造技术

一种用于制造微型

最后更新日期：2023-12-17 23:46 访问量：20
包括非晶透明导电氧化物制造技术

描述了背板处理的示例性方法

最后更新日期：2023-12-17 23:44 访问量：16
用于传感器的封装及其制造方法技术

本文揭示了传感器组件

最后更新日期：2023-12-17 23:39 访问量：41
用于测量蚀刻参数的多反射测量法制造技术

一种系统包括存储器和至少一个处理装置，所述至少一个处理装置操作地耦合至所述存储器，以通过执行多个操作来促进蚀刻配方开发工艺

最后更新日期：2023-12-17 23:39 访问量：26
用于膜的沉积的脉冲制造技术

公开了一种气相沉积系统及其操作方法

最后更新日期：2023-12-17 23:35 访问量：26
使用堆叠式制造技术

本文提供了形成三维动态随机存取存储器

最后更新日期：2023-12-17 23:35 访问量：30
用于选择性区域沉积的集成集群工具制造技术

本文所述实施方式涉及用于处理基板的装置和方法

最后更新日期：2023-12-17 23:31 访问量：26
用于半导体处理的应力与重叠管理制造技术

提供减少半导体晶片的应力的方法

最后更新日期：2023-12-17 23:31 访问量：20
均匀的原位清洗和沉积制造技术

示例性半导体处理系统可包括限定至少一个等离子体出口的输出歧管

最后更新日期：2023-12-17 23:26 访问量：31
金属掺杂的硼膜制造技术

示例性沉积方法可包括将含硼前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域

最后更新日期：2023-12-17 23:26 访问量：54
用于多区域静电卡盘的传感器系统技术方案

一种用于基板支撑组件的加热器组件包括主体

最后更新日期：2023-12-17 23:25 访问量：27
用于无掩模光刻技术的半色调方案制造技术

本文描述的实施方式提供光刻工艺的系统

最后更新日期：2023-12-17 23:25 访问量：21
高流速制造技术

在一些实施方式中，一种设备前端模块

最后更新日期：2023-12-17 23:24 访问量：37
使用制造技术

描述了含钌的栅极层叠和形成含钌栅极层叠的方法

最后更新日期：2023-12-17 23:21 访问量：20
选择性蚀刻速率监控器制造技术

实施方式包括即时蚀刻速率传感器和使用即时蚀刻速率传感器的方法

最后更新日期：2023-12-17 23:21 访问量：32
在基板边缘上的等离子体密度控制制造技术

本公开的实现整体涉及一种用于减少等离子体处理腔室中的基板上的颗粒污染的设备

最后更新日期：2023-12-11 18:54 访问量：37
检测晶片卡紧以及解卡紧的电容方法技术

示例性支撑组件可包括限定支撑表面的静电卡盘主体，所述支撑表面限定基板座

最后更新日期：2023-12-11 18:40 访问量：33

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