本公开内容的方面包括处理基板以移除来自形成在基板上的互连的空隙、缝和晶界中的一种或多种的方法。所述方法包括在加压至过大气压力的环境中加热基板。在一个例子中，可在含氢气氛中加热所述基板。氢气氛中加热所述基板。氢气氛中加热所述基板。

一种方法，包括由处理装置接收第一数据。第一数据包括来自处理腔室的一个或多个传感器的数据并且与处理操作相关联。第一数据在至少两个维度上被解析，其中一个是时间。所述方法进一步包括向模型提供第一数据。所述方法进一步包括从模型接收第二数据。第二...

本文公开的示例关于清洁及修复其中设置有加热器的基板支撑件的方法及设备。一种方法包括：(a)清洁具有块体层的基板支撑件的表面，基板支撑件设置在被配置为处理基板的处理环境中。清洁处理包括在高温下从具有含氟气体及氧的清洁气体混合物形成等离子体...

本文提供了基板支撑件的实施方式。在一些实施方式中，用于化学气相沉积(CVD)腔室的基板支撑件包括：用于支撑基板的基座，其中该基座包括耦接到基座主体的介电板；旋转接头，其耦接到基座，其中旋转接头包括围绕转子设置的固定外壳；耦接到旋转接头的...

本文提供的实施方式提供了用于光学装置的纳米颗粒压印膜的无定形封装

本文描述的实施方式提供处理腔室，该处理腔室包含：用于处理容积的外壳；外壳内的可旋转支撑件，该支撑件具有延伸到外壳外部的轴，其中该轴具有位于处理容积外部的信号特征；外壳内的能量模块，其中该轴延伸通过该能量模块、耦合到外壳的一个或多个定向能...

描述了用于高深宽比特征的间隙填充的方法。将第一膜沉积在特征的底部和上部侧壁上。从所述特征的所述侧壁蚀刻所述第一膜，并且处理在所述特征的所述底壁中的所述第一膜以形成第二膜。重复所述沉积工艺、所述蚀刻工艺和所述处理工艺以填充所述特征。所述处...

公开了用于形成三维动态随机存取存储器

本文提供用于烘烤腔室的方法及设备，该烘烤腔室用于处理腔室部件。在一些实施方式中，烘烤腔室包括：壳体，该壳体界定第一腔室，其中该第一腔室包括：第一腔室主体，该第一腔室主体具有第一地板及第一侧壁，这些第一侧壁耦接该第一地板至该第一腔室主体的...

本申请公开了具有局部内环下压力控制的抛光头。化学机械抛光设备的示例性承载头可包括载具主体。承载头可包括与载具主体耦合的基板安装表面。承载头可包括内环，所述内环尺寸设计成和整形成周向地围绕抵靠基板安装表面定位的基板的外围边缘。所述内环的特...

本文提供了用于在处理腔室中使用的基板支撑件的实施例。在一些实施例中，一种基板支撑件包括：介电板，所述介电板具有第一侧并且包括设置在第一侧中的环形凹槽，所述第一侧被配置为支撑具有给定直径的基板，其中所述环形凹槽具有小于给定直径的内径和大于...

本公开内容大致与用于处理半导体基板的工艺腔室相关。该工艺腔室包括：上部灯组件；下部灯组件；基板支撑件；上部窗口，设置在该基板支撑件与该上部灯组件之间；下部窗口，设置在该下部灯组件与该基板支撑件之间；喷射环；以及基部环。该上部灯组件和该下...

用于还原极紫外光(EUV)光掩模上的氧化钌的方法和装置利用温度、等离子体和腔室压力来增加还原。在一些实施方式中，一种方法包括将具有钌(Ru)覆盖层的该EUV光掩模加热至约100摄氏度至该EUV光掩模的大致热预算的温度，该Ru覆盖层的顶表...

提供一种工艺序列以提供用于在其上沉积磁隧道结的极平滑(0.2nm或更小)底电极表面。在一个实施方式中，此序列包括通过体层沉积接着图案化并蚀刻而形成底电极焊盘。氧化物接着沉积在形成的底电极焊盘上方且被向后抛光以暴露底电极焊盘。接在预清洁操...

一种工厂界面，包括壳体、具有多个装载端口的壳体的前表面、具有臂和终端受动器的机器人以及附接到壳体内的底板的轨道。机器人适于沿轨道水平移动到多个位置，所述臂可以从这些位置使机器人的终端受动器进入附接到多个装载端口中的任何一个装载端口的前开...

本说明书的主题可以在方法

提供了形成金属氟氧化物膜的方法

描述了一种制冷系统(100)，特别是用于冷却基板处理系统的真空腔室和/或捕获水蒸气和/或其它可冷凝物质的闭环制冷系统。制冷系统包括具有冷却剂管道(113)的吸热器(110)，所述冷却剂管道具有冷却剂输入部(111)和冷却剂输出部(112...

用于化学机械抛光设备的示例性承载头可包括载体主体

本文描述通过在高压下进行氧化来处理薄膜的多种方法。方法总体上是在大于2巴的压力下执行的。方法能够在低温下执行，且所具有的暴露时间短于在较低压力下执行的类似方法。一些方法涉及将钨膜氧化以形成自对准的柱状物。些方法涉及将钨膜氧化以形成自对准...