各方面总体上涉及用于使用一个或多个无定形碳硬模层处理基板的方法、系统和装置。在一方面中，改变膜应力同时促进增强的蚀刻选择性。在一种实施方式中，一种处理基板的方法包括将一个或多个无定形碳硬模层沉积到基板上，以及在沉积一个或多个无定形碳硬模...

提供了制造存储器器件的多种方法。这些方法改善选择性沉积的含硅介电层的品质。该方法包括在膜堆叠的凹陷区域中选择性地沉积含硅介电层。然后，将该选择性沉积的含硅介电层暴露于在高于800℃的温度下退火的高密度等离子体，以提供湿蚀刻速率小于4埃/...

本公开内容一般涉及用于处理半导体基板的外延腔室。在一个示例中，该外延腔室具有腔室主体组件。该腔室主体组件包括下部窗口和上部窗口，其中该腔室主体组件、该下部窗口和该上部窗口包围内部空间。基座组件设置在该内部空间中。该外延腔室也具有多个温度...

一种用于处理基板的高压处理系统，包括：第一腔室；基座，定位在第一腔室内，以支撑基板；第二腔室，邻近第一腔室；真空处理系统，配置成将第二腔室内的压力降低到接近真空；阀组件，位于第一腔室和第二腔室之间，以将第一腔室内的压力与第二腔室内的压力...

本公开内容的实施方式总体涉及用于原位膜生长速率监视的设备、系统、及方法。在基板处理操作期间监视基板上的膜厚度，所述基板处理操作在基板上沉积膜。在进行基板处理操作时监视厚度。监视包括在朝向结晶试样的方向上引导光。所述方向垂直于加热方向。在...

提供一种具有可变端效器间距的机器人装置，其适合于适应(例如)两个相邻处理腔室之间或两个相邻装载锁定腔室之间的变化间距。机器人装置可在双基板搬运模式、单基板搬运模式或其组合下操作。机器人装置也可以是离轴机器人。描述了根据各种实施方式的多种...

描述一种存储器串，其包括至少一个漏极选择栅极(SGD)晶体管及在延伸穿过基板上的存储器堆叠的垂直孔中的至少一个存储器晶体管。存储器堆叠包括交替的字线及介电材料。存在至少一个漏极选择栅极(SGD)晶体管，其在延伸穿过存储器堆叠的第一垂直孔...

在此提供处理多个基板的方法及设备。在一些实施方式中，在物理气相沉积(PVD)腔室中处理多个基板的方法包括：在设置于PVD腔室中的溅射靶材的寿命的至少一部分期间，在对应的一系列的基板上执行一系列的再流处理，其中在PVD腔室中的基板至靶材距...

本文提供了用于减少处理腔室内的一个或多个表面上的不期望的残留材料沉积和堆积的装置和方法。在本文公开的实施例中，处理腔室包括腔室主体，所述腔室主体具有限定处理容积的腔室底座、一个或多个侧壁和腔室盖；喷头，所述喷头设置在腔室盖中并具有与处理...

抛光系统包括平台，平台具有用于支撑主抛光垫的顶面。平台可绕旋转轴线旋转，所述旋转轴线穿过平台的大致中心。环形凸缘从平台径向向外突出以支撑外抛光垫。环形凸缘具有内边缘，所述内边缘固定到平台并可随平台旋转的，并且相对于平台的顶面垂直固定。环...

本申请涉及一种电镀系统。所述电镀系统包括：可操作以容纳阴极电解液的第一隔室和可操作以容纳阳极电解液的第二隔室，其中，所述第一隔室和所述第二隔室由离子选择性隔膜隔开；所述第一隔室中的传感器，所述第一隔室中的所述传感器可操作以测量阴极电解液...

本文提供了用于在制造系统控制器的更新过程期间进行输入/输出(IO)处理的方法及系统。由系统控制器的IO驱动器在工艺腔室的部件与系统控制器的基板工艺IO处理器之间传送第一通知。基板工艺IO处理器执行与工艺配方对应的基板工艺控制指令。第一通...

半导体系统及方法可包括具有气箱的半导体处理腔室，此气箱限定了至此半导体处理腔室的入口。此腔室可包括间隔件，该间隔件由与气箱耦接的第一表面表征，及此间隔件可限定在第一表面的内部部分上的凹进壁架。此腔室可包括安装在凹进壁架上的支架，该凹进壁...

提供了用于使用机器学习控制沉积膜的浓度轮廓的方法及系统。将与在用于基板的沉积工艺期间待在基板表面上沉积的膜的目标浓度轮廓相关联的数据作为输入提供到经训练的机器学习模型。获得经训练的机器学习模型的一个或多个输出。由一个或多个输出决定识别沉...

描述了一种用于在真空处理系统中支撑基板的基板支撑件。所述基板支撑件包括：基板支撑主体，所述基板支撑主体具有用于支撑所述基板的前侧和与所述前侧相对的背侧；吸盘组件，所述吸盘组件在所述基板支撑主体中或在所述基板支撑主体的所述背侧处；多个第一...

本文公开的多个实施方式一般涉及一种具有部分地阳极化的气体分配喷头的设备，所述部分地阳极化的气体分配喷头包括主体，所述主体具有从上游侧延伸到下游侧的多个气体通路，所述上游侧和所述下游侧中的每一者具有不同的孔隙率，其中所述多个气体通路中的每...

本文提供了一种方法和设备，用于在光刻工艺期间将电场和/或磁场施加到光刻胶层，而没有气隙干预。这些方法和设备中的每一者包括电极组件和底座组件，电极组件和底座组件被配置为密封在一起并且形成工艺容积。所述电极组件包括可渗透的电极，所述底座组件...

描述了一种在基板上沉积至少一种材料的方法。所述方法包括第一沉积，所述第一沉积包括：通过缝隙从第一旋转靶和第二旋转靶进行溅射，所述缝隙是可调整的并具有小于第一尺寸。所述第一旋转靶具有第一磁体组件，所述第一磁体组件在面向所述第二旋转靶的第一...

一种形成半导体结构的方法包括在氢的氛围中退火基板表面以使表面平整，预清洁基板表面，在基板的预清洁表面上沉积高介电常数介电层，执行再氧化工艺以热氧化基板表面；执行等离子体氮化工艺以将氮原子插入沉积的高介电常数介电层中，以及执行后氮化退火工...

本文提供用于处理基板的使用匹配网络的方法和装置。例如，一种被配置为与等离子体处理腔室一起使用的匹配网络，包括：本地控制器，所述本地控制器可连接至等离子体处理腔室的系统控制器；第一电动电容器，所述第一电动电容器连接至本地控制器；第二电动电...