本文公开的实施方式包括用于沉积石墨烯层的方法和设备。在一个实施方式中，一种在基板上沉积石墨烯层的方法包含：在模块化微波等离子体腔室之内提供基板，并且将碳源和氢源流入模块化微波等离子体腔室中。在一个实施方式中，方法进一步包含在模块化微波等...

半导体处理的示例性方法可包括将含碳前驱物与含氢前驱物递送至半导体处理腔室的处理区。所述方法可包括在半导体处理腔室的处理区内产生含碳前驱物与含氢前驱物的等离子体。所述方法可包括在定位在半导体处理腔室的处理区内的基板上形成石墨烯层。基板可维...

一种阀包括附接至离开处理腔室的第一返回管线的第一串联隔室，及附接至进入冷却剂源的第二返回管线的第二串联隔室。流动隔室被附接在第一串联隔室与第二串联隔室之间，并且冷却剂穿过所述流动隔室返回至冷却剂源。第一入口孔口及第二入口孔口定位于第一串...

本文提供了用于处理基板的方法及设备。例如，被配置用于与等离子体处理腔室一起使用的匹配网络包括：输入端，所述输入端被配置为接收一个或多个射频(RF)信号；输出端，所述输出端被配置为将所述一个或多个RF信号传输到处理腔室；第一可变电容器，所...

一种电子装置制造系统可包括具有受控环境的工厂接口。电子装置制造系统也可包括耦接到工厂接口的装载端口。装载端口可被配置为在其上接收基板载体，且可包括净化设备和控制器。控制器可被配置为操作装载端口，使得定位在基板载体门与装载端口周围和之间的...

本公开内容的实施方式涉及可以夹持多于一个的光学器件基板的载体组件以及用于形成该载体组件的方法。载体组件包括载体、一个或多个基板、和掩模。载体与掩模磁性耦接以保持一个或多个基板。载体组件用于在处理期间支撑和输送一个或多个基板。载体组件还用...

本发明的实施方式总体涉及经封装光学装置及用于制造经封装光学装置的方法。在一或多个实施方式中，用于封装光学装置的方法包括在基板上沉积金属银层、在金属银层上沉积阻挡层，其中阻挡层含有氮化硅、金属元素、金属氮化物、或前述物的任何组合、及在阻挡...

描述了一种用于沉积系统的阴极驱动单元(100)。所述阴极驱动单元(100)包括马达(110)，所述马达具有驱动轴(111)。另外，所述阴极驱动单元(100)包括齿轮箱(120)，所述齿轮箱连接到所述驱动轴(111)。所述齿轮箱(120)...

本文提供了用于处理基板的方法及装置。例如，一种用于处理基板的装置包括：被配置为将处理气体朝向基板支撑件的基板支撑表面引导的顶部输送气体喷嘴以及被配置为将处理气体朝向基板支撑件的侧表面引导的侧面输送气体喷嘴、连接至顶部输送气体喷嘴的第一气...

本发明描述了一种使用非直视性(non

示例性沉积方法可包括使含硅前驱物流动到半导体处理腔室的处理区域中。方法可包括在半导体处理腔室的面板与基座之间的处理区域中点燃等离子体。基座可支撑包括图案化的光刻胶的基板。方法可包括将基板温度维持在小于或约200℃。方法还可包括沿着图案化...

一种方法包括：接收与基板处理装备的对应部件相关联的部件数据、与由基板处理装备执行以产生一个或多个对应基板的一个或多个对应基板处理操作相关联的传感器数据和由包括对应部件的基板处理装备执行的一个或多个对应基板处理操作产生的一个或多个对应基板...

一种电子器件制造系统，被配置为获得与在处理腔室中执行以在基板的表面上沉积膜堆叠的沉积处理相关联的传感器数据。膜堆叠可以包括已知膜图案和未知膜图案。制造系统进一步被配置为将传感器数据输入到第一经训练机器学习模型中，以获得第一经训练机器学习...

本文所述的实施方式包括用于产生为半导体处理设备中的处理建模的混合模型的处理。在特定实施方式中，建立混合机器学习模型的方法包含识别跨越第一范围的处理和/或硬件参数的第一组案例，并且在实验室中针对第一组案例进行实验。该方法可进一步包含编译来...

各方面一般涉及用于进行基板处理系统的多个质量流量控制器(MFC)的校准操作的方法、系统及设备。在一个方面中，为跨多个设定点的一系列目标流动速率创建经校正的流量曲线。在一个实施方式中，一种进行基板处理系统的多个质量流量控制器(MFC)的校...

一种基板处理系统包括：一个或多个传输腔室；多个工艺腔室，连接至一个或多个传输腔室；以及计算设备，连接至多个工艺腔室中的每一者。所述计算设备用于：在第一工艺腔室内执行工艺期间或之后接收由第一工艺腔室的传感器产生的第一测量；基于使用第一经训...

描述了用于等离子体处理腔室的静电卡盘(electrostatic chuck,ESC)和制造ESC的方法。在示例中，基板支撑组件包括其中具有加热器元件的陶瓷底板。基板支撑组件还包括其中具有电极的陶瓷顶板。金属层在陶瓷顶板和陶瓷底板之间。...

本文提供在光刻工艺期间在无气隙干预的情况下对光刻胶层施加电场及/或磁场的方法及装置。该方法及装置包括：腔室主体，其被配置为填充工艺流体；及基板载体。当将基板装载至基板载体上时基板载体设置于工艺容积外，但在进入工艺流体的同时或之前将所述基...

本揭露案的实施方式涉及投射稳定系统和具有投射稳定系统的无掩模光刻系统。投射稳定系统补偿移动图像投射系统(IPS)的传播振动。在无掩模光刻工艺操作之前，IPS处于处理位置。一或多个加强件耦接至IPS。一或多个加强件向耦接至每个加强件的挠曲...

于此提供了用于使用改进的屏蔽件配置处理基板的方法及设备。例如，一种用于在物理气相沉积腔室中使用的处理配件包括：屏蔽件，包含具有最内径的内壁，内壁被配置成当设置在物理气相沉积腔室中时围绕靶材，其中屏蔽件的表面面积与内径的平面面积的比率为约...