形成半导体结构的示例性方法可包括在半导体基板上形成成核层。示例性方法可进一步包括在成核层上形成至少一个含氮化镓(GaN)的区域，及在含GaN的区域上形成含氮化铟镓(InGaN)的层。多孔化区域可形成在含GaN区域及含InGaN层中的至少...

公开了选择性沉积期间的表面预处理方法。本公开内容的一个或多个实施方式提供了有助于去除阻隔层的表面预处理。本公开内容的一些实施方式包括表面预处理，其包括暴露具有第一表面和第二表面的基板以修改第一表面，在经修改第一表面上沉积阻隔层，相较于阻...

一种在基板上的金属栅极堆叠包括：在基板上的界面层；在界面层上的高K金属氧化物层，高κ金属氧化物层包括邻接界面层的偶极区，偶极区包括铌(Nb)；在高κ金属氧化物层上的高κ金属氧化物盖层；在高κ金属氧化物盖层之上的正金属氧化物半导体(PMO...

本文描述了一种用于处理半导体基板的方法及装置。该装置包括设置在沉积腔室的排气系统内的一个或多个生长监视器。这些生长监视器是石英晶体膜厚度监视器且被配置为基板在该沉积腔室内被处理的同时测量在这些生长监视器上生长的膜厚度。这些生长监视器连接...

提供了使用防滑降落环进行纳米压印光刻的设备及方法。在一个实施方式中，提供了用于纳米压印光刻的处理腔室，并且该处理腔室包括基板支撑件及设置在该基板支撑件上的环。该环具有与基板支撑件相对的顶表面，并且该顶表面具有网格图案。面向基板支撑件的底...

说明了使用加热器元件阵列对基板载具进行温度测量。在一个示例中，一种方法包含：测量静电吸盘中多个加热元件中的每一个的第一结合电流负载；改变所述多个加热元件中的第一加热元件的电力状态；在改变所述第一加热元件的所述电力状态之后，测量所述多个加...

一种向晶片处理装备的多个区域中的多个加热器供电的方法可包括：使电压被供应给向被配置为向基座中的多个不同加热区域提供电压的多个电源线；使电流通过由多个电源线共享的回流线从多个不同加热区域被接收；以及使提供给多个电源线的电压的极性切换。切换...

一种基板清洁系统包括用于在对基板进行抛光之后清洁基板的清洁器模块、用于在由清洁器模块进行清洁之后干燥基板的干燥器模块、可沿第一轴线从干燥器模块中的第一位置移动至干燥器模块外部的第二位置的基板支撑件，以及内嵌计量站，所述内嵌计量站包括线扫...

半导体处理的示例性方法可以包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物和含氧前驱物。基板可以设置在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可以包括向半导体处理腔室的处理区域提供含碳前驱物。含碳前驱物可以由碳

示例性处理方法可包括以下步骤：在半导体处理腔室的远程区域中形成清洁前驱物的等离子体。所述方法可包括以下步骤：将清洁前驱物的等离子体流出物流动到半导体处理腔室的处理区域中。所述方法可包括以下步骤：将基板支撑件与等离子体流出物接触达第一时间...

本文描述在形成互连中使用的用于沉积低电阻率硅化镍层的方法和使用所述方法形成的电子装置。在一个实施方式中，一种用于沉积层的方法包括：将基板定位在处理腔室中的基板支撑件上，所述处理腔室具有设置在所述处理腔室中的镍靶材和硅靶材，所述镍靶材和硅...

提供了一种用于在显示器制造中检查基板(10)的设备(100)。基板具有其中设置有可固化油墨的一个或多个部分，并且设备包括基板支撑件(110)、用于向基板提供等于或高于第一预定阈值的激励的激励源(130)、用于检测在一个或多个部分处从可固...

本文描述的具体实施方式，涉及在基板上形成具有不同倾斜角的光栅的方法，以及使用角度蚀刻系统在循序基板上形成具有不同倾斜角的光栅的方法。方法包括将保持在平台上的基板的部分定位在离子束的路径中。基板上设置有光栅材料。离子束经配置以相对于基板的...

本文提供将小芯片接合至基板的方法和装置。在一些实施例中，一种用于处理基板的多腔室处理工具包括：设备前端模块(EFEM)，所述设备前端模块(EFEM)具有用于接收一种或多种类型的基板的一个或多个载入口；以及多个自动化模块，所述多个自动化模...

实施方式包括用于监测蚀刻速率或沉积速率或用于控制晶片制造工艺的操作的系统、设备和方法。在一个实施方式中，一种处理工具包括：处理腔室，具有围绕腔室容积的衬垫壁；和监测设备，具有经由衬垫壁中的孔暴露于腔室容积的传感器。所述传感器能够实时地测...

本公开内容的实施例一般涉及电感耦合等离子体源、等离子体处理装置及等离子体处理的独立温控。在至少一个实施例中，一种方法包括将工艺气体引入至气体注入通道中，及在气体注入通道内产生电感耦合等离子体。等离子体包括选自氧、氮、氢、NH及氦的至少一...

处理基板的方法包括以下步骤：使基板经受修改所述基板的外层的厚度的处理，在处理期间测量从所述基板反射的光的光谱，缩减测得的光谱的维度以产生多个分量值，使用人工神经网络产生表征值，以及基于所述表征值来确定停止处理所述基板或调整处理参数中的至...

本揭示案的实施方式大体涉及用于热处理半导体基板的基座。在一个实施方式中，基座包括：内区域，该内区域具有在该内区域的顶部表面中形成的图案，该图案包括由多个排气通道分隔的多个基板支撑特征。基座包括轮缘，该轮缘环绕且耦接至该内区域，其中该内区...

半导体处理的示例性方法可包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硼和碳和氮的前驱物。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可包括生成含硼和碳和氮的前驱物的电容耦合等离子体。所述方法可包括在基板上形成含硼和碳和氮的层。所述含硼和碳和...

此处公开用于基板处理设备的排放模块，具有主体、泵送环及对称流动阀。所述主体具有穿过所述主体形成的第一及第二真空泵开口。在所述主体中在所述第一及所述第二真空泵开口两者之上放置所述泵送环。所述泵送环包含具有顶部表面、底部表面及开口的实质环形...