本文提供了在处理腔室中使用的处理配件的实施方式。在一些实施方式中，一种用于处理腔室中的盖环包括：环形主体，包括上表面和下表面；内唇部，从环形主体径向向内且向下延伸；和多个突起，从内唇部向下延伸并且沿着内唇部以规则间隔安置，其中多个突起的...

描述了在基板上沉积硅锗膜的方法。所述方法包括将基板暴露于硅前驱物和锗前驱物，以形成共形硅锗膜。所述基板包括至少一个膜叠层和至少一个特征，所述膜叠层包括硅和硅锗的交替层。硅锗膜具有大于50％的共形度。硅锗膜具有大于50％的共形度。硅锗膜具...

本公开内容的实施方式大体涉及一种改良的基板支撑基座组件。在一个实施方式中，基板支撑基座组件包括轴。基板支撑基座组件进一步包括基板支撑基座，所述基板支撑基座机械耦接至轴。基板支撑基座包括基板支撑板，所述基板支撑板以陶瓷材料涂布于顶表面。支...

本文提供了用于基板处理腔室的升降杆机构的方法和设备。在一些实施例中，升降杆机构包括升降杆，所述升降杆包括轴，所述轴具有顶端、底端和在底端处的耦接端；波纹管组件设置在轴周围。波纹管组件包括：上波纹管凸缘，所述上波纹管凸缘具有开口以用于轴的...

示例性基板处理系统可以包括盖板。所述系统可包括安置在盖板上的气体分流器。气体分流器可限定多个气体入口和气体出口。气体出口的数量可以大于气体入口的数量。所述系统可包括与气体分流器对接的多个阀块。每个阀块可以限定多个气体管腔。气体管腔中的每...

描述了一种制造用于锂电池的阳极结构(10)的方法。方法包括以下步骤：在第一柔性支撑件(21)上的锂的第一沉积，以提供具有第一锂表面(31)的锂阳极－第一子层(12

描述了一种将错误指派至处理腔室的方法。一些实施例包括：将射频(RF)信号施加至处理腔室，以在所述腔室中激发共振；测量所述腔室中的所施加的RF信号的共振；从所测量的共振提取指纹；将所提取的指纹与指纹库作比较；将相似性指数指派至所提取的指纹...

公开一种具有光栅结构的设备和用于形成所述设备的方法。所述光栅结构包括在光栅层中形成凹部。在所述光栅层中形成多个通道，以在所述光栅层中限定斜向光栅结构。所述凹部和斜向光栅结构是使用选择性蚀刻工艺形成的。向光栅结构是使用选择性蚀刻工艺形成的...

示例性半导体结构和处理方法可包括形成第一半导体层的第一部分，其特征在于用于蚀刻处理的第一蚀刻速率；形成第一半导体层的第二部分，其特征在于比用于蚀刻处理的第一蚀刻速率更小的第二蚀刻速率；以及形成第一半导体层的第三部分，其特征在于比第二蚀刻...

本文提供用于清洁在基板处理装备中使用的部件的方法及清洁系统的实施方式。在某些实施方式中，一种清洁系统包括锅炉，该锅炉具有被配置成加热流体的加热器；清洁腔室，该清洁腔室经由气体管线及液体管线的至少一者流体耦接至锅炉，其中清洁腔室包括在其内...

一种方法包含以下步骤：识别针对用于在多个处理腔室内执行工艺流体输送的时间长度的时间值，所述多个处理腔室并发地处理多个基板；将每个时间值转换为用于执行处理配方的操作的配方参数；及引起使用每个配方参数作为控制值来执行操作，以控制多个处理腟室...

移除含锂沉积物的示例性方法可包括加热含锂沉积物的表面。该表面可包括氧或氮，并且含锂沉积物可以设置在处理腔室的表面上。这些方法可包括使含锂沉积物的表面与含氢前驱物接触。接触可氢化含锂沉积物的表面。这些方法可包括使含锂沉积物与含氮前驱物接触...

一种传感器组件，包括基板及一组传感器。所述一组传感器包括跨基板表面定位的压力传感器及/或流量传感器。多个传感器中的每一相应传感器经适配以测量贴近相应传感器的环境的相应压力或相应流量。多个传感器中的每一相应传感器可经进一步适配以输出与所测...

示例性半导体处理系统包括：处理腔室，所述处理腔室限定处理区域。半导体处理系统可包括前级管道，所述前级管道与处理腔室耦合。前级管道可限定流体导管。半导体处理系统可包括前级管道陷阱，所述前级管道陷阱与前级管道的远端耦合。半导体处理系统可包括...

提供了一种蒸气沉积设备。蒸气沉积设备包括用于提供液化材料的罐、具有可变第一容积的第一单元，所述第一单元包括第一致动器并且包括与罐流体连通的第一管线。此外，蒸气沉积设备包括具有可变第二容积的第二单元，所述第二单元包括第二致动器并且包括与罐...

一种方法包括使生产设备产生RF信号，以激发与生产设备相关的处理腔室。方法进一步包括自与生产设备相关的一个或多个传感器接收与RF信号相关的当前追踪数据。方法进一步包括基于当前追踪数据更新与生产设备相关的数字复制品的阻抗值。方法进一步包括自...

本文公开了质量流量控制设备、整合该质量流量控制设备的系统，及使用该质量流量控制设备的方法的实施方式。在一个实施方式中，质量流量控制设备包含：流量调节阀，被构造为调节气体流动通道中的气体流动；传感器装置，诸如微电机(MEMS)装置，被构造...

一种结构包括形成在基板上的底层、形成在底层上的心轴层，以及形成在心轴层上的间隔物层。底层包含第一材料，并且间隔物层包含第二材料。第一材料耐受第一蚀刻工艺中使用以去除该间隔物层的部分的蚀刻气体，并耐受第二蚀刻工艺中使用以去除该心轴层的蚀刻...

一种形成栅极堆叠结构的方法包括在形成在基板上的半导体结构上的高κ栅极介电层上形成偶极金属层，退火偶极金属层，和移除偶极金属层。偶极金属层包括在高κ栅极介电层中的掺杂剂。掺杂剂。掺杂剂。

实施方式包括将金属氧基光刻胶形成于基板上的方法。在实施方式中，所述方法包含以下步骤：在真空腔室中提供靶材，其中靶材包含金属。所述方法可继续以下步骤：将烃类气体和惰性气体流入真空腔室，和在真空腔室中触发等离子体。在实施方式中，所述方法可进...