本公开的实施例关于半导体处理。更具体地，本公开的实施例关于用于陈化处理腔室的一个或多个部件的方法。在至少一个实施例中，一种用于陈化处理腔室的方法包括在约4mTorr至约20mTorr的腔室压力和低于约200℃或约200℃至约400℃的温...

示例性半导体处理系统可以包括腔室主体，该腔室主体包括侧壁和基部。该系统可包括延伸穿过腔室主体基部的基板支撑件。腔室主体可限定通路，该通路在该腔室主体的该基部处绕该基板支撑件周向地延伸。该系统可包括设置在腔室主体内的一个或多个隔离器。一个...

本公开内容的实施例总体涉及形成硬模的方法。本文描述的实施例使得能够例如形成具有降低的膜应力的含碳硬模。在实施例中，提供了处理基板的方法。方法包括将基板定位在处理腔室的处理空间中，并在基板上沉积类金刚石碳(DLC)层。在沉积DLC层之后，...

示例性处理方法可以包括转移第一喷头下的锂膜。该方法可以包括通过第一喷头将氧化剂气体引入到锂膜上。该方法可以包括在锂膜上形成氧化物单层。氧化物单层可以是或包括吸附在锂膜上的氧化剂气体。该方法可以包括在形成氧化物单层之后转移第二喷头下的锂膜...

本文所述的实施方式提供一种净化系统及使用净化系统的方法。方法使用净化系统使净化气体流动至腔室中。净化气体流动穿过在净化环的内侧表面与杆之间的净化间隙。净化环促进净化气体流动至腔室中。化气体流动至腔室中。化气体流动至腔室中。

在实施例中，提供了一种在包含掩模层、导电层和介电层的基板中形成盲通孔的方法，包括以下步骤：将基板传送到扫描腔室；确定盲通孔的一种或多种性质，所述一种或多种性质包含顶部直径、底部直径、容积、或约80

提供一种光学装置涂布组件。该光学装置涂布组件包括基板支撑件，其可操作以保持光学装置基板。该涂布组件进一步包括连接至基板支撑件的第一致动器。第一致动器被配置为使基板支撑件旋转。该涂布组件包括固持器，其被配置为在光学装置基板在基板支撑件上旋...

示例性半导体处理系统可包括腔室主体，该腔室主体包含侧壁及底座。系统可包括延伸穿过腔室主体的底座的基板支撑件。基板支撑件可包括支撑平台及杆。系统可包括围绕基板支撑件的杆延伸的挡板。挡板可限定穿过该挡板的一个或多个孔。系统可包括在基板支撑件...

本公开案的实施方式大致关于用于基板处理的装置，且更具体而言，关于用于旋转基板的装置及所述装置的用途。在实施方式中，提供一种用于旋转基板的装置。装置包括可悬浮转子，所述可悬浮转子包含嵌入所述可悬浮转子中的多个磁铁；多个气体轴承，定位以悬浮...

本文描述了包括侧储存舱的电子装置处理系统。一个电子装置处理系统具有：侧储存舱，所述侧储存舱具有经配置成接收侧储存容器的第一腔室；具有面板开口的面板；面板经配置成耦接在侧储存容器和设备前端模块之间；在第一腔室中接收的侧储存容器；及排气管道...

本文所述的实施方式提供了用于保持光学装置的装置及方法。本文所述的装置及方法提供用于在不接触基板的敏感部分情况下保持基板。这些装置及方法利用保持垫或真空销来接触禁止区，即基板的无源区，以保持基板并防止基板横向移动。此外，保持力在竖直方向上...

示例性处理方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中形成沉积前驱物的等离子体。所述方法可包括在共振峰值的20％内调整可变电容器。可变电容器可与并入在基板支撑件内的电极耦合，基板安置在该基板支撑件上。所述方法可包括在基板上沉积材料。包括在基板...

描述半导体器件(例如，3D

描述了半导体处理系统和方法，其可包括使沉积前驱物流入半导体处理腔室的基板处理区域中，其中基板处理区域包括静电夹盘。方法可进一步包括由沉积前驱物在静电夹盘上沉积陈化层以形成陈化的静电夹盘。陈化层可以由大于或约3.5的介电常数表征。方法可又...

本技术的实施例可包括半导体处理方法，所述半导体处理方法包括在基板处理腔室中的基板上沉积半导体材料膜。可用扫描电子显微镜在基板的大于或约两个非邻接区域处对沉积膜的缺陷进行采样。被检测和表征的缺陷可包括尺寸为小于或约10纳米的缺陷。所述方法...

一种静电卡盘被描述为承载用于处理(例如高功率等离子体处理)的工件。在实施例中，该卡盘包括：顶板，用以承载该工件，该顶板具有电极以抓持该工件；冷却板，在该顶板的下方，用以冷却该顶板；气体孔，穿过该冷却板及该顶板，以穿过该顶板向该工件馈送气...

示例性基板处理系统可包括限定移送区域的腔室主体。系统可包括盖板，所述盖板沿盖板的第一表面搁置在腔室主体上。盖板可限定穿过盖板的多个孔隙。盖板可进一步限定围绕盖板的第一表面中的多个孔隙中的每个孔隙的凹槽。每个凹槽可部分地延伸穿过盖板的厚度...

本技术的实施例包括用于制成具有改变的硼硅原子比的含硼与硅层的半导体处理方法。方法可包括使含硅前驱物流入半导体处理腔室的基板处理区域中，并且还使含硼前驱物及分子氢(H2)流入半导体处理腔室的基板处理区域中。含硼前驱物及H2可以一硼氢流速比...

实施例包括工艺监测装置及使用这种工艺监测装置的方法。在实施例中，该工艺监测装置包括一基板。该工艺监测装置亦可包括多个传感器，该多个传感器形成在该基板的一支撑面上。按照实施例，每个传感器能够产生对应于一处理状况的一输出信号。此外，实施例包...

本文所述的实施方式涉及用于利用基板制造波导结构的方法。形成具有由基板形成的输入耦合区域、波导区域，和输出耦合区域的波导结构。所述区域是通过将印模压印到抗蚀剂中以形成正波导图案来形成，所述抗蚀剂安置在硬掩模上，所述硬掩模形成在基板表面上。...