用于沉积残留物控制的系统和方法技术方案

示例性半导体处理系统可包括腔室主体，该腔室主体包含侧壁及底座。系统可包括延伸穿过腔室主体的底座的基板支撑件。基板支撑件可包括支撑平台及杆。系统可包括围绕基板支撑件的杆延伸的挡板。挡板可限定穿过该挡板的一个或多个孔。系统可包括在基板支撑件的杆与挡板之间的入口处与腔室主体流体耦接的流体源。间的入口处与腔室主体流体耦接的流体源。间的入口处与腔室主体流体耦接的流体源。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于沉积残留物控制的系统和方法
相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求于2020年11月25日提交的标题为“SYSTEMS AND METHODS FOR DEPOSITION RESIDUE CONTROL”的美国专利申请第17/104,387号的权益及优先权，该申请的内容以引用其整体的方式全部并入本文。


[0002]本技术涉及用于半导体处理的系统和方法。更具体的，本技术涉及处理腔室部件及用于在处理期间控制沉积残留物的方法。

技术介绍

[0003]集成电路通过在基板表面上产生复杂图案化材料层的工艺成为可能。在基板上产生图案化材料需要用于形成且移除材料的可控方法。前驱物通常经传递至处理区域并且经分配以均匀地沉积或蚀刻基板上的材料。处理腔室的许多方面可能影响工艺均匀性，诸如腔室之内的工艺条件的均匀性、穿过部件的流动的均匀性，以及其他工艺及部件参数。即使基板上的微小差异也可能影响形成或移除工艺。另外，腔室内的部件可能影响腔室部件或基板支撑件的边缘及背侧区域上的沉积。
[0004]因此，需要可用于产生高质量器件及结构的改良的系统及方法。本技术解决了这些及其他需要。

技术实现思路

[0005]示例性半导体处理系统可包括腔室主体，该腔室主体包含侧壁及底座。系统可包括延伸穿过腔室主体的底座的基板支撑件。基板支撑件可包括支撑平台及杆。系统可包括围绕基板支撑件的杆延伸的挡板。挡板可限定穿过该挡板的一个或多个孔。系统可包括在基板支撑件的杆与挡板之间的入口处与腔室主体流体耦接的流体源。
>[0006]在一些实施例中，系统可包括泵送板，该泵送板围绕基板支撑件延伸并在泵送板与腔室主体的底座之间形成气室。系统可包括穿过基板支撑件的杆延伸的射频(radio frequency；RF)棒。射频棒可与电接地或RF电源耦接。挡板可包括沿着基板支撑件的杆延伸的导电覆盖件。腔室主体的底座可限定用于泵送系统前级管线的入口。腔室主体的底座可包括含氟涂层。
[0007]本技术的一些实施例可涵盖半导体处理的方法。该方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中形成沉积前驱物的等离子体。该方法可包括将净化气体流过限定在基板支撑件与围绕基板支撑件的杆延伸的挡板之间的间隙。该方法可包括在基板支撑件的杆与挡板之间产生净化气体的等离子体流出物。该方法可包括在位于基板支撑件上的基板上沉积材料。该方法可以包括从处理区域排放沉积副产物。该方法可包括将净化气体的等离子体流出物流过限定在挡板中的孔，同时从半导体处理腔室的处理区域排放沉积副产物。
[0008]在一些实施例中，挡板可以是或包括沿着基板支撑件的杆延伸的导电覆盖件。基
板支撑件可包括穿过基板支撑件的杆延伸的RF棒。沉积前驱物的等离子体可以是在半导体处理腔室的处理区域内形成的电容耦合等离子体。净化气体的等离子体流出物可由RF棒的发射产生。该方法可包括用净化气体的等离子体流出物从半导体处理腔室的表面移除沉积材料。半导体处理腔室可包括腔室主体，该腔室主体包含侧壁及底座。腔室主体的底座可限定用于泵送系统前级管线的入口。腔室可包括泵送板，该泵送板围绕基板支撑件延伸并在泵送板与腔室主体的底座之间形成气室。腔室主体的底座可包括含氟涂层。净化气体的等离子体流出物可流入形成在泵送板与腔室主体之间的气室。净化气体可以是或包括氧或三氟化氮。
[0009]本技术的一些实施例可涵盖半导体处理的方法。该方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中形成沉积前驱物的等离子体。该方法可包括将净化气体流过限定在基板支撑件与围绕基板支撑件的杆延伸的挡板之间的间隙。该方法可包括在位于基板支撑件上的基板上沉积材料。该方法可以包括从处理区域排放沉积副产物。该方法可包括将净化气体流过限定在挡板中的孔，同时从半导体处理腔室的处理区域排放沉积副产物。
[0010]在一些实施例中，净化气体可与沉积副产物反应以产生挥发性材料。半导体处理腔室可包括腔室主体，该腔室主体包含侧壁及底座。腔室主体的底座可限定用于泵送系统前级管线的入口。腔室可包括泵送板，该泵送板围绕基板支撑件延伸并在泵送板与腔室主体的底座之间形成气室。穿过挡板限定的孔可形成于泵送板与基板支撑件的平台之间的位置处。
[0011]该技术可提供优于传统系统及技术的众多益处。例如，本技术的实施例可限制腔室部件上的沉积，例如前级管线连接及其他腔室部件上的沉积。此外，通过减少或消除室内的沉积，产量可通过减少腔室清洁操作来提高。结合以下描述及附图更详细地描述这些及其他实施例，连同其许多优点及特征。
附图说明
[0012]所揭示的技术的本质及优点的进一步理解可参考说明书的剩余部分及附图来实现。
[0013]图1示出根据本技术的一些实施例的示例性处理系统的顶部平面图。
[0014]图2示出根据本技术的一些实施例的示例性等离子体系统的示意性横截面图。
[0015]图3示出根据本技术的一些实施例的示例性处理系统的示意性部分横截面图。
[0016]图4示出根据本技术的一些实施例的半导体处理的示例性方法的操作。
[0017]包括若干附图作为示意图。应将理解，这些附图是为了说明目的，除非特定说明是按比例的，否则不被视为按比例的。此外，作为示意图，提供这些附图是为了帮助理解，并且可能不包括与现实表示相比的所有方面或信息，并且可能包括用于说明目的的夸大材料。
[0018]在附图中，类似的部件和/或特征可具有相同的附图标记。此外，相同类型的各种部件可以通过在附图标记后面加上区分相似部件的字母来区分。若说明书中仅使用第一附图标记，则该描述适用于具有相同第一附图标记的任一个相似部件，而不管字母如何。
具体实施方式
[0019]等离子体增强沉积工艺可激发一或多种组成前驱物以促进基板上的膜形成。任何
数量的材料膜可经产生以形成半导体结构，包括导电膜及介电膜，以及促进材料转移和移除的膜。例如，硬掩模膜可经形成以促进基板的图案化，同时保护待以其他方式保持的下层材料。另外，其他介电材料可经沉积以分离基板上的晶体管，或以其他方式形成半导体结构。在许多处理腔室中，多种前驱物可在气体控制板中混合并且经输送至其中可安置基板的腔室的处理区域。虽然盖堆叠的部件可能影响进入处理腔室的流量分布，但许多其他工艺变量可能会类似地影响沉积的均匀性。
[0020]虽然盖堆叠部件可有益地将前驱物分布至处理区域中以促进均匀沉积，但确保跨基板更均匀覆盖的结构及操作可将沉积延伸至腔室周围的多个区域中。例如，沉积前驱物及产物可流过耦接在处理腔室的底座处，或在耦接在腔室周围的另一位置处的排气系统。然而，由于这些部件中的许多部件可保持在低于或远低于正经处理的基板的温度下，沉积材料可能更容易凝结或重新沉积在腔室主体壁或底座上，其中可形成与泵送系统的连接。为了解决此问题，传统技术可能被迫增加沉积后的后续腔室清洁工艺的时间。然而，此工艺可能具有多个缺点。例如，存取腔室的这些区域可能更具挑战性，如此可能导致需要增加清洁时间并且可能增加队列时间，从而降低系统的产量。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体处理系统，包含：腔室主体，所述腔室主体包含侧壁及底座；基板支撑件，穿过所述腔室主体的所述底座延伸，其中所述基板支撑件包含支撑平台和杆；挡板，围绕所述基板支撑件的杆延伸，其中所述挡板限定穿过所述挡板的一个或多个孔；以及流体源，在所述基板支撑件的所述杆与所述挡板之间的入口处与所述腔室主体流体耦接。2.如权利要求1所述的半导体处理系统，进一步包含：泵送板，所述泵送板围绕所述基板支撑件延伸并在所述泵送板与所述腔室主体的所述底座之间形成气室。3.如权利要求1所述的半导体处理系统，进一步包含：RF棒，穿过所述基板支撑件的所述杆延伸。4.如权利要求3所述的半导体处理系统，其中所述RF棒可与电接地或RF电源耦接。5.如权利要求1所述的半导体处理系统，其中所述挡板包含沿着所述基板支撑件的所述杆延伸的导电覆盖件。6.如权利要求1所述的半导体处理系统，其中所述腔室主体的所述底座限定用于泵送系统前级管线的入口。7.如权利要求6所述的半导体处理系统，其中所述腔室主体的所述底座包含含氟涂层。8.一种半导体处理的方法，包含以下步骤：在半导体处理腔室的处理区域中形成沉积前驱物的等离子体；将净化气体流过限定在基板支撑件与围绕所述基板支撑件的杆延伸的挡板之间的间隙；在所述基板支撑件的所述杆与所述挡板之间产生所述净化气体的等离子体流出物；在位于所述基板支撑件上的基板上沉积材料；从所述处理区域排放沉积副产物；以及将所述净化气体的所述等离子体流出物流过限定在所述挡板中的孔，同时从所述半导体处理腔室的所述处理区域排放所述沉积副产物。9.如权利要求8所述的半导体处理的方法，其中所述挡板包含沿着所述基板支撑件的所述杆延伸的导电覆盖件。10.如权利要求8所述的半导体处理的方法，其中所述基板支撑件包含穿过所述基板支撑件的所述杆延伸的RF棒。11.如权利要求10所述的半导体处理的方法，其中所述沉积前驱物的所述等离子体为在所述半导体处理腔...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：