描述了在基板上沉积含硼膜的方法。将基板暴露于硼前驱物和等离子体，以形成含硼膜(如，元素硼、氧化硼、碳化硼、硅化硼、氮化硼)。暴露可为顺序的或同时的。含硼膜选择性地沉积在一种材料(如，SiN或Si)上，而不是另一种材料(如，氧化硅)上。氧...

示例性半导体处理系统可包括处理腔室、设置在处理腔室中或处理腔室上的电感耦合等离子体(ICP)源和被构造为定位基板的支撑件。支撑件可至少部分地设置在处理腔室内，并且可包括偏压电极。离子屏可设置在腔室内，位于支撑件上的基板上方。离子屏对离子...

本文公开了一种用于使用微波压力窗口组件将微波传输到处理腔室中的设备。该微波压力窗组件可包括第一板，该第一板具有第一孔隙，该第一孔隙由用于第一压力密封件的第一凹部围绕；第二板，该第二板具有第二孔隙，该第二孔隙由用于第二压力密封件的第二凹部...

本文所公开的实施方式一般地涉及用于处理基板的底表面以抵消基板上的热应力的方法及装置。可将校正应变施加至基板的底表面，校正应变可补偿基板的顶表面上的非期望的应变及变形。可通过任意结合沉积、注入、热处理及蚀刻在基板的背侧上形成经特别设计的膜...

描述了清洁基板处理腔室的示例性半导体处理方法。此方法可包括在基板处理腔室中的第一基板上沉积介电膜，其中介电膜可包括硅碳氧化物。具有介电膜的第一基板可从基板处理腔室移除，及介电膜可沉积在基板处理腔室中的至少还有一个基板上。此至少还有一个基...

本文提供了用于在半导体制造设备部件上沉积涂层的方法和设备。在一些实施方式中，一种在半导体制造设备部件上沉积涂层的方法包括：将包括镍或镍合金的半导体制造设备部件按顺序暴露于铝前驱物和反应物，以通过沉积工艺在半导体制造设备部件的表面上形成含...

提供一种用于提供在处理腔室内设置的基板的均匀加热的方法及设备。设备包括在处理腔室中设置的一或多个加热线圈。一或多个加热线圈使用加热器杆电气耦接到功率源。加热器杆耦接到与到加热线圈的连接相对的远端上的插座。插座包括穿通及经配置为从围绕加热...

本文所公开的实施方式一般地涉及用于处理基板的底表面以抵消基板上的热应力的方法及装置。可将校正应变施加至基板的底表面，校正应变可补偿基板的顶表面上的非期望的应变及变形。可通过任意结合沉积、注入、热处理及蚀刻在基板的背侧上形成经特别设计的膜...

描述了一种用于更换基板卷(10)的换卷腔室(100)。所述换卷腔室(100)包括可绕中心轴线(111)旋转的可旋转基部构造(110)。所述基部构造(110)包括：第一卷保持器(120)，所述第一卷保持器用于保持第一基板卷(121)第二卷...

提供了一种用于补偿绕旋转轴线旋转的阴极的翻滚的保护器和方法。所述翻滚保护器可包括保护器定心元件，所述保护器定心元件被构造为与所述阴极间隔开安装以在所述保护器定心元件与所述阴极之间提供距离A。元件与所述阴极之间提供距离A。元件与所述阴极之...

示例性处理方法可包括形成含硅前驱物的等离子体。所述方法可以包括在具有含硅前驱物的等离子体流出物的半导体基板上沉积可流动膜。半导体基板可以容纳在半导体处理腔室的处理区域中。处理区域可以限定在面板和半导体基板所在的基板支撑件之间。所述方法可...

本公开内容的实施方式一般涉及抛光垫和制造抛光垫的方法，其可以被使用于半导体装置制造中的化学机械抛光(CMP)工艺。本文所述的抛光垫的特征在于抛光垫材料的连续聚合物相，所述抛光垫材料的连续聚合物相包括一或多个第一材料域和多个第二材料域。所...

用于保护工艺腔室的零件免于沉积材料的热循环效应的方法和设备。在一些实施例中，保护工艺腔室的零件的方法包括以下步骤：使用弱碱或弱酸来湿法蚀刻零件；通过喷砂来清洁零件；使用应力释放层来涂覆零件的表面的至少一部分。应力释放层形成大约50微米至...

本文揭露了一种用于控制气体的流率的设备，包含经配置以限制气体的流率的流量限制元件；耦合到流量限制元件的入口的压力调节器，其中该压力调节器经配置以控制压力调节器和流量限制元件之间的气体压力；耦合至流量限制元件的出口的流量计，其中该流量计经...

一种用于执行向量矩阵乘法的方法和电路可包括使用一位DAC将二进制编码值的输入向量转换为模拟信号，并针对每个位序顺序地执行向量矩阵乘法运算。方法进一步可包括以下步骤:对于每个顺序执行的操作，操作对应于当前位序的开关。操作开关可导致对应于乘...

一种用于在真空条件下的卷材涂覆工艺中导引卷材(12)的滚筒装置(10)、一种包含包括所述滚筒装置(10)的真空腔室(16)的卷材涂覆设备(14)、和一种用于在真空条件下的卷材涂覆工艺中控制卷材(12)的温度的方法。所述滚筒装置(10)包含：

本公开案的实施方式关于用于增强、虚拟及/或混合现实应用的光学装置。在一或多个实施方式中，光学装置计量系统经配置以测量光学装置的多个透视指标。装置的多个透视指标。装置的多个透视指标。

一种化学机械抛光系统包括基板支撑件、抛光垫组件、抛光垫载体及驱动系统，该基板支撑件经配置以在抛光操作期间固持基板，该抛光垫组件包含膜与抛光垫部分，该驱动系统经配置而引起该基板支撑件与该抛光垫载体之间的相对运动。抛光垫载体包含壳套，该壳套...

本实用新型提供了用于测量处理气体的解离的设备和系统。该设备包含：进气口，配置成从远程等离子体源(RPS)接收所述处理气体，所述处理气体包括解离成至少一个自由基的多原子分子，其中该RPS经由导管将所述处理气体提供给半导体处理腔室；测量腔室...

一种传感器装置包括具有在压电基板上设置的表面声波(SAW)传感器的整合传感器组件。SAW传感器适用于响应于RF信号来测量环境的环境状况。SAW传感器包括在具有至少一层压电材料的基板上形成的叉指换能器(IDT)。SAW传感器包括在压电材料...