本文描述的实施方式涉及在光刻环境中印刷双重曝光图案的方法。所述方法包括在光刻工艺中利用第一曝光图案确定要曝光的第二曝光图案。第二曝光图案由基于规则的处理流程或光刻模型处理流程确定。刻模型处理流程确定。刻模型处理流程确定。

本公开的实施例包括处理基板的方法，该方法包括蚀刻在等离子体处理腔室的处理区域内安置的基板支撑组件的基板支撑表面上安置的基板上形成的第一介电材料。蚀刻工艺可包括：将处理气体递送到处理区域，其中处理气体包含第一含氟碳气体及第一处理气体；通过...

一种用于形成氧化物层的方法，包含在基板上形成界面层，在此界面层上形成非晶硅层，执行直接氧化工艺以使形成的非晶硅层选择性氧化，和执行热氧化工艺以使形成的非晶硅层氧化。化。化。

本文描述了可用于有机发光二极管(OLED)显示器中的子像素电路和形成子像素电路的方法。限定所述显示器的所述子像素电路的每个子像素的相邻含金属悬垂结构提供使用蒸发沉积形成子像素电路并提供所述含金属悬垂结构在所述子像素电路形成(利用第五、第...

本文描述的多个实施方式是关于用于顶部发射有机发光二极管(OLED)显示像素的分级斜面底部反射电极层。EL装置包括：像素定义层，具有顶表面、底表面、和互连顶表面与底表面的分级侧壁；和底部反射电极层，在像素定义层之上设置。底部反射电极层包括...

本文所述的实施例大体上涉及用于基板支撑基座的具有密封层的多孔塞及其形成方法。在一个或多个实施例中，可以通过将含氟弹性体组成物施加到多孔塞和静电吸盘的空腔的壁中的至少一者来原位形成密封层。可以原位固化含氟弹性体组成物以在多孔塞与空腔的壁之...

本文描述一种用于外延层的选择性形成的方法。在该方法中，沉积外延层以在水平全环绕栅极(hGAA结构)周围形成源极和漏极区域。该方法包括共同流动氯化的含硅前驱物、含锑前驱物和n型掺杂前驱物的组合。得到的源极和漏极区域被从hGAA结构的晶体纳...

本公开的实施例大体上涉及用于在等离子体处理期间控制离子能量分布的装置和方法。在实施例中，装置包括具有主体的基板支撑件，所述主体具有用于将基板电压施加到基板的基板电极和被嵌入以用于将边缘环电压施加到边缘环的边缘环电极。装置进一步包括耦合到...

本文描述的多个实施方式涉及可用于显示器诸如有机发光二极管(OLED)显示器中的子像素电路和形成可用于显示器中的子像素电路的方法。所述子像素电路包括多个接触悬垂部。所述多个接触悬垂部设置在要形成的子像素电路的相邻子像素之间。所述接触悬垂部...

本发明实施例提供一种用于处理基板的方法和设备。所述设备具有环组件。环组件具有边缘环和遮蔽环。边缘环具有环形主体。边缘环主体具有顶表面和底表面。销孔从顶表面延伸穿过边缘环主体到底表面。遮蔽环具有环形主体。遮蔽环主体具有上表面和下表面。孔座...

本公开的实施例总体涉及用于在等离子体处理期间控制离子能量分布的设备和方法。在实施例中，所述设备包括基板支撑件，所述基板支撑件具有主体，所述主体具有用于向基板施加基板电压的基板电极以及用于向边缘环施加边缘环电压的嵌入的边缘环电极。所述设备...

从半导体基板蚀刻氧化镓的示例性方法可包括相对于氮化镓选择性蚀刻氧化镓。此方法可包括将反应物流入容纳半导体基板的基板处理区中。此反应物可包括氯化物与溴化物的至少一种。此方法可进一步包括使氧化镓的暴露区与来自此反应物的氯化物与溴化物的至少一...

描述水平环绕式栅极器件及制造其的方法。所述hGAA器件包含氧化层，所述氧化层位于半导体材料上，所述半导体材料介于器件的源极区域与漏极区域之间。所述方法包括：介于电子器件的源极区域与漏极区域之间的半导体材料层的自由基等离子体氧化(RPO)...

提供一种用于制造系统处的时间约束管理的方法。接收用以启动将在制造系统处运行的操作集合的第一请求。所述操作集合包括各自具有一或更多个时间约束的一或更多个操作。确定要在所述操作集合期间处理的候选基板的第一集合。针对候选基板的第一集合运行在第...

提供一种气体分配设备，具有第一储存器和第二储存器，所述第一储存器具有第一上游端和第一下游端，所述第二储存器具有第二上游端和第二下游端。储存器切换阀与第一储存器的第一下游端和第二储存器的第二下游端流体连通。储存器切换阀可操作以选择性地在处...

本文所公开的实施方式包括一种用于半导体处理的处理工具。在实施方式中，处理工具包括腔室及与该腔室整合的多个见证传感器。在实施方式中，处理工具进一步包括漂移检测模块。在实施方式中，将来自多个见证传感器的数据提供至漂移检测模块以作为输入数据。...

描述了遮蔽环套件和切割半导体晶片的方法。在示例中，蚀刻设备包括腔室、以及在腔室内或耦接至腔室的等离子体源。静电卡盘在腔室内，所述静电卡盘包括用于支撑基板载体的导电基座，所述基板载体尺寸设计成支撑具有第一直径的晶片。遮蔽环组件在等离子体源...

本文所述的实施例涉及基板支撑组件。基板支撑组件包括ESC基座组件、设施板、和密封组件，ESC基座组件具有设置在其中的基座通道，设施板与ESC基座组件耦接，设施板与ESC基座组件之间具有真空区域。密封组件包括上凸缘、下凸缘、垫片、和绝缘管...

一种恢复等离子体处理腔室中的灰分比的方法包括将基板定位在处理腔室的处理容积中，其中基板具有形成在基板上的氯化硅残留物。此方法进一步包括从基板蒸发氯化硅残留物。此方法进一步包括在处理容积中的一个或多个内部表面上沉积经蒸发的氯化硅。此方法进...

静电吸盘的主体包括设置在主体的被抛光的表面上的台面。每个台面包括设置在主体的被抛光的表面上的粘附层、设置在粘附层上方的过渡层以及设置在过渡层上方的涂覆层。涂覆层具有至少14Gpa的硬度。主体进一步包括设置在主体的侧壁上方的侧壁涂层。一种...