利用非晶硅和氧化的薄氧化物层的生长制造技术

一种用于形成氧化物层的方法，包含在基板上形成界面层，在此界面层上形成非晶硅层，执行直接氧化工艺以使形成的非晶硅层选择性氧化，和执行热氧化工艺以使形成的非晶硅层氧化。化。化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】利用非晶硅和氧化的薄氧化物层的生长
[0001]背景


[0002]本文所述的多个实施方式一般涉及半导体装置制造，并且更特定而言，涉及在高深宽比(aspect ratio)半导体结构中形成高质量薄氧化物层的方法。

技术介绍

[0003]硅集成电路的生产对制造流程提出了困难的要求来增加装置的数量同时减小芯片上的最小特征结构尺寸。这些要求已扩展至包含将层沉积至复杂的拓扑结构上同时维持装置可靠性的制造流程。举例而言，动态随机存取存储器(DRAM)装置中使用的凹陷沟道阵列晶体管(recessed channel array transistor；RCAT)可具有10:1或更高的深宽比，并且需要薄且可靠的栅极氧化物层。
[0004]在这种结构中形成氧化物层的习知方法遭受两个问题中的一个或两个。第一个问题是热氧化生长的高硅消耗。亦即，对于高深宽比结构可能不形成薄的氧化物层。第二个问题是由沉积形成的氧化物层的质量(quality)低，可能在氧化物层内包含缺陷和陷阱，从而导致装置可靠性降低。
[0005]因此，需要用于形成薄的高质量氧化物本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于形成氧化物层的方法，包括以下步骤：在基板上形成界面层；在所述界面层上形成非晶硅层；执行直接氧化工艺以使所述形成的非晶硅层选择性氧化；和执行热氧化工艺以使所述形成的非晶硅层氧化。2.如权利要求1所述的方法，其中所述基板包括晶体硅，和所述基板包含数个凹形特征结构，并且所述氧化物层形成在所述数个凹形特征结构内。3.如权利要求1所述的方法，其中所述界面层包括氧化硅并且具有与之间的厚度。4.如权利要求1所述的方法，其中所述形成所述非晶硅层的步骤包括以下步骤：在原子层沉积(ALD)工艺或化学气相沉积(CVD)工艺中使所述基板暴露于硅前驱物。5.如权利要求1所述的方法，其中所述非晶硅层具有与之间的厚度。6.如权利要求1所述的方法，其中所述直接氧化工艺包括以下步骤：将氧等离子体离子引导至所述基板的选定部分。7.如权利要求1所述的方法，其中所述热氧化工艺包括以下步骤：使所述基板暴露于氧自由基。8.一种用于形成氧化物层的方法，包括以下步骤：在基板上形成非晶硅层；和执行热自由基氧化工艺以使所述形成的非晶硅层氧化。9.如权利要求8所述的方法，其中所述基板包括晶体硅。10.如权利要求8所述的方法，进一步包括以下步骤：在所述基板上形成界面层，其中所述界面层包括氧化硅并且具有与之间的厚度。11.如权利要求8所述的方法，其中所述形成所述非晶硅层的步骤包括以下步骤：在原子层沉积(ALD)工艺或...

【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯托弗，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：