描述了一种在基板上沉积材料的方法。所述方法包括从具有第一磁体组件和第二磁体组件的第一旋转靶溅射所述材料的至少一种成分。所述第一磁体组件在面向第二旋转靶的第一方向上提供第一等离子体约束区，所述第一磁体组件的至少三个磁极面向所述第一等离子体...

揭示了用于在基板(201)上沉积用于压电应用的均匀层的方法及设备。从其中心到边缘具有均匀厚度的超薄种晶层(308)沉积在基板(201)上。与随后形成的压电材料层(312)的晶体结构紧密匹配的模板层(310)沉积在基板(201)上。种晶层...

本文提供了用于在处理腔室中使用的上反射器组件的方法和设备。在一些实施方式中，一种用于在处理腔室中使用的上反射器组件包括：反射器安装环；及上反射器板，耦接到反射器安装环，并具有上表面和下表面，其中下表面包括多个线性通道，多个线性基本彼此平...

公开一种基板处理系统，包括耦接到传送腔室的基板输入/输出腔室，以及耦接到传送腔室的一个或多个处理腔室，其中基板输入/输出腔室包括多个堆叠载体保持器，并且载体保持器中的一者包括用于在其上支撑基板的基板载体。的一者包括用于在其上支撑基板的基...

描述了一种用于处理半导体基板的方法和设备。公开了一种基板处理设备，包括：处理腔室；基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述处理腔室内；多个灯，所述多个灯布置在灯头中并靠近所述基板支撑件而定位；气源，所述气源用于在跨越所述基板支撑件的侧向流动...

本公开内容的实施方式一般而言涉及半导体处理腔室中的一或多个流量比例控制器与一或多个气体注入插入件。在一个实施方式中，装置包含第一流量比例控制器、第二流量比例控制器以及气体注入插入件，第一流量比例控制器包含第一多个流量控制器，第二流量比例...

本文描述的实施方式涉及一种用于在真空腔室中将蒸镀材料沉积在基板(10)上的蒸气源(100)。所述蒸气源(100)包括蒸气分配管道(110)，所述蒸气分配管道具有用于将蒸镀材料导向所述基板的多个喷嘴，其中所述多个喷嘴中的至少一个喷嘴(12...

所公开的实施方式描述一种集成传感器控制器，包含传感器电路及逻辑电路。该传感器电路包括用于产生驱动信号的光源驱动器，利用该驱动信号产生将被传递至多个传感器中的一者的多个输出驱动信号的解复用器，及放大器，该放大器用于从第一传感器接收第一信号...

本文提供用于移除基板污染的方法和设备。在一些实施方式中，一种多腔室处理设备包括：处理腔室，该处理腔室用于处理基板；工厂接口(FI)，该FI经由装载锁定腔室耦接至该处理腔室，该装载锁定腔室设置于该FI和该处理腔室之间；和清洁腔室，该清洁腔...

本案描述了一种用于在基板(10)上沉积蒸发的材料的蒸发源(100)。蒸发源(100)包括：用于蒸发材料的蒸发坩埚(30)；具有多个喷嘴(21)的蒸气分配器(20)，用于将蒸发的材料引导朝向基板；蒸气导管(40)在导管长度方向(A)上从蒸...

本公开内容的实施方式涉及具有一个或更多个计量特征的光学装置和光学装置计量的方法以提供计量工具位置识别，而对光学装置的光学性能的影响可忽略不计。光学装置包括一个或更多个目标特征。本文描述的目标特征提供计量工具位置识别，而对光学装置的光学性...

一种抛光垫，包括：抛光层堆叠，其具有抛光表面、底表面和从抛光表面至底表面的孔洞。抛光层堆叠包括具有抛光表面的抛光层。不透流体层铺展于孔洞和抛光垫。以第一粘合材料形成的第一粘合层与抛光层的底表面接触，且将抛光层的底表面固定至不透流体层。第...

一种发光装置包括多个发光二极管、第一子集的发光二极管的上方的第一固化成分、及第二子集的发光二极管的上方的第二固化成分。第一固化成分包括第一光聚合物及嵌入于第一光聚合物中的蓝色光致发光材料，该蓝色光致发光材料是有机材料、有机金属材料、或聚...

本公开内容的实施方式涉及光学装置膜和形成光学装置膜的方法。具体地，本文所描述的实施方式提供了一种具有恒定氧浓度、第一材料的第一浓度分布和第二材料的第二浓度分布的光学装置膜。本文所描述和提及的第一材料的第一折射率为约2.0或更大，并且第二...

本文公开了一种终点检测，所述终点检测具有光学束，所述光学束被配置为经由处理腔室的顶板发射光。光学束具有多根光纤，所述多根光纤被配置为将来自光源的光发射向基板，并且被配置为接收从基板反射的光。所述多根光纤包括第一发射光纤和第一接收光纤。第...

本技术的示例包括半导体处理方法，方法可包括从半导体处理腔室的处理区域中的沉积前驱物生成等离子体。可在第一时间段内以传输功率生成等离子体，并且其中等离子体功率是由在第一占空比操作的功率源输送。方法可进一步包含：在第一时间段之后将功率源从第...

一种设备利用具有大约400毫米的晶片到靶材距离的物理气相沉积(PVD)处理腔室在硅穿孔(TSV)结构上沉积钽膜。PVD处理腔室包括配置有双磁体源补偿的源。PVD腔室还包括：在腔室主体外部紧邻源的上方电磁体组件；源中的磁控管组件，所述磁控...

示例性基板处理系统可包括腔室主体，所述腔室主体限定传送区域。系统可包括第一盖板，所述第一盖板沿第一盖板的第一表面安置在腔室主体上。第一盖板可限定穿过第一盖板的多个孔口。系统可包括与穿过第一盖板限定的多个孔口的孔口数量相等的多个盖堆叠。系...

本文描述用于处理基板的设备。更具体地，本文描述的实施方式涉及耦接到群集工具组件的分开的预清洁工艺模块和预清洁控制模块。每个预清洁工艺模块和每个预清洁控制模块由在所述预清洁工艺模块与所述预清洁控制模块之间被配置为使电力电缆和控制电缆从中穿...

本公开内容提供了一种多重基板处置系统，该多重基板处置系统具有对准设备，该对准设备能够将一组基板中的每个基板定位成预定取向以用于传送。缓冲腔室被配置为接收并调节设置在基板载体上的该组基板。第一传送组件被配置为将该组基板传送至缓冲腔室及从缓...