公开了用于碳化硅(SiC)基板的相对表面的顺序单侧CMP处理的系统及方法。一种方法包括将基板的第一表面压靠在多个抛光垫中的一者上，其中所述多个抛光垫设置在多个可旋转抛光平台中的对应的可旋转抛光平台上。该方法包括使用终端受动器的第一侧将基...

本公开的实施例总体涉及使用双频率的顶部、侧壁和底部源在基板和腔室的盖的表面上沉积大于厚度的碳膜层的方法。方法包括将气体引导至腔室的处理空间。提供具有约40MHz或更大的第一频率的第一射频(RF)功率至腔室的盖。提供具有第二频率的第二RF...

在一些实施方式中提供了打印并处理层的方法和系统。所述层可以在晶片上或在应用面板上。之后，测量实际打印并处理的特征的位置。基于这些特征的测量差异与设计位置之间的差异，创建至少一个畸变模型。反演每个畸变模型以创建相应的校正模型。当有多个区段...

一种循环蚀刻的方法，包括：(A)在通过掩模(104)开口(108)循环蚀刻基板(100)之前，在掩模(104)、限定掩模开口(108)的掩模(104)的侧壁(116)以及基板(100)通过掩模开口(108)暴露出的暴露部分上方共形地沉积...

本发明涉及一种通过在化学气相沉积方法中使用二甲基二氯硅烷(DMS)作为硅烷源在石墨基板上沉积碳化硅(SiC)来制造涂覆SiC的主体的新的工艺。本发明的另一方面涉及可通过本发明的新的工艺获得的新的涂覆碳化硅的主体，以及涉及其用于制造以下项...

本文涉及用于结合CMP工艺的追踪数据与3D打印的CMP耗材的技术。本文提供化学机械抛光(CMP)设备及用于制造CMP设备的方法。CMP设备可包括抛光衬垫、抛光头保持环及抛光头膜等等，且可经由诸如三维(3D)打印工艺的增材制造工艺制造CM...

本文描述的实施方式一般涉及用于在沉积工艺中支撑基座的基座支撑件。所述基座支撑件包括轴杆；板，所述板具有耦合到轴杆的第一主要表面；和支撑元件，所述支撑元件从板的第二主要表面延伸。所述板可由对来自设置在板下方的多个能量源的辐射能量光学透明的...

在此描述的实施方式一般涉及具有缩减空间的处理腔室，以执行超临界干燥处理或其他相变处理。该腔室包含可移动地设置于第一轨道上的基板支撑件和可移动地设置于第二轨道上的门。基板支撑件和门可经配置以相互独立地移动，且该腔室可经配置以最小化腔室内基...

本公开内容的实施方式一般地涉及隔板、包括上述隔板的诸如电池及电容器之类的高性能电化学装置、及用于制造该隔板及装置的方法。一个实施方式中，提供一种形成用于电池的隔板的方法。该方法包括，将金属材料暴露于蒸发工艺，该金属材料待沉积于定位在处理...

提供一种基板支撑设备。该设备包含圆形底板和一个或更多个间隔器，绕着该底板的圆周设置间隔器。间隔器可从该底板的顶部表面延伸，且环形主体可耦合至间隔器。该环形主体可与该底板间隔开以界定该底板与该环形主体之间的孔隙。一个或更多个支撑柱可耦合至...

一种方法包括：从沿着输送管线定位的多个传感器接收测量数据，该输送管线将液体作为气体输送到气体面板或处理腔室的一者；使用计算机生成的模型仿真与输送管线和在输送管线周围定位的多个加热器护套相关联的一个或多个处理参数；将测量数据与一个或多个处...

本公开内容的实施方式涉及用于增强、虚拟和/或混合现实应用的光学装置。在一个或多个实施方式中，光学装置计量系统被构造为测量光学装置的多个透视(see

一种方法，所述方法包括以下步骤：在基板处理系统中相对于基板处理系统中的固定位置将机器人定位在复数个姿势中，和产生识别相对于在复数个姿势中的机器人的固定位置的传感器数据。所述方法进一步包括以下步骤：依据传感器数据来确定对应于基板处理系统的...

示例性半导体处理腔室包括气盒。腔室可以包括基板支撑件。腔室可以包括定位在气盒和基板支撑件之间的挡板。挡板可以限定多个孔。腔室可以包括定位在挡板和基板支撑件之间的面板。面板可以特征在于面向挡板的第一表面和与第一表面相对的第二表面。第二表面...

使用对于多个工艺工具的集中式控制框架执行背侧通孔显露工艺的方法和设备。在一些实施例中，一种用于执行背侧通孔显露工艺的方法可包括：由中央控制器从背侧通孔显露工艺中涉及的工艺工具接收工艺工具操作参数；从背侧通孔显露工艺中涉及的工艺工具中的至...

披露一种具有光栅结构的设备和用于形成所述设备的方法。所述光栅结构包括：使用灰阶抗蚀剂和光刻在光栅层中形成楔形结构。多个通道形成于所述光栅层中，以在所述光栅层中界定倾斜光栅结构。所述楔形结构和所述倾斜光栅结构是通过使用选择性蚀刻工艺形成的...

公开了一种组装的网格托盘，包括框架，所述框架用于保持多个基板托盘以形成用于半导体处理工具中的更大的托盘。所述框架可包括两个外框架构件，所述两个外框架构件保持一个或多个托盘，每个外框架构件都具有与磁悬浮系统一起使用的磁轨。所述框架可进一步...

公开一种用于依序施加清洁流体以用于化学机械抛光(CMP)系统的强化维护的装置及方法。一种方法包括将第一基板传送至多个抛光站中的第一抛光站，在第一抛光站处抛光第一基板，将第一基板传送至第二抛光站，及将第二基板传送至第一抛光站。该方法包括通...

本公开内容的实施方式一般涉及碳化硅涂布的基底基板、其碳化硅基板、以及形成碳化硅涂布的基底基板的方法。在一些实施方式中，一种方法包括在约800℃至小于1000℃的第一温度将第一含硅前驱物引入处理腔室，以在基底基板上形成第一碳化硅层。该方法...

本文所公开的设备关于用于在热沉积腔室(诸如外延沉积腔室)内使用的腔室主体设计。腔室主体为分段式腔室主体设计，并包括注入环和基座板。基座板包括基板传送通道和穿过其中设置的一个或多个排气通道。注入环包括穿过其中设置的多个气体注入通道。注入环...