一种使用带电粒子束装置对样品进行成像的方法，包含：确定带电粒子束装置的物镜的第一聚焦强度，第一聚焦强度适于将带电粒子束聚焦在样品的第一表面区域上；确定多个焦点子范围的第一焦点子范围，使得第一聚焦强度在第一焦点子范围内，其中多个聚焦子范围...

描述了一种用于识别基板上的线缺陷的方法，该基板具有位于基板上的显示器。所述方法包括：用第一测试确定线缺陷，所述线缺陷具有第一取向；设置用于线重新测试的线测试参数；以及测试沿第一取向被取向的一个或多个第一条带，所述一个或多个第一条带平行于...

本文中的实施方式大体涉及研磨垫及形成研磨垫的方法。在一个实施方式中，提供一种具有被配置为研磨基板的表面的研磨表面的研磨垫。研磨垫包括研磨层。研磨层的至少一部分包括研磨材料的连续相，其含有具有第一孔特征密度的多个第一区域及具有不同于第一孔...

所公开的实施描述一种方法及系统，用以执行获得代表由与执行制造操作的器件制造系统相关联的多个传感器收集的数据的多个传感器统计的简化表示的方法。所述方法进一步包括使用多个离群值检测模型产生多个离群值得分，所述多个离群值得分中的每一个使用所述...

示例性半导体处理系统可包括泵送系统，限定处理区域的腔室主体，及布置于处理区域之中的泵送衬垫。泵送衬垫可限定环状构件，由壁表征，该壁限定耦合至泵送系统的排气孔洞。环状构件可由内部壁表征，该内部壁限定沿着内部壁环绕分布的多个孔洞。气室可限定...

本文公开的多个实施方式包括具有混合模型的半导体制造工具和使用此混合模型来处理晶片和/或开发工艺配方的方法。在一个实施方式中，一种用于开发半导体制造工艺配方的方法包含选择一个或多个装置成果，和查询混合模型，以获得适于获得装置成果的工艺配方...

本申请公开了用于化学机械抛光设备的内环和承载头。用于化学机械抛光设备的示例性承载头可包括载体主体。所述承载头可包括基板安装表面，所述基板安装表面与所述载体主体耦接。所述承载头可包括内环，所述内环的大小和形状被设定为周向地包围抵靠所述基板...

在本文中描述了包括可调整高度的边缘环的装置及用于使用该装置的方法。在一个示例中，基板支撑组件包括可调整高度的边缘环，且基板支撑组件定位在处理腔室内。基板支撑组件包括静电夹盘、定位在该静电夹盘的一部分上的边缘环以及用以透过一或更多个推动销...

本公开内容提供一种使用期望材料形成用于半导体晶片的水平环绕式栅极(hGAA)结构场效应晶体管(FET)的纳米线结构的设备与方法。一个范例中，一种形成纳米线结构的方法包括将介电材料沉积在堆叠的第一侧与第二侧上。堆叠可包括重复多对的第一层与...

本文公开的实施方式一般涉及一种系统，并且更具体而言，涉及一种基板处理系统。该基板处理系统包括一个或多个冷却系统。所述冷却系统被构造为用以降低和/或控制基板处理系统的主体的温度。所述冷却系统包括用于使用气体和/或液体冷却系统冷却基板处理系...

本公开内容的多个实施方式一般涉及集成电路的制造和用于基板处理腔室内的设备以改善膜厚度均匀性。更具体地，本公开内容的多个实施方式涉及边缘环。边缘环可包括悬垂环。边缘环可包括悬垂环。边缘环可包括悬垂环。

一种包含具有保护性涂层的主体的物件。此保护性涂层是包含金属氟氧化物的薄膜。此金属氟氧化物具有实验式M

本文描述的实施方式涉及一种用于半导体处理的阀。该阀包括阀体，该阀体具有由膜片体隔开的入口导管和出口导管。膜片体包括电机、联接至电机的传动联接件、围绕固定板并由动态密封件隔开的能旋转的环、以及通过相应的能枢转的紧固件可移动地联接至能旋转的...

一种服务器包括处理器，所述处理器用以将扭矩命令供应至控制马达的放大器，所述马达驱动连杆；在所述扭矩命令中包括交变信号波，所述交变信号波用以测试马达及连杆的频率响应；根据采样率及在时间周期内以每一时间步长自放大器接收马达的瞬时扭矩值及连杆...

一种诊断盘，包括盘形主体，所述盘形主体具有升高壁和至少一个突出部，所述升高壁环绕所述盘形主体的内部，所述至少一个突出部从所述盘形主体向外延伸。所述盘形主体的所述升高壁界定所述盘形主体的空腔。非接触传感器附接至所述至少一个突出部中的每一者...

本文提供的实施例大体包括设备，例如，等离子体处理系统，以及用于对处理腔室中的基板进行等离子体处理的方法。一些实施例涉及波形产生器。波形产生器大体包括第一电压级，所述第一电压级具有：第一电压源；第一开关；以及第二开关，其中第一电压源的第一...

本文描述了用于检测处理腔室内真空泄漏的方法及设备。更具体而言，所述方法及装置关于利用光谱测量装置，如光谱测量仪，来确定当处理腔室保持在泄漏测试压力下时处理腔室内的泄漏率。光谱测量装置确定处理腔室内一或多种气体的增加速率，并可用以确定处理...

本公开内容的实施方式涉及制品、经涂布的腔室部件，以及通过保护涂层涂布腔室部件的方法，所述保护涂层包括具有选自由M1

用于形成SiBN膜的方法包含以下步骤：在基板上的特征上沉积膜。所述方法包含以下步骤：在第一循环中，使用化学气相沉积工艺于腔室中的基板上沉积SiB层，该基板上具有至少一个特征，该至少一个特征包含上表面、底表面及侧壁，而SiB层形成于上表面...

本文描述的实施方式涉及封装的光学装置及形成具有可控气隙封装的光学装置的方法。在一个实施方式中，围绕多个光学装置结构在支撑层中形成有多个开口，以在光学装置结构、支撑层、及开口之间产生高折射率对比。在另一实施方式中，牺牲材料设置在光学装置结...