在一个示例中，静电吸盘包含吸盘主体，吸盘主体具有被配置为支撑基板的顶表面和与顶表面相对的底表面。吸盘主体包含一个或多个夹持电极，以及一个或多个加热元件。吸盘主体进一步包含第一端子、第二端子与第三端子，第一端子设置在吸盘主体的底表面上并与...

本文公开了用于处理基板的方法和设备。在一些实施例中，一种在蚀刻处理腔室中处理基板的方法，包括：在第一时间段内以约200kHz至约700kHz的第一频率将RF功率从RF偏压电源脉冲传送到设置在蚀刻处理腔室的基板支撑件中的下电极，以在蚀刻处...

本公开内容的实施方式一般涉及在电子装置的制造中使用的化学机械抛光系统(CMP)系统和处理。尤其是，本文的实施方式涉及在抛光处理期间检测不合格衬底处理事件的方法。在一个实施方式中，一种处理抛光系统上的衬底的方法包括以下步骤：在存在抛光流体...

半导体处理的示例性方法可包括在半导体基板上形成非晶硅层。该非晶硅层可以由第一氢掺入量表征。方法可包括对非晶硅层执行束线离子布植工艺或等离子体掺杂工艺。方法可包括从非晶硅层移除氢直至小于第一氢掺入量的第二氢掺入量。氢掺入量。氢掺入量。

一种控制电镀系统的晶体管级的宽限电压以维持跨所述晶体管级的目标功率耗散的方法可以包括针对所述电镀系统中的负载维持所述晶体管级中的宽限电压。所述方法也可以包括：测量所述晶体管级中的瞬时功率耗散；及产生代表所述晶体管级中的所述瞬时功率耗散与...

示例处理方法可包括：形成含硅前驱物的等离子体。方法可包括：利用含硅前驱物的等离子体流出物在半导体基板上沉积可流动膜。半导体基板可限定半导体基板内的特征。方法可包括：在半导体处理腔室的处理区域内形成含氢前驱物的等离子体。可从偏压功率源将偏...

等离子体反应器包括腔室主体、气体分配口、工件支撑件、天线阵列、和AC功率源，腔室主体具有提供等离子体腔室的内部空间，气体分配口用于将处理气体输送到等离子体腔室，工件支撑件用于保持工件，天线阵列包括部分延伸到等离子体腔室中的多个单极天线，...

本公开内容描述了用于将装载锁定件整合到工厂接口占地面积空间中的装置、系统和方法。用于电子装置制造系统的工厂接口可包括内部空间、第一装载锁定件，和第一工厂接口机器人，内部空间由底部、顶部和多个侧部限定，第一装载锁定件设置在工厂接口的内部空...

本文所述的多个实施方式涉及平板光学装置和用于平板光学装置的封装材料。一个或多个实施方式包括基板，该基板具有形成于基板上的第一多个柱的第一布置。第一多个柱的第一布置包括具有高度h和横向距离d的柱。第一多个柱的第一布置包括与第一多个柱的相邻...

描述一种用于检查用于显示器制造的大面积基板的设备。所述设备包含：真空腔室；基板支撑件，布置在真空腔室中，其中基板支撑件被配置成用于支撑用于显示器制造的大面积基板；以及第一成像带电粒子束显微镜，被配置成用于产生用于检查由基板支撑件支撑的基...

本公开内容提供一种用于半导体基板抛光的固定环。固定环包括构造为接触抛光垫的底面和构造为附接到承载头的顶面。顶面包括多个螺孔和多个对准槽。顶面也包含第一插入件，第一插入件设置在多个对准槽中的第一对准槽中，第一插入件与顶面齐平或低于顶面，且...

本公开提供一种装置，包括腔室主体及盖，在其中界定容积。装置包括基板支撑件，布置于容积中与盖相对。基板支撑件包括支撑主体，布置于主干上；及接地板，布置于支撑主体与主干之间。顶部凸缘耦合至接地板的下部外周表面；且底部凸缘耦合至腔室主体的底部...

本公开的实施例总体涉及制造集成电路。更具体地，本文描述的实施例提供了用于沉积用于图案化应用的高密度膜的技术。在一个或多个实施例中，提供一种处理基板的方法并且所述方法包括将含有烃化合物和掺杂剂化合物的沉积气体流入在静电卡盘上定位有基板的处...

一种衬垫调节装置头清洁工具，具有第一夹具，构造成在第一位置处可移除地接合海绵的第一部分抵靠盘状衬垫调节装置头的外部表面；第二夹具，构造成在第二位置处可移除地接合海绵的第二部分抵靠盘状衬垫调节装置头的外部表面；和臂，将第一夹具耦接至第二夹...

一种系统包括可编程逻辑控制(PLC)模块、输入/输出(IO)网络总线，该网络总线耦接至PLC模块并设置在主机的小面处。第一处理腔室附接至所述小面的第一小面。该腔室接口IO子模块附接至第一小面并且耦接至IO网络总线及第一处理腔室的处理腔室...

本文提供了用于处理基板的方法和设备。在实施例中，用于PVD腔室中的磁控管组件包括：底板，所述底板具有第一侧、与第一侧相对的第二侧和中心轴；可旋转地耦合到底板的磁体板，其中磁体板相对于底板围绕偏移轴旋转；磁体组件，所述磁体组件耦合到偏离偏...

描述了电子装置制造系统、机器人设备和相关方法。机器人设备包括具有内侧端和外侧端的臂，内侧端被配置为绕肩轴线旋转；第一前臂，被配置为在臂的外侧端绕肘轴线相对于臂独立旋转；第一腕部部件，被配置为在与肘轴线相对的第一前臂的远端处绕第一腕轴线相...

一种化学机械抛光设备，包括：工作台，所述工作台具有顶表面以固持抛光垫；承载头，所述承载头用于在抛光工艺期间将基板固持抵靠在抛光垫的抛光表面上；温度监控系统，所述温度监控系统包括定位在工作台上方以具有工作台上的抛光垫的一部分的视野的非接触...

本公开内容的实施方式一般涉及用于增强光刻胶以具有改善的轮廓控制的方法。一种用于处理PR的方法包括：将工件定位在处理腔室的处理区域内，其中所述工件含有设置在底层上的图案化PR；通过将所述工件暴露于顺序浸渗合成工艺来处理所述图案化PR以产生...

一种系统包括具有多个关节及一或多个终端受动器以承载基板的机械臂。处理装置在机械臂的关节空间内确定用于完整移动的一或多个终端受动器的开始/结束点。处理装置在多个关节及一或多个终端受动器的关节空间中构建满足笛卡尔限制的可到达位置及在可到达位...