半导体处理腔室中的RF频率控制与接地路径返回制造技术

本文公开了用于处理基板的方法和设备。在一些实施例中，一种在蚀刻处理腔室中处理基板的方法，包括：在第一时间段内以约200kHz至约700kHz的第一频率将RF功率从RF偏压电源脉冲传送到设置在蚀刻处理腔室的基板支撑件中的下电极，以在蚀刻处理腔室的处理体积中产生等离子体，其中电导衬垫围绕处理体积以为蚀刻处理腔室的上电极提供接地路径；以及在第一时间段内以约2MHz到约13.56MHz的第二频率将RF功率从RF偏压电源脉冲传送到下电极。率从RF偏压电源脉冲传送到下电极。率从RF偏压电源脉冲传送到下电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体处理腔室中的RF频率控制与接地路径返回


[0001]本公开内容的实施例大体涉及半导体处理装备。相关技术说明
[0002]半导体器件制造中使用的沉积和蚀刻腔室需要为处理的每个基板产生一致且均匀的结果。为了进一步增强处理，可在材料的沉积和蚀刻两者中使用等离子体。可通过电感耦合或电容耦合生成等离子体。在电容耦合等离子体腔室中，电导衬垫用于容纳在腔室的处理体积中生成的等离子体并提供RF接地返回路径。不受约束的等离子体会导致蚀刻副产物沉积在腔室壁上，并且还会蚀刻腔室壁。蚀刻副产物在腔室壁上的沉积可能导致工艺漂移。电导衬垫大致围绕处理体积，除了被基板传送槽中断的地方以外。基板传送槽允许机械臂将基板放入和取出等离子体腔室的处理体积。专利技术人还观察到，基板传送槽的存在会干扰处理过程中基板上沉积的均匀性。
[0003]因此，专利技术人提供了提高基板上沉积均匀性的改进方法和设备。

技术实现思路

[0004]本文提供了用于处理基板的方法和设备。在一些实施例中，一种在蚀刻处理腔室中处理基板的方法，包括：在第一时间段内以约200kHz至约700k本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种在蚀刻处理腔室中处理基板的方法，包括：在第一时间段内以约200kHz至约700kHz的第一频率将RF功率从RF偏压电源脉冲传送到设置在所述蚀刻处理腔室的基板支撑件中的下电极，以在所述蚀刻处理腔室的处理体积中产生等离子体，其中电导衬垫围绕所述处理体积以为所述蚀刻处理腔室的上电极提供接地路径；以及在所述第一时间段内以约2MHz到约13.56MHz的第二频率将RF功率从所述RF偏压电源脉冲传送到所述下电极。2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述第一时间段内以约13.56MHz到约120MHz的第三频率将RF功率从所述RF偏压电源脉冲传送到所述下电极。3.如权利要求2所述的方法，其中所述第一频率、所述第二频率和所述第三频率中的至少两者是同步脉冲的。4.如权利要求2所述的方法，其中所述第三频率是约40MHz。5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一频率是约400kHz。6.如权利要求1所述的方法，其中所述第二频率是约2MHz。7.如权利要求1所述的方法，其中所述第一时间段与所述第一频率和所述第二频率中的至少一者的脉冲持续时间一致。8.如权利要求1至7中任一项所述的方法，进一步包括：在垂直方向上移动所述电导衬垫的可移动部分，以在将RF功率从所述RF偏压电源脉冲传送之前利用所述电导衬垫的固定部分来密封所述可移动部分，以将等离子体约束在其中。9.如权利要求8所述的方法，进一步包括：在垂直方向上移动所述电导衬垫的所述可移动部分，以将所述可移动部分与所述固定部分分开，以促进将基板移入或移出所述处理体积。10.一种蚀刻处理腔室，包括：处理腔室，所述处理腔室中具有处理体积；电导衬垫，所述电导衬垫围绕所述处理体积，所述电导衬垫具有C形轮廓；以及基板支撑组件，所述基板支撑组件设置在所述处理体积中，其中所述基板支撑组件包括耦合至电源的静电吸盘组件和耦合至RF偏压电源的下电极，以对所述基板支撑组件同时以两个或更多个频率提供RF功率。11.如权利要求10所述的蚀刻处理腔室，其中所述电导衬垫包括：至少一个固定部分；可移动部分，所述可移动部分被配置为暴露在所述处理腔室的壁中的基板传送槽；...

【专利技术属性】
技术研发人员：T，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：