【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于非晶硅中减少氢掺入的离子布植
相关申请的交叉引用
[0001]本申请主张2020年7月21日提交的题为“用于非晶硅中减少氢掺入的离子布植(ION IMPLANTATION FOR REDUCED HYDROGEN INCORPORATION IN AMORPHOUS SILICON)”的美国专利申请第63/054,320号的优先权，该申请以引用方式全文并入。
[0002]本专利技术技术涉及用于半导体处理的方法及系统。更具体而言，本专利技术技术涉及用于产生具有减小的氢含量的膜的系统及方法。
技术介绍
[0003]通过在基板表面上产生复杂图案化的材料层的工艺，使得集成电路成为可能。在基板上产生经图案化的材料需要用于形成及移除材料的受控方法。随着器件大小持续减小，膜特性可能会对器件性能产生更大影响。用以形成材料层的材料可能影响所产生器件的操作特性。随着材料厚度持续减小，膜的已沉积的特性可能对器件性能有更大影响。
[0004]因此，需要可用以产生高质量器件及结构的改良系统及方法。通过本专利技术技术来解决这
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体处理方法，包括以下步骤：在半导体基板上形成非晶硅层，其中所述非晶硅层由第一氢掺入量表征；对所述非晶硅层执行离子布植工艺；及从所述非晶硅层移除氢直至小于所述第一氢掺入量的第二氢掺入量。2.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中在所述半导体处理方法期间将所述半导体基板维持在低于或约450℃的温度下。3.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述离子布植工艺是在大于或约300℃的温度下执行。4.如权利要求3所述的半导体处理方法，其中所述离子布植工艺是用氦、氖、氩或硅离子进行的。5.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述离子布植工艺包括束线离子布植工艺或等离子体掺杂布植工艺。6.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中所述第二氢掺入量小于或约1原子％。7.一种半导体处理方法，包括以下步骤：在半导体基板上形成薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管包括由第一氢掺入量表征的非晶硅层；将所述半导体基板移送至束线离子布植腔室或等离子体掺杂腔室；对所述薄膜晶体管执行束线离子布植或等离子体掺杂工艺；及将来自所述非晶硅层的氢量减小至小于所述第一氢掺入量的第二氢掺入量。8.如权利要求7所述的半导体处理方法，其中所述薄膜晶体管包括多层堆叠，所述多层堆叠包括所述非晶硅层以及一或更多层掺杂的或未掺杂的非晶硅。9.如权利要求8所述的半导体处理方法，其中所述多层堆叠包括至少一层掺杂非晶硅，且其中所述掺杂非晶硅的掺杂剂包括磷、硼或砷中的一者或更多者。10.如权利要求7所述的半导体处理方法，其中所述薄膜晶体管由大于或约100nm的厚度表征。11.如权利要求7所述的半导体处理方法，其中所述非晶硅层是在小于或约500℃的温度下形成，且其中所述束线离子布...
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