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半导体处理的示例性方法可包括在半导体基板上形成非晶硅层。该非晶硅层可以由第一氢掺入量表征。方法可包括对非晶硅层执行束线离子布植工艺或等离子体掺杂工艺。方法可包括从非晶硅层移除氢直至小于第一氢掺入量的第二氢掺入量。氢掺入量。氢掺入量。
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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