晶圆保护胶带制造技术

本发明专利技术涉及晶圆保护胶带，其特征在于，包括：离型层；软质粘结层，配置在上述离型层上；以及硬质层，配置在上述软质粘结层上，包括高分子树脂及着色剂，上述晶圆保护胶带满足如下式1：0％≤

【技术实现步骤摘要】
晶圆保护胶带


[0001]本专利技术涉及晶圆保护胶带。更具体地，本专利技术涉及如下的晶圆保护胶带，即，可代替环氧密封剂起到保护半导体芯片的作用并实现薄型化及降低成本。

技术介绍

[0002]最近，随着对半导体设备和其封装的薄型化及小型化的需求逐渐增加，对于半导体设备及其封装广泛使用以半导体芯片的焊盘与基板的电路图案相向的方式在基板固定半导体芯片的倒装芯片焊接方法。
[0003]以下，参照附图，对现有的芯片尺寸半导体封装进行说明。
[0004]图1为示出现有的芯片尺寸半导体封装的剖视图。
[0005]如图1所示，现有的芯片尺寸半导体封装1包括：基板10；至少一个半导体芯片20，安装在基板10上；环氧密封剂40，用于密封基板10的上表面及半导体芯片20。
[0006]其中，在基板10配置有电路图案12，在半导体芯片20配置有焊盘22。作为一例，基板10的电路图案12和半导体芯片20的焊盘22经由凸点30实现电连接，可通过填充在基板10与半导体芯片20之间的填充部件35实现物理连接的倒装芯片焊接。<br/>[0007]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆保护胶带，其特征在于，包括：离型层；软质粘结层，配置在上述离型层上；以及硬质层，配置在上述软质粘结层上，包含高分子树脂及着色剂，上述晶圆保护胶带满足如下式1：式1：0％≤
│
A+B
│
≤1.0％，在上述式1中，A表示将上述晶圆保护胶带在150℃的温度条件下加热1小时后的长度方向上的变化率(％)，B表示将上述晶圆保护胶带在150℃的温度条件下加热1小时后的宽度方向上的变化率(％)。2.根据权利要求1所述的晶圆保护胶带，其特征在于，上述离型层的厚度为25μm～50μm，上述软质粘结层的厚度为10μm～50μm，上述硬质层的厚度为10μm～50μm。3.根据权利要求1所述的晶圆保护胶带，其特征在于，上述硬质层包含90重量百分比～95重量百分比的上述高分子树脂及5重量百分比～10重量百分比的着色剂。4.根据权利要求3所述的晶圆保护胶带，其特征在于，上述高分子树脂包含选自由聚酰亚胺、聚醚醚酮及聚萘二甲酸乙二醇酯中的一种以上。5.根据权利要求3所述的晶圆保护胶带，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹勤泳，金晓临，赵炯睃，赵泳奭，崔裁原，
申请(专利权)人：利诺士尖端材料有限公司，
类型：发明
国别省市：