场效应晶体管形成方法、电性能参数调节方法及结构技术

本申请实施例公开了一种场效应晶体管形成方法、电性能参数调节方法及结构。该形成方法包括：提供半导体衬底并对半导体衬底进行离子注入，形成有源区；在半导体衬底表面形成栅极结构；在栅极结构的两侧注入两种以上离子形成浅掺杂区；两种以上离子包含氟离子；对半导体衬底进行退火处理。另外，该形成方法还包括：根据场效应晶体管阈值电压或开态电流的调节量，确定氟离子的注入剂量。本申请通过在场效应晶体管浅掺杂区注入氟离子，实现了使用一道离子注入工艺，达到场效应晶体管电性能调节的目的。目的。目的。

【技术实现步骤摘要】
场效应晶体管形成方法、电性能参数调节方法及结构


[0001]本申请涉及半导体工艺
，更具体地，涉及一种场效应晶体管形成方法、电性能参数调节方法及结构。

技术介绍

[0002]在半导体生产领域，金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET)作为半导体制造工艺中最常用的器件，其主要结构的生成主要是通过离子注入的方式。
[0003]为了调节场效应晶体管的电性能参数，通常需要两道离子注入工艺来调节，生产成本较高。另一方面，低阈值电压型场效应晶体管和非低阈值电压型场效应晶体管在共用一道光罩进行电性能调节时，如果使用浅掺杂区结合halo区离子注入的方式调节，两种器件的电性能会同时漂移。

技术实现思路

[0004]鉴于此，本申请实施例的目的是提供一种场效应晶体管形成方法、电性能参数调节方法及结构，以缓解现有的技术问题。
[0005]根据一些实施例，本申请第一方面提供了一种场效应晶体管形成方法，包括：提供半导体衬底并对半导体衬本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种场效应晶体管形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底并对所述半导体衬底进行离子注入，形成有源区；在所述半导体衬底表面形成栅极结构；在所述栅极结构的两侧注入两种以上离子形成浅掺杂区；所述的两种以上离子包含氟离子；对所述半导体衬底进行退火处理。2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述浅掺杂区注入氟离子的工艺参数，包括：注入的剂量范围为1E14～1E16atom/cm2，注入的能量范围为5KeV～20KeV，注入的倾斜角度范围为5度～60度。3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，还包括：根据所述场效应晶体管的阈值电压或开态电流的调节量，确定氟离子的注入剂量。4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述栅极结构的两侧注入离子形成halo区。5.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，在所述halo区注入氟离子。6.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述氟离子的注入深度，大于所述浅掺杂区除氟离子外其它离子的注入深度。7.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述的退火处理的退火温度为1000℃
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1200℃，持续时间为9s
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12s。8.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张书浩，陈海波，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：