光刻后离子注入的方法技术

本申请公开了一种光刻后离子注入的方法，包括：进行第一次离子注入，第一次离子注入用于去除衬底上在显影过程中产生的电荷，衬底上通过光刻工艺覆盖有光阻，暴露出需要进行离子注入的区域；进行第二次离子注入，第二次离子注入用于对衬底上暴露的区域进行掺杂。本申请通过在对衬底进行光刻曝光后，进行第一次离子注入以去除光阻在显影过程中产生的电荷，再通过第二次注入进行掺杂，从而避免了光阻表面的电荷对掺杂所带来的影响，在一定程度上提高了器件的可靠性和良率。器件的可靠性和良率。器件的可靠性和良率。

【技术实现步骤摘要】
光刻后离子注入的方法


[0001]本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种光刻后离子注入的方法。

技术介绍

[0002]光刻(photolithography)工艺是半导体制造中的一个重要步骤，其利用曝光和显影在光阻上刻画图形结构，后续可通过刻蚀工艺将掩模板上的图形转移到所在衬底上，或进行离子注入将杂质掺入暴露的区域中。
[0003]通常，在进行显影后，由于光阻和显影液不断摩擦，衬底表面经常会存在大量的电荷，电荷的平均压差约为0.5伏特(V)至5伏特，在某些器件产品的制造中，衬底上最高压差甚至达到35伏特左右，若不能将电荷正常导走，会严重影响后续的离子注入，降低器件的可靠性和良率。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种光刻后离子注入的方法，可以解决相关技术中提供的光刻后的离子注入由于显影过程中光阻和显影液摩擦所生成的电荷对离子注入产生影响从而降低器件的可靠性和良率的问题，该方法包括：
[0005]进行第一次离子注入，所述第一次离子注入用于去除衬底上在显影过程中产生的电荷，所述衬底上通过光刻工艺覆盖有光阻，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻后离子注入的方法，其特征在于，包括：进行第一次离子注入，所述第一次离子注入用于去除衬底上在显影过程中产生的电荷，所述衬底上通过光刻工艺覆盖有光阻，暴露出需要进行离子注入的区域；进行第二次离子注入，所述第二次离子注入用于对衬底上暴露的区域进行掺杂。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次离子注入的剂量小于所述第二次离子注入的剂量。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一次离子注入的剂量为A
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【专利技术属性】
技术研发人员：邢万里，张广冰，高飞，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：