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本申请公开了一种光刻后离子注入的方法，包括：进行第一次离子注入，第一次离子注入用于去除衬底上在显影过程中产生的电荷，衬底上通过光刻工艺覆盖有光阻，暴露出需要进行离子注入的区域；进行第二次离子注入，第二次离子注入用于对衬底上暴露的区域进行掺杂...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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