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本申请实施例公开了一种场效应晶体管形成方法、电性能参数调节方法及结构。该形成方法包括：提供半导体衬底并对半导体衬底进行离子注入，形成有源区；在半导体衬底表面形成栅极结构；在栅极结构的两侧注入两种以上离子形成浅掺杂区；两种以上离子包含氟离子；...
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