用于物理气相沉积（PVD）的多半径磁控管及其使用方法技术

本文提供了用于处理基板的方法和设备。在实施例中，用于PVD腔室中的磁控管组件包括：底板，所述底板具有第一侧、与第一侧相对的第二侧和中心轴；可旋转地耦合到底板的磁体板，其中磁体板相对于底板围绕偏移轴旋转；磁体组件，所述磁体组件耦合到偏离偏移轴的磁体板，并被配置为围绕中心轴和偏移轴旋转；第一电动机，所述第一电动机耦合到底板以围绕中心轴旋转磁体组件；以及第二电动机，所述第二电动机耦合到磁体板以控制所述磁体板的角位置，并将磁体组件定位在限定多个不同固定半径的多个固定角位置中的每一者中。固定角位置中的每一者中。固定角位置中的每一者中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于物理气相沉积(PVD)的多半径磁控管及其使用方法


[0001]本公开内容的实施例总体上涉及基板处理设备。

技术介绍

[0002]半导体器件总体上作为集成电路被制造在基板上，各种导电层相互连接以促进器件内的信号的传播。在一些情况下，器件通过通孔或电连接互连，通孔或电连接通过集成电路的不同层来提供连接。在硅材料中形成的通孔被称为硅通孔(through silicon via；TSV)。随着电路的复杂性增加，半导体结构的尺寸减小，每个给定区域内允许有更多的结构。越来越多的层也被并入以增加集成电路的密度。高密度迫使硅通孔直径变小，同时层数的增加要求硅通孔的深度显著增加。专利技术人已经发现，由于硅通孔的小直径尺寸和增加的深度，在物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)室中，诸如铜或钽之类的阻挡层材料不能被均匀地溅射在硅通孔的侧面和底部上。
[0003]因此，本专利技术人提供了改进的PVD腔室，以在高深宽比的TSV结构上均匀地沉积材料。

技术实现思路

[0004]本文提供了用于在PVD腔室中处理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于PVD腔室的磁控管组件，包括：底板，所述底板具有第一侧、与所述第一侧相对的第二侧和中心轴；磁体板，所述磁体板在所述底板的所述第一侧上能旋转地耦合到所述底板，其中所述磁体板相对于所述底板围绕偏移轴旋转；磁体组件，所述磁体组件耦合到偏离所述偏移轴的所述磁体板，并且被配置为围绕所述中心轴和所述偏移轴旋转；第一电动机，所述第一电动机耦合到所述底板以围绕所述中心轴旋转所述磁体组件；以及第二电动机，所述第二电动机耦合到所述磁体板，以控制所述磁体板的角位置，并将所述磁体组件定位在限定多个不同固定半径的多个固定角位置中的每一者中，其中所述磁体组件被配置成在所述多个固定半径中的每一者处绕所述中心轴旋转360度。2.如权利要求1所述的磁控管组件，其中所述磁体组件被配置成从零度位置绕所述偏移轴旋转约180度，以将所述磁体组件定位在所述多个不同固定半径中的每一者处。3.如权利要求1所述的磁控管组件，进一步包括围绕所述中心轴与所述磁体板相对地耦接到所述底板的配重。4.如权利要求1所述的磁控管组件，进一步包括围绕所述偏移轴在与所述磁体组件相对的一侧耦接到所述磁体板的配重。5.如权利要求1所述的磁控管组件，其中，当所述磁体组件相对于所述偏移轴与位置传感器成约180度角设置时，所述磁体组件设置在第一固定半径处，所述第一固定半径对应于所述磁体组件相对于所述中心轴的径向最内侧位置。6.如权利要求1至5中任一项所述的磁控管组件，其中所述多个不同的固定半径包括约1.5英寸至约2.6英寸的第一固定半径、约2.6英寸至约3.5英寸的第二固定半径、约3.5英寸至约4.5英寸的第三固定半径、约4.5英寸至约5.5英寸的第四固定半径和约5.9英寸至约7.5英寸的第五固定半径。7.如权利要求1至5中任一项所述的磁控管组件，其中所述中心轴与所述偏移轴之间的距离为约4.0英寸至约5.0英寸。8.如权利要求1至5中任一项所述的磁控管组件，其中所述偏移轴与磁性组件的中心之间的距离为约2.0英寸至约3.0英寸。9.一种在基板上沉积金属膜的方法，包括：将磁体组件定位在物理气相沉积(PVD)室中相对于靶的中心轴的第一固定半径处；在相对于所述中心轴以所述第一固定半径在第一时间段内旋转所述磁体组件时，将金属膜沉积到与所述PVD腔室中的所述靶相对地设置的所述基板上；通过围绕偏移轴旋转所述磁体组件，将所述磁体组件定位在相对于所述中心轴的第二固定半径处；以及在相对于所述中心轴以所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋佼，A，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：