【技术实现步骤摘要】
一种旋转靶材
[0001]本技术属于磁控溅射靶材领域,具体是涉及到一种旋转靶材。
技术介绍
[0002]常规的磁控溅射用的旋转靶材,一般采用内外径整体统一的直筒结构(例如专利CN201620193858.9
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绑定式磁控溅射旋转靶材)。该结构随着溅射过程的进行,旋转靶材在靠近靶材两端的位置会出现明显的过刻蚀区域,过刻蚀区域的残靶厚度显著小于残靶的平均厚度。过刻蚀区域的残靶厚度限制了靶材的寿命和材料利用率。
技术实现思路
[0003]本技术要解决的技术问题是提供一种同时保证靶材材料利用率、磁场强度和磁场均匀性的旋转靶材。
[0004]本技术提供一种旋转靶材,包括靶管,所述靶管包括圆筒部Ⅰ和设置在圆筒部Ⅰ两端的圆筒部Ⅱ,所述圆筒部Ⅰ和圆筒部Ⅱ的外径一致,所述圆筒部Ⅰ的内径小于所述圆筒部Ⅱ的内径。
[0005]更进一步地,所述圆筒部Ⅰ和圆筒部Ⅱ连接处的内壁平滑过渡。
[0006]更进一步地,本技术还包括背管,所述背管的外壁与所述靶管的内壁适配。
[0007]更进一步地, ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种旋转靶材,其特征是,包括靶管(1),所述靶管(1)包括圆筒部Ⅰ(11)和设置在圆筒部Ⅰ(11)两端的圆筒部Ⅱ(12),所述圆筒部Ⅰ(11)和圆筒部Ⅱ(12)的外径一致,所述圆筒部Ⅰ(11)的内径小于所述圆筒部Ⅱ(12)的内径。2.如权利要求1所述的旋转靶材,其特征是,所述圆筒部Ⅰ(11)和圆筒部Ⅱ(12)连接处的内壁平滑过渡。3.如权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员:来华杭,王正安,郭峰,刘杰,麻春雷,
申请(专利权)人:杭纳半导体装备杭州有限公司,
类型:新型
国别省市:
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