一种用于实现Taiko工艺的磁控溅射设备制造技术

本发明专利技术公开了一种用于实现Taiko工艺的磁控溅射设备，涉及晶圆加工技术领域。磁控溅射设备包括：真空腔体，用于进行Taiko工艺；基座，设置在真空腔体内，在进行Taiko工艺时基座的顶部与待处理晶圆的正面相对；支撑件，设置在基座与待处理晶圆的正面之间，支撑件具有预设高度；气体供应系统，包括气路和惰性气体源，气路的进口与惰性气体源连通，气路的出口与所待处理晶圆的正面连通，在进行Taiko工艺时惰性气体源受控地释放具有预设压力的惰性气体，惰性气体形成的气流作用于晶圆的正面而与晶圆的背面形成压力差，以使待处理晶圆的形变量与预设高度适配。通过本发明专利技术可以避免晶圆的正面与基座接触，既能够减少设备成本又能够提高产品的良率。品的良率。品的良率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于实现Taiko工艺的磁控溅射设备


[0001]本专利技术涉及晶圆加工
，特别是涉及一种用于实现Taiko工艺的磁控溅射设备。

技术介绍

[0002]基于物理气相沉积技术的磁控溅射设备，在晶圆制造过程中，需要在晶圆背面溅射AL、TI、Ni、Ag等金属，为了降低器件热阻、提高工作散热、冷却能力以及便于封装，需要进行晶圆背面的减薄，通常减薄至50μm～100μm。目前常用的减薄工艺是太鼓(Taiko)工艺，在对晶片进行研削时，Taiko工艺将保留晶片外围的边缘部分(约3mm左右)，只对圆内进行研削薄型化，通过在晶片外围留边，形成Taiko环，减少晶片翘曲，提高晶片强度。在Taiko工艺过程中，晶圆的正面与基座相对，背面朝上，在正面与基座之间一般会设置顶针，使晶圆与基座之间具有一定的距离，以避免正面与基座接触而导致晶圆报废，而为了保证晶圆与基座之间的热交换，要求该距离越小越好。但在进行Taiko工艺时仍然会不可避免地造成晶圆减薄区域发生一些形变，在一些情况下，晶圆的形变量常常会超过晶圆与基座之间的距离，这会导致晶圆的正面与基座接触，从而使得晶圆报废。

技术实现思路

[0003]为解决上述技术问题，本申请提供一种用于实现Taiko工艺的磁控溅射设备。
[0004]本专利技术提供了如下方案：
[0005]一种用于实现Taiko工艺的磁控溅射设备，包括：
[0006]真空腔体，用于进行Taiko工艺；
[0007]基座，设置在所述真空腔体内，在进行所述Taiko工艺时所述基座的顶部与待处理晶圆的正面相对，且所述基座的顶部与所述待处理晶圆的正面之间具有密封腔体；
[0008]支撑件，设置在所述基座与所述待处理晶圆的正面之间，所述支撑件具有预设高度；
[0009]气体供应系统，包括气路和惰性气体源，所述气路的进口与所述惰性气体源连通，所述气路的出口与所述待处理晶圆的正面连通，在进行所述Taiko工艺时所述惰性气体源受控地释放具有预设压力的惰性气体，所述惰性气体形成的气流作用于所述待处理晶圆的正面而与所述待处理晶圆的背面形成压力差，以使所述待处理晶圆的形变量与所述预设高度适配。
[0010]可选地，所述预设压力为200mt～10000mt之间的任意一值，所述真空腔体的真空度为小于10mt的任意一值。
[0011]可选地，所述惰性气体包括氩气。
[0012]可选地，所述基座上开设有贯通孔，所述贯通孔与所述气路的出口连通。
[0013]可选地，所述贯通孔的数量为一个或多个，且所有所述贯通孔均设置在所述基座对应于所述待处理晶圆的中间的位置上。
[0014]可选地，所述支撑件为环状，且所述支撑件环设在所述贯通孔的外侧，所述支撑件、所述待处理晶圆的正面以及所述基座的顶部之间形成所述密封腔体。
[0015]可选地，环状的所述支撑件对应的设置在所述待处理晶圆的边缘。
[0016]可选地，所述支撑件包括多个高度相同的凸起，多个所述凸起间隔地均布在所述基座上。
[0017]可选地，所述预设高度为大于零且小于或等于6mm之间的任意一值。
[0018]可选地，所述支撑件固定在所述基座上。
[0019]根据本专利技术提供的具体实施例，本专利技术公开了以下技术效果：
[0020]本专利技术提供的用于实现Taiko工艺的磁控溅射设备，通过气体供应系统为待处理晶圆的正面提供气体压力，在进行Taiko工艺时可以改变待处理晶圆的形变量，可以在不更换支撑件的情况下，避免待处理晶圆的正面与基座接触，既能够减少设备成本又能够提高产品的良率。
[0021]进一步地，所述贯通孔设置在所述基座对应于所述待处理晶圆的中心的位置上，以使所述待处理晶圆受力均匀，保持水平布置。并且待处理晶圆的中心位置通常是形变量最大的位置，也即待处理晶圆的正面中最有可能与基座接触的位置，将气流设置在这个位置上，可以最大程度的避免待处理晶圆的正面与基座接触。
[0022]当然，本专利技术的实施例并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1是本专利技术一个实施例提供的用于实现Taiko工艺的磁控溅射设备的结构简图。
具体实施方式
[0025]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0026]需要说明的是，本专利技术关于“左”、“右”、“左侧”、“右侧”、“上部”、“下部”“顶部”“底部”等方向上的描述均是基于附图所示的方位或位置的关系定义的，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所述的结构必须以特定的方位构造和操作，因此，不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0027]在本专利技术的描述中，除非另有明确规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0028]针对上述
技术介绍
提出的技术问题，本申请提供一种用于实现Taiko工艺的磁控溅射设备，适用于绝大部分的taiko wafer及减薄片，减薄厚度一般在200μm以内。如图1所示，本申请提供的磁控溅射设备一般性地包括：真空腔体100、基座200、支撑件300和气体供应系统。
[0029]具体地，所述真空腔体100用于进行Taiko工艺，在进行Taiko工艺时所述真空腔体100内为真空环境，不可避免地是所述磁控溅射设备还包括真空泵，以为所述真空腔体100提供真空环境。当然，可以理解的是，所述磁控溅射设备还可以包括加热机构和激光器等部件，以实现溅射等工艺。
[0030]具体地，所述基座200设置在所述真空腔体100内，在进行所述Taiko工艺时所述基座200的顶部与待处理晶圆500的正面相对，背面朝上以通过Taiko工艺对待处理晶圆500的背面进行减薄。所述基座200的顶部与所述待处理晶圆500的正面之间具有密封腔体。
[0031]具体地，所述支撑件300设置在所述基座200与所述待处理晶圆500的正面之间，所述支撑件300具有预设高度。需要特别说明的是，所述预设高度可以依据经验设定，该经验可以来源于待处理晶圆500以往的形变量。
[0032]具体地，所述气体供应系统包括气路410和惰性气体源，所述气路41本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于实现Taiko工艺的磁控溅射设备，其特征在于，包括：真空腔体，用于进行Taiko工艺；基座，设置在所述真空腔体内，在进行所述Taiko工艺时所述基座的顶部与待处理晶圆的正面相对，且所述基座的顶部与所述待处理晶圆的正面之间具有密封腔体；支撑件，设置在所述基座与所述待处理晶圆的正面之间，所述支撑件具有预设高度；气体供应系统，包括气路和惰性气体源，所述气路的进口与所述惰性气体源连通，所述气路的出口与所述待处理晶圆的正面连通，在进行所述Taiko工艺时所述惰性气体源受控地释放具有预设压力的惰性气体，所述惰性气体形成的气流作用于所述待处理晶圆的正面而与所述待处理晶圆的背面形成压力差，以使所述待处理晶圆的形变量与所述预设高度适配。2.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述预设压力为200mt～10000mt之间的任意一值，所述真空腔体的真空度为小于10mt的任意一值。3.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述惰性气体包...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋永辉，史鹏，
申请(专利权)人：无锡尚积半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：