本申请公开了一种磁控溅射晶圆处理装置，包括反应内腔、载台、加热机构、第一升降机构、靶材、下遮件和上遮件，反应内腔包括上腔体、下腔体和第二升降机构，上腔体中设有第一冷却通道，载台中设有第二冷却通道；通过上遮件和下遮件配合，能够全面地阻止金...

本发明提供一种用于刻蚀中的多功能机械手，包括：上臂；罩壳，设置在上臂下侧的一端、与上臂之间形成冷却腔室，所述罩壳底部设置与冷却腔室连通的进气口，所述罩壳侧部设置与冷却腔室连通的排气口；转轴，旋转密封连接于上臂，所述转轴的两端分别连接扇叶...

本发明提出了一种化合物薄膜方阻的线性高精度调控方法，包括：通过高精度气体流量控制装置向磁控溅射真空腔体内通入预设流量的氩气和氮气；通过控制反应气压控制装置调节腔体内的反应压力和气体浓度；调节腔体内的反应压力的过程为：控制反应气压控制装置...

本申请公开了一种晶圆预处理方法及晶圆预处理装置，晶圆预处理方法包括升温步骤、降温步骤和自清洁步骤，升温步骤能够加热晶圆、实现对晶圆的去杂或者调温，降温步骤能够冷却晶圆、实现对晶圆的调温，自清洁步骤能够清洁反应腔、清除残余污染物；晶圆预处...

本申请公开了一种晶圆供应设备，包括上料装置、预处理装置和传输装置，处理装置包括反应腔，反应腔上设有第一进出口和第二进出口，传输装置能够依次穿过第二进出口和第一进出口、取得上料装置中的晶圆，预处理装置设于传输装置取料、送料的必经路径上，相...

本发明提供一种PVD提高金属膜回流效率的装置，包括溅射腔、升降载台部、副腔、盖件；溅射腔用于晶圆覆膜；升降载台部包括能够沿竖直方向升降的晶圆加热载台、位于晶圆加热载台顶部的静电吸附件、贯穿所述晶圆加热载台和静电吸附件的气路；副腔位于溅射...

本发明公开了一种Etch设备自动监控和故障解决方法及系统，属于半导体制造技术领域。方法包括：设备调试监控步骤、工艺调试监控步骤、生产制成监控步骤、故障排除步骤。本发明能够24小时全方位监控每一台刻蚀设备，并与UI系统连接以自动解决Etc...

本申请公开了一种半导体加工腔体，包括：载片台、加热组件、匀热板、降温组件、温度测试器和控制器；载片台用于承载待处理物品；加热组件与载片台之间设有匀热板，匀热板与温度测试器连接，温度测试器用于检测匀热板的温度；温度测试器与控制器连接，控制...

本申请公开了一种晶圆镀膜前处理装置，包括干燥腔、加热腔和加热装置，加热装置能够加热加热腔和干燥腔；还包括气循环装置、第一吹气装置和第二吹气装置，加热装置还能够加热气循环装置输送的气体，加热过的气体能够通过第一吹气装置吹向晶圆的正面、并能...

本发明提供一种Bosch刻蚀工艺后处理工艺，晶圆的正面经Bosch刻蚀工艺刻有孔；包括以下步骤：步骤S1，微刻蚀，将经过Bosch刻蚀工艺处理后的晶圆放入刻蚀设备中进行电感耦合等离子体刻蚀，以消除侧壁尖部，同时去除所述晶圆表面的污染物及...

本发明提供一种提升二氧化钒薄膜均匀性的装置，包括：内胆，所述内胆内包括工作空间，所述内胆上设有若干连接孔，若干所述连接孔沿周向间隔设置；第一壳体，套设在所述内胆的外壁上，所述第一壳体内部设有气路；气体分流器，包括若干气管，任一气管穿过一...

本发明提供一种PVD设备中的磁性模组，包括：第一磁体组件，包括分布于第一磁体组件内圈的若干个第一磁极和分布于第一磁体组件外圈的若干个第二磁极；所述第一磁极和第二磁极极性相反，且均朝向阴极靶材方向；驱动组件，与第一磁体组件偏心连接，用于驱...

本申请公开了一种晶圆刻蚀温度控制系统，包括作业腔室

本申请公开了一种

本发明提供一种异型靶材，包括：平面主部，所述平面主部用于与基片相对而设；倾斜辅部，所述倾斜辅部自平面主部的边缘向外延伸，并朝向基片方向倾斜设置，所述倾斜辅部与平面主部之间的夹角为5°

本申请公开了一种

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本申请公开了一种两级扩散射频装置及晶圆刻蚀设备，包括一级线圈和二级线圈

本发明提供一种二氧化钒薄膜及其制备方法，所述二氧化钒薄膜为在晶圆上依次交替溅射具有不同氧化态的氧化钒层后得到，所述氧化钒层包括氧化钒富氧层和氧化钒缺氧层；其中，所述氧化钒富氧层的通式为