【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于磁控溅射领域，尤其涉及一种提升二氧化钒薄膜均匀性的装置。
技术介绍
1、目前，二氧化钒薄膜已成为智能玻璃、太赫兹材料与功能器件方面的一个研究热点。在二氧化钒薄膜的常用制备方法中，反应磁控溅射法优点颇多，沉积速率快、成膜质量高、相变性能好，易于大规模生产。然而，在反应磁控溅射法中，氧气通常是直接通入或通过通氧环通入磁控溅射腔体，该方式使得氧气进入腔体时分布不均匀、不合理，导致生长出来的二氧化钒薄膜均匀性难以调整，影响二氧化钒的性能。
技术实现思路
1、为解决现有技术中的至少一个技术问题，提供一种提升二氧化钒薄膜均匀性的装置，提高气体输入的均匀性。为实现以上技术目的，本专利技术实施例采用的技术方案是：
2、本专利技术实施例提供了一种提升二氧化钒薄膜均匀性的装置，包括：
3、内胆，所述内胆内包括工作空间，所述内胆上设有若干连接孔，若干所述连接孔沿周向间隔设置；
4、第一壳体，套设在所述内胆的外壁上，所述第一壳体内部设有气路；
5、气体分流器，包括若干气管，任一气管穿过一所述连接孔，所述气管包括连接端和出气端，所述连接端与所述气路连通，所述出气端设于所述工作空间中；
6、所述气管的所述出气端的角度可调；
7、所述气管的长度可调；
8、第二壳体，固定连接在所述第一壳体的上方，所述第二壳体用于固定所述内胆的位置；
9、第三壳体，设于所述第二壳体的上方，所述第三壳体用于覆盖所述内胆的上端
10、进一步地，若干所述气管的长度不同，若干所述气管按长度交替设置。
11、进一步地，所述气管靠近所述连接端的一侧设有波纹管。
12、进一步地，所述气管的所述出气端上设有卡槽，所述气体分流器还包括若干角度不同的弯头，所述弯头卡接在所述卡槽上。
13、进一步地，还包括第一环形件，
14、所述第一壳体上设有第一凹槽，所述第一环形件设于所述第一凹槽中；
15、所述气路包括进气孔段和环形气路段，
16、所述进气孔段设于所述第一壳体中，所述环形气路段设于所述第一环形件中；
17、所述环形气路段包括n级环形气路，n≥2；
18、第n级气路自第n-1级气路的端部向内延伸、并向两侧分叉，第n级气路的两端设有出气口，所述出气口与所述气管的所述连接端连通。
19、进一步地，所述内胆外壁设有凸缘，所述凸缘沿周向延伸，
20、所述第二壳体内壁的一侧设有第二凹槽；
21、所述提升二氧化钒薄膜均匀性的装置还包括第二环形件，所述第二环形件能够设于所述第二凹槽内、并与所述第二壳体夹持所述内胆的所述凸缘。
22、进一步地，所述内胆与所述第二壳体中的一者上设有定位销、另一者上设有定位孔。
23、进一步地，所述第二壳体上设有第一安装孔，所述第一壳体上设有第一装配孔，所述提升二氧化钒薄膜均匀性的装置还包括第一安装螺钉，将所述第一安装螺钉穿过所述第一安装孔、并与所述第一装配孔螺纹连接。
24、进一步地，一具体的实施例中，如图所示，所述第三壳体的下侧固定连接有靶材，所述第三壳体设于所述第二壳体的上侧时，所述靶材能够覆盖所述内胆的上侧。
25、进一步地，所述内胆的内壁的下端设有内凹槽，
26、所述提升二氧化钒薄膜均匀性的装置还包括遮挡环，所述遮挡环用于设置在所述内凹槽上。
27、本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
28、本专利技术实施例通过选用不同规格的气管或在气管上设置波纹管，进而调节任一气管的长度，进而能够改进氧气进入工作空间时的位置，通过在气管的出气端设置不同规格的弯头，进而调节气体进入工作空间时的角度，从而提高气体输入的均匀性，并显著改善制备的二氧化钒薄膜的均匀性。
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1.一种提升二氧化钒薄膜均匀性的装置，其特征在于,包括：
2.如权利要求1所述的提升二氧化钒薄膜均匀性的装置，其特征在于，
3.如权利要求1所述的提升二氧化钒薄膜均匀性的装置，其特征在于，
4.如权利要求1所述的提升二氧化钒薄膜均匀性的装置，其特征在于，
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8.如权利要求1所述的提升二氧化钒薄膜均匀性的装置，其特征在于，
9.如权利要求1所述的提升二氧化钒薄膜均匀性的装置，其特征在于，
10.如权利要求1所述的提升二氧化钒薄膜均匀性的装置，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种提升二氧化钒薄膜均匀性的装置，其特征在于,包括：
2.如权利要求1所述的提升二氧化钒薄膜均匀性的装置，其特征在于，
3.如权利要求1所述的提升二氧化钒薄膜均匀性的装置，其特征在于，
4.如权利要求1所述的提升二氧化钒薄膜均匀性的装置，其特征在于，
5.如权利要求1所述的提升二氧化钒薄膜均匀性的装置，其特征在于，
【专利技术属性】
技术研发人员：张陈斌，刘超，姜颖，
申请(专利权)人：无锡尚积半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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