晶圆镀膜前处理装置制造方法及图纸

本申请公开了一种晶圆镀膜前处理装置，包括干燥腔、加热腔和加热装置，加热装置能够加热加热腔和干燥腔；还包括气循环装置、第一吹气装置和第二吹气装置，加热装置还能够加热气循环装置输送的气体，加热过的气体能够通过第一吹气装置吹向晶圆的正面、并能够通过第二吹气装置吹向晶圆的背面；晶圆进入干燥腔后处于高温环境下，热气从两侧吹向晶圆，能够很好地吹扫晶圆、促进晶圆干燥，并能够吹除晶圆表面的杂质、确保晶圆的洁净，晶圆内部的杂气被烘出后，热气还能够吹散杂气、避免杂气重新附着到晶圆上；本申请提供的晶圆镀膜前处理装置集合了高温烘干和热气吹扫，晶圆通过前处理装置实现了高效的干燥和清洁，有利于晶圆后续镀膜。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及晶圆处理设备，尤其是一种晶圆镀膜前处理装置。

技术介绍

1、物理气相沉积（pvd）技术是指在真空条件下采用物理方法将材料源表面气化成气态原子或分子、或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术，pvd是主要的晶圆表面处理技术之一。

2、pvd镀膜技术主要分为三类：真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。在进行ti/tin沉积之前，还要对晶圆进行前处理，通常是通过加热去除晶圆里的水汽和上道工艺可能残留下来的杂气等。

3、传统的前处理工艺一般采用灯泡对晶圆进行加热，灯泡工作产生热量，对着腔体顶部的玻璃进行加热，之后再通过玻璃对腔体内部进行加热，从而实现对晶圆表面的水汽或杂气的去除。

4、传统的前处理工艺采用灯泡加热、容易导致加热不均匀，从而影响水汽或杂气的去除效果。同时，灯泡的加热方式使得温度的控制比较困难，而温度过高或过低都会影响处理效果。另外，传统的工艺都是利用高温烘烤晶圆，虽然能够很好地起到干燥作用，但处理效率低、晶圆表面的杂质也不易去除。p>

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【技术保护点】

1.一种晶圆镀膜前处理装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆镀膜前处理装置，其特征在于，还包括载具（400），所述载具（400）设于所述干燥腔（1）内；

3.根据权利要求2所述的晶圆镀膜前处理装置，其特征在于，任一所述载台（410）面向另一个所述载台（410）的一侧设有卡槽，所述卡槽的槽壁设置呈圆弧形、以便于贴合晶圆；

4.根据权利要求1所述的晶圆镀膜前处理装置，其特征在于，所述加热腔（2）设于所述干燥腔（1）上方；

5.根据权利要求4所述的晶圆镀膜前处理装置，其特征在于，所述出气孔可开闭，所述出气孔打开时、所述加热腔（2）...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆镀膜前处理装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆镀膜前处理装置，其特征在于，还包括载具（400），所述载具（400）设于所述干燥腔（1）内；

3.根据权利要求2所述的晶圆镀膜前处理装置，其特征在于，任一所述载台（410）面向另一个所述载台（410）的一侧设有卡槽，所述卡槽的槽壁设置呈圆弧形、以便于贴合晶圆；

4.根据权利要求1所述的晶圆镀膜前处理装置，其特征在于，所述加热腔（2）设于所述干燥腔（1）上方；

5.根据权利要求4所述的晶圆镀膜前处理装置，其特征在于，所述出气孔可开闭，所述出气孔打开时、所述加热腔（2）中的气体能够通过所述出气孔吹入所述干燥腔（1），所述出气孔关闭时、气体能够保留在所述加热腔（2）中；

6.根据权利要求1所述的晶圆镀膜前处理装置，其特征在于，所述气循环装置（200）包括供气设备和供气块（210），所述加热装置（110）设于所述供气块（210）中，所述供...

【专利技术属性】
技术研发人员：张陈斌，张超，宋永辉，王世宽，
申请(专利权)人：无锡尚积半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：