旋转式自清洁刻蚀装置制造方法及图纸

本申请公开了一种旋转式自清洁刻蚀装置，包括工作室、介质罩、载台、载台、线圈、内罩、旋转驱动件、升降驱动件和顶升组件，内罩的底部设有遮边，遮边能够阻碍污染物进入工作室；内罩的表面附着有软质金属膜，能够可靠、高效地捕捉刻蚀过程中产生的污染物，从而保证刻蚀环境的清洁、保证晶圆表面处理的效果；通过旋转驱动件驱使载台旋转，能够提高覆膜均匀性和刻蚀均匀性；通过顶升组件使得内罩能够随载台旋转，既能够避免内罩与介质罩粘结、穿孔被堵塞，又能够甩落粘黏效果差的污染物，进一步保证腔内的环境清洁；内罩的外壁设有清洁件，通过清洁件旋转清扫介质罩，还能够实现腔壁自清洁，降低停机开箱的需求。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及晶圆刻蚀，尤其是一种旋转式自清洁刻蚀装置。

技术介绍

1、等离子体刻蚀是晶圆表面处理的一种方式。射频电感耦合气体放电是产生等离子体的重要途径之一。在电感耦合系统中，电源直接施加于真空室外的线圈，由其产生的电磁场能量聚集在真空室内、激发气体放电、从而形成等离子体，使得带正电的离子轰击晶圆表面，即可去除晶圆表面的天然氧化物、或者碳氟化合物残留物等，最终在晶圆表面刻出所需形状。

2、晶圆刻蚀过程中，会产生氧化物、氮化物等污染物，它们会在刻蚀作用下附着到工作室的腔壁上；随着刻蚀不断进行，积累在腔壁上的污染物会脱落。若污染物落到晶圆表面，会影响晶圆的表面工艺。

技术实现思路

1、本申请的目的是在于克服现有技术中存在的不足，提供一种旋转式自清洁刻蚀装置。

2、为实现以上技术目的，本申请提供了一种旋转式自清洁刻蚀装置，包括：工作室和介质罩，介质罩设于工作室上，并连通工作室，介质罩和工作室之间形成晶圆刻蚀腔；载台，设于晶圆刻蚀腔内，用于承接晶圆；线圈，绕设于介质罩外；内罩，设于介质罩内，并悬本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种旋转式自清洁刻蚀装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的旋转式自清洁刻蚀装置，其特征在于，所述介质罩（120）包括罩体（121）和盖板（122），所述罩体（121）设置呈圆筒状，所述盖板（122）密封设置在所述罩体（121）远离所述工作室（110）的一端；

3.根据权利要求1所述的旋转式自清洁刻蚀装置，其特征在于，所述工作室（110）的顶部开设有连通孔，所述介质罩（120）罩设于所述连通孔外，并与所述工作室（110）的顶壁密封连接；

4.根据权利要求1所述的旋转式自清洁刻蚀装置，其特征在于，所述载台（130）上设有活动孔；

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【技术特征摘要】

1.一种旋转式自清洁刻蚀装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的旋转式自清洁刻蚀装置，其特征在于，所述介质罩（120）包括罩体（121）和盖板（122），所述罩体（121）设置呈圆筒状，所述盖板（122）密封设置在所述罩体（121）远离所述工作室（110）的一端；

3.根据权利要求1所述的旋转式自清洁刻蚀装置，其特征在于，所述工作室（110）的顶部开设有连通孔，所述介质罩（120）罩设于所述连通孔外，并与所述工作室（110）的顶壁密封连接；

4.根据权利要求1所述的旋转式自清洁刻蚀装置，其特征在于，所述载台（130）上设有活动孔；

5.根据权利要求4所述的旋转式自清洁刻蚀装置，其特征在于，所述遮边（201）上设有限位孔，所述顶持件（410）能够插入所述限位孔中。

6.根据权利要求4所述的旋转式自清洁刻蚀装置，其特征在于，非顶升状态下，所述内罩（200）处于所述工作室（110）顶部，所述工作室（11...

【专利技术属性】
技术研发人员：张陈斌，张超，宋永辉，王世宽，
申请(专利权)人：无锡尚积半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：

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