一种异质结碳化硅IGBT器件及其制备方法、芯片技术

本申请属于功率器件技术领域，提供了一种异质结碳化硅IGBT器件及其制备方法、芯片，其中，碳化硅P型掺杂层和碳化硅衬底层位于缓冲层与漏极金属层之间，N型碳化硅漂移层位于缓冲层上，N型碳化硅漂移层的水平部上设有P柱；P型重掺杂层位于P柱与肖特基金属层之间，N型阻挡层位于N型碳化硅漂移层的垂直部与P型基层之间，第一P型源区和第一N型源区位于P型重掺杂层与源极金属层之间，通过设置N型阻挡层与肖特基金属层之间形成肖特基接触，且肖特基金属层与源极金属层接触，可以提升器件的击穿电压，并且改善器件的快恢复特性。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于功率器件，尤其涉及一种异质结碳化硅igbt器件及其制备方法、芯片。

技术介绍

1、绝缘栅双极晶体管(insulate-gate bipolar transistor，igbt)是由绝缘栅极场效应管和双极型三极管复合而成的一种器件，既有金氧半场效晶体管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfet）驱动功率小和开关速度快的特点，又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点，其频率特性介于mosfet与功率晶体管之间，可正常工作于几十khz频率范围内，是中小功率电力电子设备的主导器件，广泛应用于变频器、照明电路、开关电源等领域。

2、然而，由于igbt是双极性器件，导通时电子和空穴都参与导电，目前的常规的基于碳化硅基底的igbt超结器件中，通常需要外接快恢复二极管，且存在导通电阻较大的问题。

技术实现思路

1、为了解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种异质结碳化硅igbt器件及其制备方法、芯片，旨在提供一种新型的碳化硅igbt器本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种异质结碳化硅IGBT器件，其特征在于，所述异质结碳化硅IGBT器件包括：漏极金属层、碳化硅P型掺杂层、碳化硅衬底层、缓冲层、N型碳化硅漂移层、P型氧化镍层、P柱、P型重掺杂层、肖特基金属层、N型阻挡层、P型基层、P型屏蔽层、栅极介质层、栅极多晶硅层、源极金属层、第一P型源区、第一N型源区；

2.如权利要求1所述的异质结碳化硅IGBT器件，其特征在于，所述N型阻挡层内N型掺杂离子的浓度大于所述N型碳化硅漂移层内N型掺杂离子的浓度。

3.如权利要求2所述的异质结碳化硅IGBT器件，其特征在于，所述N型阻挡层与所述P柱和所述P型重掺杂层接触；其中，所述P柱和所述...

【技术特征摘要】

1.一种异质结碳化硅igbt器件，其特征在于，所述异质结碳化硅igbt器件包括：漏极金属层、碳化硅p型掺杂层、碳化硅衬底层、缓冲层、n型碳化硅漂移层、p型氧化镍层、p柱、p型重掺杂层、肖特基金属层、n型阻挡层、p型基层、p型屏蔽层、栅极介质层、栅极多晶硅层、源极金属层、第一p型源区、第一n型源区；

2.如权利要求1所述的异质结碳化硅igbt器件，其特征在于，所述n型阻挡层内n型掺杂离子的浓度大于所述n型碳化硅漂移层内n型掺杂离子的浓度。

3.如权利要求2所述的异质结碳化硅igbt器件，其特征在于，所述n型阻挡层与所述p柱和所述p型重掺杂层接触；其中，所述p柱和所述p型重掺杂层的位置呈对角设置，所述n型阻挡层与所述肖特基金属层的位置呈对角设置。

4.如权利要求2所述的异质结碳化硅igbt器件，其特征在于，所述p柱为p型掺杂的氧化镍材料。

5.如权利要求1所述的异质结碳化硅igbt器件，其特征在于，所述碳化硅p型掺杂层为p型掺杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡文哲，
申请(专利权)人：深圳天狼芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：