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本申请属于功率器件技术领域，提供了一种异质结碳化硅IGBT器件及其制备方法、芯片，其中，碳化硅P型掺杂层和碳化硅衬底层位于缓冲层与漏极金属层之间，N型碳化硅漂移层位于缓冲层上，N型碳化硅漂移层的水平部上设有P柱；P型重掺杂层位于P柱与肖特基...
该专利属于深圳天狼芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳天狼芯半导体有限公司授权不得商用。

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