【技术实现步骤摘要】
本技术属于磁控溅射领域，具体是涉及到一种真空镀膜系统。
技术介绍
1、磁控溅射是物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点，而上世纪70年代发展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。
2、然而，目前的磁控溅射设备模式单一，一次只能对同一种基片进行同一种靶材的镀膜，导致靶材利用率低，更换基片和靶材的时间会严重影响镀膜效率。
技术实现思路
1、本技术要解决的技术问题是提供一种靶材利用率高且具有多种镀膜模式的真空镀膜系统。
2、本技术提供一种真空镀膜系统，包括真空腔、基片周转架和若干个靶材装置；
3、所述基片周转架转动设置在所述真空腔内，并通过旋转驱动组件驱动旋转；
4、所述靶材装置设置在所述真空腔内壁，且若干个靶材装置沿基片周转架的旋转方向依次设置；
5、所述靶材装置包括靶材和挡板机构，所述挡板机构以所述靶材为轴线转动设置在真空腔内，当挡板转动至靶材和基片周转架之间时，阻挡该靶材对基片周转架上对应的基片进行镀膜。
6、更进一步地，所述挡板机构包括挡板和设置在挡板两端的旋转板，两块所述旋转板分别转动连接在真空腔的顶壁和底
7、更进一步地，所述旋转板通过旋转轴与所述真空腔转动配合，其中一块旋转板的旋转轴伸出所述真空腔外，所述真空腔外设置有驱动装置驱动所述旋转轴旋转。
8、更进一步地，所述真空腔的内侧壁凸伸设置有若干个矩形腔，所述靶材装置设置在矩形腔内。
9、更进一步地，所述靶材装置的旋转轴线与所述基片周转架的旋转轴线平行。
10、更进一步地，所述真空腔为圆柱形腔体，所述基片周转架为圆柱形架体，所述真空腔与所述基片周转架同轴。
11、更进一步地，所述真空腔包括腔体和腔盖，所述腔盖铰接设置在腔体侧壁，腔盖与腔体配合时呈圆柱体结构，所述腔盖的横截面为劣弧，所述腔体的横截面为优弧。
12、更进一步地，还包括若干个基片架自转机构和若干个基片安装板；
13、所述基片架自转机构包括固定齿轮以及若干个基片架固定件，所述固定齿轮固定设置在所述真空腔内，若干个基片架固定件呈沿所述固定齿轮呈环形阵列布置在基片周转架外侧，且与所述基片周转架转动连接，每个所述基片周转架上设置有与所述固定齿轮啮合的从动齿轮；
14、所述基片安装板设置在所述基片架固定件上。
15、更进一步地，所述基片周转架包括两块相互平行的安装板和连接两块安装板的立柱，两块所述安装板分别与所述真空腔的顶壁和底壁转动连接。
16、更进一步地，两个所述安装板位于基片架自转机构外侧还呈环形阵列设置有基片架固定安装结构。
17、本技术的有益效果是，本技术所提供的真空镀膜系统，可以实现单一基片的一种靶材多层镀膜，单一基片多种靶材多层镀膜、多个基片或多种材质基片的一种靶材多层镀膜、多个基片或多种材质基片的多种靶材多层镀膜，对于各种需要均可方便胜任，挡板机构的设置，可以独立且快速的控制其对应的靶材的开启和关闭，避免在多种靶材镀膜过程中相互干扰，保证镀膜效果，另外，采用基片周转架的方式安装基片，可以一次性安装多块基片，且使多块基片与靶材装置相对移动，循环接触，可以在保证空间的前提下提高镀膜效率，最终实现一种高效、高质且多模式的真空镀膜系统。
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1.一种真空镀膜系统，其特征是，包括真空腔(1)、基片周转架(2)和若干个靶材装置(7)；
2.如权利要求1所述的真空镀膜系统，其特征是，所述挡板机构(72)包括挡板(721)和设置在挡板(721)两端的旋转板(722)，两块所述旋转板(722)分别转动连接在真空腔(1)的顶壁和底壁，所述靶材(71)两端分别与两块旋转板(722)连接，且连接在所述旋转板(722)的旋转轴线上。
3.如权利要求2所述的真空镀膜系统，其特征是，所述旋转板(722)通过旋转轴与所述真空腔(1)转动配合，其中一块旋转板(722)的旋转轴伸出所述真空腔(1)外，所述真空腔(1)外设置有驱动装置(723)驱动所述旋转轴旋转。
4.如权利要求1所述的真空镀膜系统，其特征是，所述真空腔(1)的内侧壁凸伸设置有若干个矩形腔(11)，所述靶材装置(7)设置在矩形腔(11)内。
5.如权利要求1所述的真空镀膜系统，其特征是，所述靶材装置(7)的旋转轴线与所述基片周转架(2)的旋转轴线平行。
6.如权利要求1-5任一项所述的真空镀膜系统，其特征是，所述真空腔为
7.如权利要求6所述的真空镀膜系统，其特征是，所述真空腔(1)包括腔体和腔盖，所述腔盖铰接设置在腔体侧壁，腔盖与腔体配合时呈圆柱体结构，所述腔盖的横截面为劣弧，所述腔体的横截面为优弧。
8.如权利要求1-5任一项所述的真空镀膜系统，其特征是，还包括若干个基片架自转机构(3)和若干个基片安装板(4)；
9.如权利要求8所述的真空镀膜系统，其特征是，所述基片周转架(2)包括两块相互平行的安装板(21)和连接两块安装板(21)的立柱(22)，两块所述安装板(21)分别与所述真空腔(1)的顶壁和底壁转动连接。
10.如权利要求9所述的真空镀膜系统，其特征是，两个所述安装板(21)位于基片架自转机构(3)外侧还呈环形阵列设置有基片架固定安装结构。
...【技术特征摘要】
1.一种真空镀膜系统，其特征是，包括真空腔(1)、基片周转架(2)和若干个靶材装置(7)；
2.如权利要求1所述的真空镀膜系统，其特征是，所述挡板机构(72)包括挡板(721)和设置在挡板(721)两端的旋转板(722)，两块所述旋转板(722)分别转动连接在真空腔(1)的顶壁和底壁，所述靶材(71)两端分别与两块旋转板(722)连接，且连接在所述旋转板(722)的旋转轴线上。
3.如权利要求2所述的真空镀膜系统，其特征是，所述旋转板(722)通过旋转轴与所述真空腔(1)转动配合，其中一块旋转板(722)的旋转轴伸出所述真空腔(1)外，所述真空腔(1)外设置有驱动装置(723)驱动所述旋转轴旋转。
4.如权利要求1所述的真空镀膜系统，其特征是，所述真空腔(1)的内侧壁凸伸设置有若干个矩形腔(11)，所述靶材装置(7)设置在矩形腔(11)内。
5.如权利要求1所述的真空镀膜系统，其特征是，所述靶材装置(7)的旋转轴线与所述基片周...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢斌斌，来华杭，刘杰，王正安，顾子莺，郭峰，
申请(专利权)人：杭纳半导体装备杭州有限公司，
类型：新型
国别省市：
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