一种低矫顽力低线宽多层磁致伸缩薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种低矫顽力低线宽多层磁致伸缩薄膜及其制备方法，属于磁性薄膜材料领域，其制备方法为：分别采用FeGaB靶材和Al2O3绝缘层作为原料，使用磁控溅射台进行多层薄膜制备；制作完成后，对多层薄膜在100

【技术实现步骤摘要】
一种低矫顽力低线宽多层磁致伸缩薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及磁性薄膜材料领域，尤其涉及一种低矫顽力低线宽多层磁致伸缩薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]强磁电耦合材料是磁电天线的核心，高效的高频磁电耦合是磁电天线辐射的基础。目前，相对比较成熟的块状磁电复合材料体系的磁电耦合系数只在低频数十赫兹至KHz频段具备较强的磁电转换能力,但受工作模态和制备工艺的限制，块状磁电复合材料在兆赫兹及以上频段已无法有效工作，需采用工作频率更高的薄膜材料。
[0003]由于在高频电磁环境中，磁致伸缩薄膜还存在涡流现象，为降低涡流损耗，需要在高磁致伸缩薄膜的制备中结合绝缘薄膜层，构成（磁致伸缩薄膜
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叠层薄膜交替）的周期性多层薄膜。
[0004]Al2O3材料具有介电常数高、绝缘特性好，适合高频工作等优点，是一种很好的叠层薄膜材料，可以解磁电器件高频工作下涡流损耗过高的问题。目前报道的致伸缩薄膜选取FeGaB薄膜材料，厚度约为50
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150nm，绝缘插层选择Al2O3薄膜，厚度约为2nmn...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低矫顽力低线宽多层磁致伸缩薄膜的制备方法，其特征在于,包括下述步骤：（1）分别采用FeGaB靶材和Al2O3绝缘层作为原料，使用磁控溅射台进行多层薄膜制备；（2）制作完成后，对多层薄膜进行退火。2.根据权利要求1所述的低矫顽力低线宽多层磁致伸缩薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，多层薄膜的制备方法为，包括下述步骤：1）使用140
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160W溅射功率，通入气体流量15
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25mTorr，首先溅射一层45nm
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55nm厚度FeGaB薄膜，溅射结束后关闭FeGaB直流电源，关闭对应气路；2）打开射频电源，使用75
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85W溅射功率，通入气体流量15
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25mTorr，溅射一层2nm
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5nm厚的Al2O3薄膜，溅射结束后关闭射频电源，关闭对应气路；3）交替进行两种薄膜的生长，生长的最后一层薄膜为FeGaB薄膜，其中FeGaB薄膜共计N层，N=9
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【专利技术属性】
技术研发人员：徐德超，倪琴菲，倪经，林亚宁，陈铭，
申请(专利权)人：西南应用磁学研究所中国电子科技集团公司第九研究所，
类型：发明
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